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公开(公告)号：CN103795219A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410016971.5
申请日：2014-01-15
Applicant: 江苏大学
IPC: H02K35/02
Abstract: 本发明提供了一种发电功率可调的电磁式振动能量收集器，包括能量转换装置、导轨、质量块、驱动磁铁，所述质量块装配在导轨上，驱动磁铁固定在质量块上，能量转换装置设在质量块固定驱动磁铁的一侧，其特征在于，所述能量转换装置固定在可调平台上，所述可调平台能够调节能量转换装置与驱动磁铁之间的距离。本发明通过旋动可调平台的旋钮调节能量转换装置与被动磁铁间的距离，从而调节驱动磁铁和被动磁铁间作用力的大小，使被动磁铁的振动幅度发生变化，从而达到调节发电功率的目的。
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公开(公告)号：CN103794495A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410052321.6
申请日：2014-02-17
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L29/66045
Abstract: 本发明涉及石墨烯场效应晶体管，特指一种基于石墨烯场效应晶体管的制备方法。本发明采用金属气源Ga离子对石墨烯表面进行辐照，能够对石墨烯进行空穴掺杂，Ga离子能够向石墨烯中引入压应力，以及辐照产生的热对石墨烯起退火作用。对于基于改性的石墨烯场效应晶体管而言，退火作用减弱了场效应晶体管的输出非线性，引入的压应变打开石墨烯的能带结构，提高石墨烯场效应晶体管的开关比，促进了场效应晶体管在逻辑电路中的应用。
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公开(公告)号：CN102538949B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110413771.X
申请日：2011-12-13
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法，P-Si衬底上设有漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区，漏极-N型掺杂区上设有漏极电极，源极-N型掺杂区上设有源极电极，在P-Si衬底表面上且位于漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区的正中间安置两个SiO2锚区，石墨烯两端固支梁的两端分别悬于两个SiO2锚区上，石墨烯两端固支梁的一端上设置一个与其相连接的顶栅电极；利用梁的振动引起电场的变化来确定谐振器的谐振频率，能将微弱的谐振信号直接放大成可用于检测的电压信号，避免了外接有源电路，使电路简化，能消除了由于寄生电容引起的低通滤波现象，尤其适用于超小质量的化学物质检测。
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公开(公告)号：CN102627004A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210063074.0
申请日：2012-03-12
Applicant: 江苏大学
IPC: B32B9/04 , B32B15/00 , C23C28/00 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/14 , C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开一种用于超高密度探针存储的多层相变薄膜及其制备方法，多层相变薄膜顶层是厚度为8-12nm的类金刚石膜保护层、底层是厚度为10-15nm、铜和钨重量比为15:85的铜钨合金薄膜电极层、中间是厚度为25-45nm的碲基合金薄膜相变层；采用直流-射频磁控溅射一体化设备制备电极层和相变层，旋转转盘使基片位于靶材正上方，对真空室抽真空并通入氩气，溅射完成后再抽真空并打开加热电阻加热后原位退火；将溅射有电极层和相变层的基片取出放入等离子体增强化学气相沉积室中，通入甲烷和硼烷进行气相沉积，类金刚石膜生长完成后取出，放入到180℃退火炉中退火；能有效避免导电层氧化，提高多层纳米薄膜表面质量、存储密度、存储寿命及功耗，且提高制备效率。
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公开(公告)号：CN102538949A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110413771.X
申请日：2011-12-13
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法，P-Si衬底上设有漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区，漏极-N型掺杂区上设有漏极电极，源极-N型掺杂区上设有源极电极，在P-Si衬底表面上且位于漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区的正中间安置两个SiO2锚区，石墨烯两端固支梁的两端分别悬于两个SiO2锚区上，石墨烯两端固支梁的一端上设置一个与其相连接的顶栅电极；利用梁的振动引起电场的变化来确定627谐振器的谐振频率，能将微弱的谐振信号直接放大成可用于检测的电压信号，避免了外接有源电路，使电路简化，能消除了由于寄生电容引起的低通滤波现象，尤其适用于超小质量的化学物质检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112234950B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010999635.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯电极二硫化钼谐振器及其制备方法，通过等离子体技术将转移的多层石墨烯打出间隙，后使用聚焦离子束蚀刻二氧化硅衬底形成圆形谐振腔。接着旋涂聚甲基丙基酸甲酯光刻胶，利用电子束曝光技术仅留下填充谐振腔的PMMA。最后选择干法转移法转移MoS2谐振梁，并去除PMMA。该方法可以避免金属电极与半导体接触产生的肖特基势垒，同时也解决了谐振梁转移过程中坍塌的问题。
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公开(公告)号：CN116546865A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310714193.6
申请日：2023-06-14
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜缺陷的钝化方法，属于光电器件技术领域。本发明在钙钛矿前驱液中添加ZIF‑67，其规则的支架结构可使钙钛矿微晶在结晶的初始阶段有序排列，从而有效调控薄膜生长，减少晶界。此外，ZIF‑67释放部分Co离子填补铅空位，与卤素离子形成强健结合，可以有效减少钙钛矿薄膜的缺陷态形成，降低载流子传输过程中的非辐射复合损耗，提高载流子寿命近1.7倍，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN111158662B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911344001.7
申请日：2019-12-24
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种利用LabVIEW设计MSCAN通讯的方法，该方法利用了LabVIEW功能丰富的图形化界面，通过该软件设计前面板和程序框图，向用户采集MSCAN通讯的基本设置信息和发送报文信息，再经过信息的处理和代码的拼接，最后生成C语言程序，该程序可供配置了MSCAN模块的微处理器所使用。通过该方法生成的MSCAN通信程序，可以很大程度上减少配置复杂MSCAN模块所需的时间，生成的C语言程序中还包括对MSCAN操作的各子函数程序，方便用户对程序的二次开发。
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公开(公告)号：CN114899275A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210389877.9
申请日：2022-04-14
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/08 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种贵金属纳米线与二维二硫化钼复合结构的光电探测器及其制备方法，首先在氧化硅片上制备由多条平行排列的贵金属纳米线构成的第一贵金属纳米线阵列；再利用微机械剥离法将单层二硫化钼薄膜转移至氧化硅片的第一贵金属纳米线阵列上方；最后在单层二硫化钼薄膜上构筑第二贵金属纳米线阵列和贵金属电极，且第二贵金属纳米线阵列的纳米线与第一贵金属纳米线阵列的纳米线相互垂直形成贵金属纳米网格，得到基于复合结构的光电探测器。所述制备方法使贵金属纳米线的宽度和间距具有较大的可控性，可以实现对二维材料光学特性的灵活调制。该结构能够将光场牢牢局域并增强，提高光电探测器对光的吸收能力和灵敏度，具有较强的光探测性能。
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公开(公告)号：CN114778618A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210540118.8
申请日：2022-05-18
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于微机电系统气体传感器芯片技术领域，涉及一种石墨烯/二硫化钨的气体传感器的制备工艺，包括：在基底的上表面沉积绝缘层；将基底超声清洗，在绝缘层表面沉积厚度形状可控的插齿电极；利用湿法转移将石墨烯层平整地转移至插齿电极表面；配制10mg/ml的二硫化钨悬浊液，用移液枪滴涂1～2滴悬浊液至石墨烯表面，室温晾干，60℃干燥，即得。本发明所使用材料均易制备，在面对不同测试需求，只需改变石墨烯厚度、二硫化钨浓度，各齿电极间距离即可。本发明制作成本低，检测对象广、灵敏度高，可广泛应用于NH3、NO等气体检测。
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