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公开(公告)号：CN103794495B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410052321.6
申请日：2014-02-17
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及石墨烯场效应晶体管，特指一种基于石墨烯场效应晶体管的制备方法。本发明采用金属气源Ga离子对石墨烯表面进行辐照，能够对石墨烯进行空穴掺杂，Ga离子能够向石墨烯中引入压应力，以及辐照产生的热对石墨烯起退火作用。对于基于改性的石墨烯场效应晶体管而言，退火作用减弱了场效应晶体管的输出非线性，引入的压应变打开石墨烯的能带结构，提高石墨烯场效应晶体管的开关比，促进了场效应晶体管在逻辑电路中的应用。
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公开(公告)号：CN103794495A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410052321.6
申请日：2014-02-17
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L29/66045
Abstract: 本发明涉及石墨烯场效应晶体管，特指一种基于石墨烯场效应晶体管的制备方法。本发明采用金属气源Ga离子对石墨烯表面进行辐照，能够对石墨烯进行空穴掺杂，Ga离子能够向石墨烯中引入压应力，以及辐照产生的热对石墨烯起退火作用。对于基于改性的石墨烯场效应晶体管而言，退火作用减弱了场效应晶体管的输出非线性，引入的压应变打开石墨烯的能带结构，提高石墨烯场效应晶体管的开关比，促进了场效应晶体管在逻辑电路中的应用。
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公开(公告)号：CN102538949B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110413771.X
申请日：2011-12-13
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法，P-Si衬底上设有漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区，漏极-N型掺杂区上设有漏极电极，源极-N型掺杂区上设有源极电极，在P-Si衬底表面上且位于漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区的正中间安置两个SiO2锚区，石墨烯两端固支梁的两端分别悬于两个SiO2锚区上，石墨烯两端固支梁的一端上设置一个与其相连接的顶栅电极；利用梁的振动引起电场的变化来确定谐振器的谐振频率，能将微弱的谐振信号直接放大成可用于检测的电压信号，避免了外接有源电路，使电路简化，能消除了由于寄生电容引起的低通滤波现象，尤其适用于超小质量的化学物质检测。
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公开(公告)号：CN102538949A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110413771.X
申请日：2011-12-13
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法，P-Si衬底上设有漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区，漏极-N型掺杂区上设有漏极电极，源极-N型掺杂区上设有源极电极，在P-Si衬底表面上且位于漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区的正中间安置两个SiO2锚区，石墨烯两端固支梁的两端分别悬于两个SiO2锚区上，石墨烯两端固支梁的一端上设置一个与其相连接的顶栅电极；利用梁的振动引起电场的变化来确定627谐振器的谐振频率，能将微弱的谐振信号直接放大成可用于检测的电压信号，避免了外接有源电路，使电路简化，能消除了由于寄生电容引起的低通滤波现象，尤其适用于超小质量的化学物质检测。
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