半导体装置及其制造方法
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1841682A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200610066559.X

    申请日:2006-03-30

    CPC classification number: H01L29/7828

    Abstract: 总的来说,本公开说明在反向偏压状态下表现出增大的电阻和减小的漏电流的半导体装置,还涉及用于制造该半导体装置的方法。例如,在一个实施例中,通过在形成于N-型外延层上的多晶硅层内引入P+或者P-型杂质来获得反向偏压状态下的增大电阻。另外,半导体装置维持正向偏压状态下的低电阻。为保持正向偏压电阻低,栅极附近的多晶硅层可以是N+型。此外,N+型源提取区形成在多晶硅层的表面,以将源极连接到漏极并维持正向偏压时的低电阻。

    电池
    43.
    发明授权
    电池 失效

    公开(公告)号:CN102576850B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201080038918.5

    申请日:2010-07-23

    Abstract: 公开一种具有改善寿命的电池。具体公开的是一种电池,包括电力产生元件(21),所述电力产生元件通过叠置一个或多个单位电池单元层而构成,每个单位电池单元层通过顺序地叠置正电极、电解质和负电极而构成;第一电流收集器板(25),设置在所述电力产生元件(21)的最外正电极的表面上;第二电流收集器板(27),设置在所述电力产生元件(21)的最外负电极的表面上;传导凸起部分(41)或(42),设置在所述第一电流收集器板(25)和/或第二电流收集器板(27)上,宽度不小于收集器板(25)或(27)的端部边缘的宽度的一半;以及端子(44)或(45),装配至所述凸起部分(41)或(42),从所述凸起部分(41)或(42)取出的电流。

    半导体装置和制造该半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN101083280B

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN200610083496.9

    申请日:2006-06-01

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括:第一导电类型的半导体基底;以及开关机构,其形成在所述半导体基底的第一主表面上,并切换电流的导通/关断。在半导体基底中,多个柱形异质半导体区间隔开地形成在半导体基底内,该异质半导体区由具有带隙与半导体基底的带隙不同的半导体材料制成,并在第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面之间延伸。

    半导体装置及其制造方法
    49.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101064344B

    公开(公告)日:2010-04-21

    申请号:CN200710097691.1

    申请日:2007-04-28

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置设置有:预定导电类型的半导体衬底;异质半导体区,其与半导体衬底的第一主表面接触,该异质半导体区包括能带隙与半导体衬底的能带隙不同的半导体材料;栅极,在与异质半导体区和半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成栅极;源极,其连接到异质半导体区;以及漏极,其连接到半导体衬底,其中,异质半导体区包括与源极接触的接触部分,该接触部分的至少一部分区域的导电类型与半导体衬底的导电类型相同,该一部分区域的杂质浓度高于异质半导体区中被布置为通过栅绝缘层面对栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度。

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