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公开(公告)号：CN102365589A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080014236.0
申请日：2010-03-17
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 梶山康一
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7055 , G03F7/70358
Abstract: 本发明公开一种曝光方法及曝光装置，其中一边将被曝光体(8)沿箭头A方向输送，一边在对使用光掩模(11)的第一掩模图案组12进行的被曝光体(8)的第一曝光区域(9)的曝光结束时使快门(5)与被曝光体(8)的输送速度同步移动遮断光源光，将被曝光体(8)沿箭头D方向返回被曝光体(8)在快门(5)的移动中移动的距离，同时，移动光掩模(11)，切换为第二掩模图案组(13)，当光掩模(11)的掩模图案组的切换结束时，再次启动被曝光体(8)的向箭头A方向的输送，同时将快门(5)与被曝光体(8)的输送速度同步向箭头B方向移动，解除光源光的遮断，执行对第二曝光区域(10)的曝光。由此，提高对同一被曝光体的多种曝光图案的形成效率。
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公开(公告)号：CN101238416A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028831.3
申请日：2006-07-24
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70258 , G03F9/7003 , G03F9/7088
Abstract: 本发明提供一种曝光装置及被曝光体，承载在设定于表面的图案区域的一个边缘的规定位置形成有对准标记的彩色滤光基板6，并通过输送装置1，以形成有对准标记的一侧为最前侧，输送该彩色滤光基板6，通过拍摄装置3拍摄对准标记和像素，通过控制装置4，根据拍摄装置3所取得的对准标记的检测输出，计算出彩色滤光基板6上的基准位置和预先设定在曝光光学系统2的光掩模17上的基准位置的偏差，并使拍摄装置3和曝光光学系统2一体地在与彩色滤光基板的承载面平行的面内移动，从而修正该偏差，将从曝光光源12发射的曝光用的光经由光掩模17照射到彩色滤光基板6上。
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公开(公告)号：CN101010146A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029322.8
申请日：2005-08-26
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G02F1/133516 , B05C5/02 , B05D1/26 , B05D3/067 , B05D5/005
Abstract: 本发明提供一种滴涂器，具有：将用于修正滤色器基板的缺陷部的彩色紫外线硬化树脂(4)予以收容的容器(1)；安装在该容器(1)的顶端、使所述彩色紫外线硬化树脂(4)排出到所述缺陷部上的排出针(2)；以及将正压赋予所述容器(1)内的彩色紫外线硬化树脂(4)并使该彩色紫外线硬化树脂(4)从所述排出针(2)排出的排出控制装置(3)，所述排出针(2)的结构是，将加热软化后的玻璃管拉长而将针尖形成为比针本体部细的形状。由此，可将排出材料充填在排出对象物的微小缺陷部上，从而修正该缺陷部。
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公开(公告)号：CN112352472A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980042486.6
申请日：2019-05-29
Applicant: 株式会社V技术
Abstract: 提供能够实现电极间隔窄的电子部件的安装的基板安装方法。是向布线基板(4)安装电子部件(3)的方法，包括：在与所述电子部件的触点(5)对应地设置于所述布线基板的电极焊盘(6)上图案形成出导电性的弹性突起部(7)的工序；在所述布线基板上形成由感光性热固化型树脂构成的粘接材料层(10)的工序；对所述粘接材料层加热至第一温度带而使该粘接材料层的粘度降低的工序；在所述粘接材料层的粘度降低的状态下，将所述电子部件定位配置于所述布线基板上之后进行按压，经由导电性的所述弹性突起部将所述电子部件的所述触点与所述布线基板的所述电极焊盘电连接的工序；以及对所述粘接材料层加热至比所述第一温度带高的第二温度带而使该粘接材料层固化，将所述电子部件固定于所述布线基板的工序。
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公开(公告)号：CN111263893A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880069136.4
申请日：2018-10-17
Applicant: 株式会社V技术
Abstract: 本发明是形成于蓝宝石基板(7)的多个LED芯片(6)的检查方法，其进行如下步骤：第1步骤，以使上述蓝宝石基板(7)上的多个上述LED芯片(6)的触点(10)与对应于该触点(10)而设置于检查用配线基板(11)的多个电极焊盘(12)对准的方式，将上述蓝宝石基板(7)定位载置在上述检查用配线基板(11)上；第2步骤，使多个上述LED芯片(6)的上述触点(10)与上述检查用配线基板(11)的多个上述电极焊盘(12)电连接；以及第3步骤，经由上述检查用配线基板(11)向多个上述LED芯片(6)通电，判定该LED芯片(6)合格与否。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102834780B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180017800.9
