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公开(公告)号：CN116569249A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180081311.3
申请日：2021-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G5/36
Abstract: 提供一种新颖结构的显示装置、新颖结构的显示系统或者它们的工作方法。一种包括第一显示装置及第二显示装置的显示系统的工作方法，包括如下步骤：以无线通信连接第一显示装置与第二显示装置的第一步骤；将显示在第一显示装置上的第一图像数据发送到第二显示装置的第二步骤；在第二显示装置上显示加工第一图像数据的至少一部分的第二图像数据的第三步骤；停止第一显示装置的显示的第四步骤；以及根据对第二显示装置进行的操作处理第二图像数据的第五步骤。
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公开(公告)号：CN113939223A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080041111.0
申请日：2020-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: A61B5/00 , A61B5/01 , A61B5/0205 , A61B5/145 , A61B5/1455 , A61B5/28 , A61B5/33 , G02B27/02 , G06F3/01
Abstract: 提供一种功耗得到降低的电子设备。提供一种容易实现轻量化及小型化且具有多功能的电子设备。复合装置包括传感器装置和显示装置。传感器装置包括第一通信部和传感器部且能够戴在人体上。显示装置包括显示部、第二通信部以及控制部。第一通信部具有发送包括由传感器部取得的信息的信号的功能。第二通信部具有接收上述信号的功能。控制部具有根据上述信号从休止状态恢复的功能。控制部具有根据上述信息生成第一图像数据并将其输出到显示部的功能，且显示部具有根据第一图像数据显示图像的功能。
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公开(公告)号：CN111933668A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010806455.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L27/12 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/786 , H05B45/10 , H05B45/30 , G09G3/3233
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是抑制因环境温度变化所引起的流过发光元件的电流的变动而产生的亮度不均匀。利用监控电路控制流过像素部所包括的第一发光元件的电流。监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路。第二发光元件的阳极与晶体管的源极连接。第二发光元件的阴极与电阻器及放大电路的第一输入端子连接。放大电路的第二输入端子与第二电源线连接。放大电路的输出端子与晶体管的栅极连接。晶体管的漏极与第三电源线连接。晶体管和电阻器都包括氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN104934447B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201510373064.0
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
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公开(公告)号：CN104934447A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510373064.0
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/133528 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/133357 , G02F2201/123 , G11C19/28 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101997036B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201010248811.5
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/133528 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/133357 , G02F2201/123 , G11C19/28 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
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公开(公告)号：CN104538355A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510004825.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/477 , G02F1/133345 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1259 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L21/77 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：在绝缘层之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；形成与所述氧化物半导体层的一部分接触且在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层之上的氧化物绝缘层；以及通过加热所述氧化物绝缘层来在所述氧化物半导体层中形成i型区。其中，所述i型区至少形成在第一n型区和第二n型区之间，所述第一n型区与所述源电极层接触，以及所述第二n型区与所述漏电极层接触。
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公开(公告)号：CN102473729B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080030336.2
申请日：2010-06-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02502 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L21/28008 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开制造具有作为通道形成区域的氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。所述方法包括：在栅绝缘层上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层以便暴露所述氧化物半导体层的至少一部分；和在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘膜。在形成所述氧化物绝缘膜之前可在等离子体存在下使所述氧化物半导体的暴露部分暴露于含有氧气的气体中。所述方法允许氧扩散到所述氧化物半导体层中，这促进所述薄膜晶体管的优异特性。
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公开(公告)号：CN103500700A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310357304.9
申请日：2009-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L23/60 , H01L27/13 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。
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公开(公告)号：CN102473729A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080030336.2
申请日：2010-06-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02502 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L21/28008 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开制造具有作为通道形成区域的氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。所述方法包括：在栅绝缘层上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层以便暴露所述氧化物半导体层的至少一部分；和在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘膜。在形成所述氧化物绝缘膜之前可在等离子体存在下使所述氧化物半导体的暴露部分暴露于含有氧气的气体中。所述方法允许氧扩散到所述氧化物半导体层中，这促进所述薄膜晶体管的优异特性。
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