公开(公告)号：CN102285793A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110162423.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 成钧 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Ba(Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3–xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y-u)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3-v(Li1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102249659A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110162432.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  岑侦勇 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高居里温度铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法，它的组成通式为：（1-x-y）(BizM1-z)t(FeuM′1-u)O3–xBaTiO3–yBiMnO3，式中M为大离子半径的三价金属元素，M′为小离子半径的三价金属元素，x、y、u、t、z表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0≤x≤1.0，0≤y≤0.1，0

公开(公告)号：CN101659545A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910114388.7

申请日：2009-09-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  刘心宇 ,  周昌荣

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明涉及热敏电阻材料，具体涉及以BaBiO 3 为基础相的陶瓷材料及其制备方法。所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为(Ba 1-x A x )(Sb y Bi 1-y )O 3 ，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧，造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO 3 为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。

公开(公告)号：CN101234895A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810073471.X

申请日：2008-02-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  周昌荣

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，它是在压电性能较好的(Na1/2Bi1/2)TiO3－xBaTiO3中添加Bi基化合物构成，成分以通式(1－x－y)(Na1/2Bi1/2)TiO3－xBaTiO3－yBiMeO3和(1－x－y)(Bi1/2Na1/2)TiO3－xBaTiO3－yBiMeO3+zMaOb来表示，其中x、y和z表示摩尔分数，0≤x≤1.0，0≤y≤0.2，0≤z≤0.1，Me为三价金属元素，MaOb为一种或多种氧化物，其中M为+1～+6价且能与氧形成固态氧化物的元素。本发明无铅压电陶瓷制备工艺简单、稳定，性能优良，其压电常数d33可达150pC/N以上，kp可达0.30以上。

公开(公告)号：CN108675786B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201810669000.9

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  曾卫东 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法，材料组成为：Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法，结合热处理技术，生长无铅压电微‑纳米线，长度在3‑8μm，直径为100‑500nm，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN107043253B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201710331201.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷，其特征在于，组成通式：(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV，优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2，绿色环保。

公开(公告)号：CN107032786B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201710330694.9

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  杨玲 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷，其特征在于，组成通式为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN107032785B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201710330701.5

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种可调窄带隙高极性无铅铁电陶瓷，组成通式为：(1‑x)Ba0.9Ca0.1TiO3‑xBaBiO3+0.06Bi2WO6；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.3。这种陶瓷用多步合成方法，结合球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=1.2‑2.2eV，高的稳定性，优良的铁电性能Pmax=21‑35μC/cm2，绿色环保。

公开(公告)号：CN108675786A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810669000.9

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  曾卫东 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62605 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法，材料组成为：Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法，结合热处理技术，生长无铅压电微‑纳米线，长度在3‑8μm，直径为100‑500nm，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN104944952B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201510301633.0

申请日：2015-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。