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , G03F7/22 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2035 , G03F7/70791 , G03F9/00 , G03F9/7003
Abstract: 本发明的曝光方法边使基板沿着一定方向移动，边在所述基板上的图案形成区域经由光掩模而使预先设定的图案依次曝光，其中，执行如下步骤：在所述基板上使所述图案曝光，另一方面，使激光束向与基板移动方向交叉的交叉方向的所述图案形成区域外照射，在所述基板面形成一定形状的伤痕而形成对准标记的步骤；检测所述对准标记相对于在所述基板移动方向后方位置预先设定的基准位置的向与基板移动方向交叉的交叉方向的位置偏移的步骤；使所述基板及所述光掩模相对移动来修正所述位置偏移的步骤；在所述图案的后续位置使下一图案曝光的步骤。由此，在大型的素色的基板上使图案高精度且低成本地曝光。
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公开(公告)号：CN102906635B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180020598.5
申请日：2011-04-15
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G02F1/1337 , G02F1/13
CPC classification number: G03F9/7084 , G02F1/13 , G02F1/1337 , G02F1/133788 , G03F7/7035 , G03F7/70566
Abstract: 本发明提供一种取向处理方法及取向处理装置，其使涂敷了取向膜的基板与具有第一掩模图案组（6A）和第二掩模图案组（6B）的光掩模（7）靠近对置，将该基板（4）在与所述第一及第二掩模图案组（6A）、（6B）交叉的方向上移动，第一掩模图案组（6A）以一定的排列间距形成细长状的多个开口，第二掩模图案组（6B）与该第一掩模图案组（6A）平行地设置且以与所述多个开口的排列间距相同的间距形成细长状的多个开口，对所述光掩模（7）的第一及第二掩模图案组（6A）、（6B）分别照射入射角度（θ）为不同的P偏振光，在所述取向膜上交替地形成取向状态不同的条纹状的第一及第二取向区域。由此，通过一次取向处理来形成取向状态不同的二种条纹状的取向区域并缩短取向处理工序的节拍。
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公开(公告)号：CN105393366A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480028902.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/022408 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种受光元件及其制造方法，其通过解决伴随受限于带隙的材料选择而产生的各种问题，简单地获得对红外线等长波长光具有灵敏度的受光元件。本发明的受光元件(1)具备具有pn接合部(10j)的半导体层(10)、及夹持pn接合部(10j)的一对电极(11、12)，在一对电极(11、12)之间施加正向偏压(V)并照射特定波长的光(L)，由此在pn接合部(10j)附近产生近场光，其中，通过特定波长的光所透射的金属栅网偏光器(Wg)构成一对电极(11、12)的光(L)所照射的一侧的电极(11)。
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公开(公告)号：CN103703408B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201280017146.6
申请日：2012-04-03
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G02B27/0955 , G02B27/48 , G02F1/0311 , G02F1/0322 , G02F1/19 , G02F2202/20
Abstract: 在激光照明装置中，在从光源射出的脉冲激光的光路上配置有蝇眼透镜和聚光透镜，在光源与蝇眼透镜之间，或在蝇眼透镜与聚光透镜之间，配置有电光晶体元件，该电光晶体元件使脉冲激光相对于入射光使其偏转方向连续地变化而进行透射。该电光晶体元件例如由1对电极和配置在该电极之间的光学晶体材料构成，通过在电极之间施加电压而产生电场，从而电晶体元件的折射率变化。由此，能降低蝇眼透镜的透射光的由干涉条纹造成的照明不均匀。
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公开(公告)号：CN102414795B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201080018835.X
申请日：2010-04-28
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社V技术
IPC: H01L21/205 , C23C16/48
CPC classification number: C23C16/481 , C23C14/548 , C23C16/303 , C23C16/52 , C30B25/00 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的沉积方法，其在使三元以上的化合物半导体在基板上沉积时能够以纳米级调整其发射波长。本发明涉及一种使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其中，在使化合物半导体向基板(13)上沉积的同时，对该基板(13)上照射比该化合物半导体所期望的理想的激发能量小的能量的传播光，使在基板(13)上沉积的化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的近场光，化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
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