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公开(公告)号：CN107093559B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710132956.0
申请日：2017-03-08
Applicant: 镇江市电子管厂
IPC: H01L21/34 , H01L21/443
Abstract: 本发明提供了一种基于Ni催化制备石墨烯电极MoS2场效应晶体管的方法，步骤如下：步骤1、制备图形化的Ni催化纳米层；步骤2、制备图形化的石墨烯电极；步骤3、生长单层MoS2；步骤4、刻蚀MoS2沟道：在制备好的MoS2/石墨烯/Ni纳米层样品上，刻蚀出所需的MoS2沟道。本发明解决了传统光刻技术对石墨烯图形化时光刻胶残留问题，同时提出了一种简单高效的石墨烯电极制备MoS2场效应晶体管工艺。
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公开(公告)号：CN107768254A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710963524.4
申请日：2017-10-17
Abstract: 本发明目的在于提供一种大规模制备高性能混合结构石墨烯电极MoS2场效应晶体管的方法，该方法在SiO2/Si衬底上直接CVD生长MoS2并对进行MoS2图形化刻蚀，利用热式扫描探针技术直写出氧化石墨烯(GO)图形的尺寸与形状，通过旋涂GO并进行热还原得到石墨烯电极从而形成大规模石墨烯电极MoS2场效应晶体管。该方法使用热式扫描探针直写出旋涂GO的形状与尺寸，利用热还原GO作为电极，改善了MoS2场效应晶体管的接触电阻和迁移率等性能。单层MoS2拥有诸多优异的电学性能，如较大带隙(1.8eV)，大开关比(～108)。使用石墨烯电极可增加电荷注入，改善MoS2场效应晶体管的电学性能。本方法制备的石墨烯电极MoS2场效应晶体管工艺简单且性能良好，可应用于大规模集成逻辑电路中。由于这种方法具有巨大的市场前景，可促进其商业化推广应用。
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公开(公告)号：CN107768251A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710966517.X
申请日：2017-10-17
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/683 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/51
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L21/6836 , H01L29/0684 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明公开一种石墨烯场效应晶体管，特指一种基于鼓泡法的石墨烯场效应晶体管的制备方法，包括：提供衬底，在所选衬底上形成氧化层；在氧化层上进行光刻打孔；在孔上方转移形成双层石墨烯沟道；将转移后的石墨烯放在抽真空机中，进行抽真空操作，然后进行充气，充入氮气。本发明采用密闭条件下在真空泵中，对于悬置于孔上方的石墨烯进行压缩抽真空，增大了石墨烯的应力，提高了石墨烯场效应晶体管的开关比，增强了场效应晶体管的敏感特性。
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公开(公告)号：CN102637563A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210115418.8
申请日：2012-04-19
Applicant: 镇江市电子管厂
Abstract: 本发明涉及一种气体放电管，具体是一种超小型贴片式气体放电管。该超小型贴片式气体放电管包括有一个长方体外形的陶瓷管，陶瓷管的两端设置有金属电极，金属电极与陶瓷管的端面通过焊料焊接密封，两个金属电极之间填充有气体介质；所述金属电极内侧呈圆柱状，在金属电极内侧端面上涂覆有金属氧化物涂层。本发明不仅结构紧凑、尺寸小，并且通过特殊的电极结构结合合理匹配的气体介质和金属氧化物涂层，可有效地降低元件的直流击穿电压，同时可获得良好的极间电容参数。
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公开(公告)号：CN107093559A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710132956.0
申请日：2017-03-08
Applicant: 镇江市电子管厂
IPC: H01L21/34 , H01L21/443
Abstract: 本发明提供了一种基于Ni催化制备石墨烯电极MoS2场效应晶体管的方法，步骤如下：步骤1、制备图形化的Ni催化纳米层；步骤2、制备图形化的石墨烯电极；步骤3、生长单层MoS2；步骤4、刻蚀MoS2沟道：在制备好的MoS2/石墨烯/Ni纳米层样品上，刻蚀出所需的MoS2沟道。本发明解决了传统光刻技术对石墨烯图形化时光刻胶残留问题，同时提出了一种简单高效的石墨烯电极制备MoS2场效应晶体管工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102637564A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210115419.2
