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公开(公告)号：CN119000641A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411350082.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 江南大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏二维表面增强拉曼散射基底及其制备方法，本发明所述基底以Si/SiO2片为生长衬底，沉积氮掺杂的二维半导体纳米材料层；所述Si/SiO2片包括硅层和二氧化硅层；所述基底自下而上依次为硅层、二氧化硅层、氮掺杂的二维半导体纳米材料层。本发明所述制备方法，通过尿素在高温下发生氨解反应分解形成的氨气，不仅将氮元素掺杂进二维半导体材料中，还能够向二维半导体材料引入缺陷，通过改变基底能带结构和表面电势，调节基底与被吸附分子之间的电荷相互作用，从而增强SERS灵敏度。
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公开(公告)号：CN118848982A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411135677.6
申请日：2024-08-19
Applicant: 江南大学
IPC: B25J9/16
Abstract: 本申请公开了一种基于应变修正的软体机械手的抓取控制方法，涉及传感器技术领域，该方法构建多组不同的样本设计参数并建立有限元模型进行拉伸模拟得到拉伸模拟结果，综合大量的仿真模拟结果结合理论分析可以拟合得到影响应变传递效率的无法直接计算的应变传递损失参数；在实际进行抓取控制时，根据软体机械手的实际设计参数以及应变传感器的实际设计参数，结合应变传递损失函数即可确定平均应变传递率用于对应变传感器的应变测量值进行修正，修正后的应变测量值更接近软体机械手的实际应变，因此根据修正后的应变测量值控制软体机械手的抓取状态的准确度更高，使得软体机械手的抓取精度更高且更不易损坏物品。
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公开(公告)号：CN117429058B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311652162.9
申请日：2023-12-04
Applicant: 江南大学
IPC: B29C64/386 , B29C64/118 , B33Y50/00 , B33Y10/00 , B29L31/34
Abstract: 本申请公开了一种集成传感功能的结构件的混合3D打印快速制作方法，涉及3D打印技术领域，该方法基于模态分析的方法根据对待制作结构件关注的变形特征参数确定在待制作结构件上布设的各个传感单元的布设位置，然后采用熔融沉积打印与直书写打印结合的方式，利用混合3D打印的方式将待制作结构件直接集成制作在待制作结构件上进行应变监测，结合重构算法即可重构得到待制作结构件的全局位移场。由于传感单元及其他电路结构直接集成在待制作结构件上，因此不会发生移位和脱落的情况，使用可靠性较高，而且传感单元与待制作结构件直接接触，不再经过胶水等粘贴结构，应变监测更准确，使得后续重构得到的全局位移场也更准确。
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公开(公告)号：CN117900505A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311846060.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 江南大学
IPC: B22F10/22 , B29C64/10 , B29C64/106 , B29C64/171 , B29C64/393 , B29C64/314 , B33Y40/10 , B33Y50/02 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , G06F30/23 , G06F30/27 , G06N20/00 , G01L5/16 , B22F12/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , G06F111/10 , G06F113/10 , G06F119/14
Abstract: 本申请公开了一种机器学习辅助解耦的混合3D打印三轴力传感器的测力方法，涉及传感器技术领域，该方法利用混合3D打印的方式制作受力点随受到的三轴空间力进行大变形的三轴力传感器，利用熔融沉积成型3D打印技术基于弹性体材料制作可以发生大变形的传感器基底，然后利用直书写打印技术在传感器基底上制作可以发生大变形的应变传感单元，而为了适应这种三轴力传感器的高非线性复杂度，本申请基于有限元分析结合机器学习模型训练得到力解耦模型实现力的解耦，利用制作得到的结构结合力解耦模型就能实现这种高非线性复杂度场景下的测力。
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公开(公告)号：CN117429058A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311652162.9
申请日：2023-12-04
Applicant: 江南大学
IPC: B29C64/386 , B29C64/118 , B33Y50/00 , B33Y10/00 , B29L31/34