申请日：2012-04-19
Applicant: 镇江市电子管厂
Inventor： 王江祥
Abstract: 本发明涉及一种高频陶瓷气体放电管。它包括有一个管状的外电极和同轴位于外电极内的圆柱状的内电极，管状外电极的两端由焊接的陶瓷片密封封闭并分隔内、外电极，在内、外电极之间填充有气体介质，内电极外表面和外电极内表面之间分别涂覆有金属氧化物涂层；所述内电极与外电极之间的间隙为2.3±0.01mm或者3.5±0.01mm。本发明通过选择合适的电极结构及尺寸为提高产品的工作频率创造了有利条件；由于陶瓷片的介电常数与电极的极间距离精确匹配，同时配合特殊混合成份的气体介质，使特性阻抗50欧姆和75欧姆的产品在90V直流电压下的工作频率可达到20GHz，远远高于现有产品。
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公开(公告)号：CN114778618A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210540118.8
申请日：2022-05-18
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于微机电系统气体传感器芯片技术领域，涉及一种石墨烯/二硫化钨的气体传感器的制备工艺，包括：在基底的上表面沉积绝缘层；将基底超声清洗，在绝缘层表面沉积厚度形状可控的插齿电极；利用湿法转移将石墨烯层平整地转移至插齿电极表面；配制10mg/ml的二硫化钨悬浊液，用移液枪滴涂1～2滴悬浊液至石墨烯表面，室温晾干，60℃干燥，即得。本发明所使用材料均易制备，在面对不同测试需求，只需改变石墨烯厚度、二硫化钨浓度，各齿电极间距离即可。本发明制作成本低，检测对象广、灵敏度高，可广泛应用于NH3、NO等气体检测。
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公开(公告)号：CN106142861A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510157810.2
申请日：2015-04-01
Applicant: 镇江市电子管厂
Inventor： 陈国清
Abstract: 本发明涉及一种打印设备，尤其是涉及一种全自动圆柱形元器件高速打印机。一种全自动圆柱形元器件高速打印机，包括打印机、震动料盘、转换机构、连接送料机构及固定装置；打印机连接有电源；震动料盘连接有电源；转换结构包括对接转换器一、器件通道和对接转换器二，所对接转换器一的一端和震动料盘连接，一端和器件通道连接，器件通道的另一端和对接转换器二连接，对接转换器二的另一端通过连接送料机构连接打印机；固定装置和所述连接送料机构连接，用于放置所述需要打印的元器件。本发明通过震动料盘进行送料，并通过器件转换装置和器件通道把要打印的元器件送给打印机进行打印，提高打印效率；保证了打印质量，防止错打，漏打现象的发生。
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公开(公告)号：CN114838653B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210428398.3
申请日：2022-04-22
Abstract: 本发明提供了一种基于垂直石墨烯的柔性应变传感器及其制备方法，该方法使用耐高温柔性材料作为基底，结合电感耦合等离子体化学气相沉积法，在600‑700℃的温度下，免转移制备基于垂直石墨烯的柔性应变传感器。其中采用的柔性衬底为氟晶云母，可耐受高达1100℃的高温，并且在厚度在500μm时拥有良好的柔性，作为生长垂直石墨烯的良好基底，避免了由于垂直石墨烯在转移过程中对结构造成的破坏从而导致传感器性能的下降，也避免了在转移过程中所用到的刻蚀液对环境造成的破坏或对人体健康产生影响。此外，将铜制的叉指电极和垂直石墨烯结合，改善了欧姆接触，可以用来提高柔性应变传感器的响应性能。
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公开(公告)号：CN114838653A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210428398.3
申请日：2022-04-22
Abstract: 本发明提供了一种基于垂直石墨烯的柔性应变传感器及其制备方法，该方法使用耐高温柔性材料作为基底，结合电感耦合等离子体化学气相沉积法，在600‑700℃的温度下，免转移制备基于垂直石墨烯的柔性应变传感器。其中采用的柔性衬底为氟晶云母，可耐受高达1100℃的高温，并且在厚度在500μm时拥有良好的柔性，作为生长垂直石墨烯的良好基底，避免了由于垂直石墨烯在转移过程中对结构造成的破坏从而导致传感器性能的下降，也避免了在转移过程中所用到的刻蚀液对环境造成的破坏或对人体健康产生影响。此外，将铜制的叉指电极和垂直石墨烯结合，改善了欧姆接触，可以用来提高柔性应变传感器的响应性能。
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