Abstract: 本申请公开了一种集成传感功能的结构件的混合3D打印快速制作方法，涉及3D打印技术领域，该方法基于模态分析的方法根据对待制作结构件关注的变形特征参数确定在待制作结构件上布设的各个传感单元的布设位置，然后采用熔融沉积打印与直书写打印结合的方式，利用混合3D打印的方式将待制作结构件直接集成制作在待制作结构件上进行应变监测，结合重构算法即可重构得到待制作结构件的全局位移场。由于传感单元及其他电路结构直接集成在待制作结构件上，因此不会发生移位和脱落的情况，使用可靠性较高，而且传感单元与待制作结构件直接接触，不再经过胶水等粘贴结构，应变监测更准确，使得后续重构得到的全局位移场也更准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116970907A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310969926.0
申请日：2023-08-02
Applicant: 江南大学
Abstract: 本申请公开了一种具有高极限工作温度的金属纳米薄膜电极的制备方法，涉及纳米薄膜电极领域，该方法在真空镀膜腔室中，利用多靶位电子束蒸发镀膜仪使用金属靶材在硅片基底表面制备纳米级厚度的金属纳米薄膜，然后切换至使用铝靶材，并利用多靶位电子束蒸发镀膜仪使用铝靶材在金属纳米薄膜表面制备具有预定纳米级厚度的铝纳米薄膜，制备得到金属纳米薄膜电极。铝纳米薄膜在高温下稳定吸附在金属纳米薄膜表面，且厚度可控，表面平整，与金属纳米薄膜表面结合强度高。铝纳米薄膜在空气中氧化形成的氧化铝膜可有效避免金属纳米薄膜的高温氧化，从而有利于提高金属纳米薄膜电极的抗氧化性，使得金属纳米薄膜电极能够具有较高的极限工作温度。
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公开(公告)号：CN114864019B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210620508.6
申请日：2022-06-02
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种包含扭转行为的碳纳米管粗粒化势函数构建方法。其包括如下步骤：步骤1、提供碳纳米管，并确定所提供碳纳米管的能量‑应变曲线；步骤2、构建上述碳纳米管的粗粒化扭转模型，其中，构建碳纳米管的粗粒化扭转模型时，将上述碳纳米管映射为一维的粗粒化模型，映射得到粗粒化模型后，在每个粗粒上设置一无质量的虚原子；步骤3、建立碳纳米管的粗粒化扭转模型的扭转势函数，并将所建立的扭转势函数拟合步骤1中的能量‑应变曲线，以在拟合后，确定所建立的所述扭转势函数。本发明实现对碳纳米管纤维力学行为的粗粒化分子动力学模拟，在降低计算复杂度的情况下，提高计算的可操作性与精度。
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公开(公告)号：CN115575449A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211295294.6
申请日：2022-10-21
Applicant: 江南大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明公开了一种水果内部缺陷的主动红外热像检测装置及方法，涉及机器视觉检测技术领域，装置包括：控制及数据处理分析模组以及与其相连的红外热像采集模组、供电电源和水果加热模组；供电电源还连接其他模组用于提供所需电源，红外热像采集模组用于采集被测水果样品在热激励前后的红外热图像，水果加热模组用于对被测水果样品施加可控热激励，控制及数据处理分析模组用于将热激励前后的红外热图像进行对比分析，再与设置的温差阈值进行比较得到内部有缺陷水果样品及内部无缺陷水果样品的坐标位置。通过对红外热像采集模组所采集到的红外热图像进行识别分类，能够识别外表完整、内部存在缺陷的低品质水果。
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公开(公告)号：CN112135443B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202011000665.4
申请日：2020-09-22
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘带的应变片阵列电路直书写打印方法，涉及应变片领域和3D打印分层电路领域，该方法在第一电路层打印固化完成以后，在其上层打印数条绝缘带，然后在绝缘带处打印第二电路层，应变片的功能层打印覆盖在其上并且不与绝缘带接触，功能层的首尾电极分别与两层电路层连接，最后打印一层绝缘材料进行封装；利用直书写完成整个流程打印，较为方便、简单，且行列复合电路在两条银线路交叉部位，采用一种新型的绝缘方式，改局部点胶为走线区域打印绝缘带的形式，可以有效的完成阵列应变片的打印以及确保测量的稳定性，同时保障了应变片基底到功能层的应变传递效率。
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公开(公告)号：CN111863364B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010721616.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 江南大学
IPC: H01C17/065 , B41M5/00
Abstract: 本发明公开了一种电阻应变片的打印方法，涉及应变片领域，电阻应变片包括基底层、功能层和封装层，通过计算剪滞效应系数和电阻应变片对基底层的增强效应系数，推导出各层刚度对电阻应变片应变传递效率耦合作用的关系，随后根据各层刚度对电阻应变片应变传递效率耦合作用的关系计算得出各层厚度，最后利用直书写打印方法分别打印出绝缘层、功能层和封装层，在电阻应变片设计阶段就考虑到电阻应变片各层对整体的影响，便于后续通过直书写打印方法打印电阻应变片，简化了电阻应变片的制作方法，提高了电阻应变片的精度。
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