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公开(公告)号：CN109037062A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810688668.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L35/28 , H01L35/32
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L35/28 , H01L35/325
Abstract: 本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑V HEMT器件，包括源极、栅极、漏极、第一半导层、第二半导体层、第一金属层、N型热电材料、P型热电材料、第二金属层、第三金属层、电绝缘的热良导体散热层、电阻和二极管；而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。
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公开(公告)号：CN110008489B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811405567.1
申请日：2018-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学 , 中国电子科技集团公司信息科学研究院
IPC: G06F30/398 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种THz频段InP DHBT器件在片测试结构建模方法，模型拓扑结构基于测试物理结构建立，并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑。模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术，从开路结构低频测试数据中获取。模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值，并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正，使其适用于实际测试结构建模。
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公开(公告)号：CN111945137B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202010675801.3
申请日：2020-07-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，包括微波发生单元；圆柱形上腔体，内部设置抛物面顶；抛物面顶构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；抛物面顶内顶部设置可调反射部，可调反射部能够上下调节；圆柱形上腔体具有进气口；圆柱形上腔体内具有微波通道，用于将微波导入抛物面顶内，微波通道的微波输入口连接微波发生单元；圆柱形下腔体，底部设置圆柱形下反射体，圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台，可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片；圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置，强化了微波谐振腔的调谐手段，可以实时优化等离子体的分布，实现高质量和高效率的金刚石膜制备。
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公开(公告)号：CN112410751B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011189925.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置，谐振腔体为卵圆形，波导和短路活塞设置在谐振腔体的顶部，同轴天线贯穿波导和谐振腔体的顶端，通过同轴天线将微波能量耦合进谐振腔体，同轴天线可上下移动；边缘沉积台设置在谐振腔体的中下部，可上下移动，中心沉积台设置在边缘沉积台的中间，可上下移动；石英钟罩设置在边缘沉积台，罩在中心沉积台上；进气管穿过谐振腔体的侧面和石英钟罩的顶部将气体送入石英钟罩；出气口设置在边缘沉积台，在中心沉积台的旁边。本发明有效解决了现有技术中存在的微波输入功率较低、缺少完善的调节措施、部件距离等离子体太近等问题。
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公开(公告)号：CN111945137A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010675801.3
申请日：2020-07-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，包括微波发生单元；圆柱形上腔体，内部设置抛物面顶；抛物面顶构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；抛物面顶内顶部设置可调反射部，可调反射部能够上下调节；圆柱形上腔体具有进气口；圆柱形上腔体内具有微波通道，用于将微波导入抛物面顶内，微波通道的微波输入口连接微波发生单元；圆柱形下腔体，底部设置圆柱形下反射体，圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台，可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片；圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置，强化了微波谐振腔的调谐手段，可以实时优化等离子体的分布，实现高质量和高效率的金刚石膜制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110008489A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811405567.1
申请日：2018-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学 , 中国电子科技集团公司信息科学研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种THz频段InP DHBT器件在片测试结构建模方法，模型拓扑结构基于测试物理结构建立，并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑。模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术，从开路结构低频测试数据中获取。模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值，并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正，使其适用于实际测试结构建模。
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公开(公告)号：CN119747649A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411909401.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒/树枝状氧化亚铜复合颗粒的合成方法，先用CTAB对金纳米棒进行修饰。随后将金纳米棒溶液和硝酸铜溶液混合后在搅拌中注射水合肼，最后在搅拌中还原硝酸铜合成了具有树枝状结构的金纳米棒/树枝状氧化亚铜复合纳米颗粒。这种复合颗粒的成功合成主要依靠控制水合肼的注射速度以及CTAB的浓度，树枝状氧化亚铜形貌可以通过改变硝酸铜的量来精确控制。本发明得到的金纳米棒/树枝状氧化亚铜复合颗粒可用于光催化，能够有效提高污染物光降解的速率，在光催化方面具有较好的应用前景。本发明合成的金纳米棒/树枝状氧化亚铜复合颗粒形貌新颖，重复性高，制备简单且制备时间短。
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公开(公告)号：CN119411106A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411361219.4
申请日：2024-09-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种X型谐振腔Y型环形天线式微波等离子体装置及设计方法，装置中波导传输部的Y型环形天线为倒Y状，矩形波导和短路活塞均设置在Y型环形天线的上部，微波经矩形波导进入Y型环形天线，短路活塞调节电场反射和馈入谐振部的微波能量，石英环设置在Y型环形天线与谐振部之间，增加微波耦合效率；谐振部的X型腔体内的顶部设置顶部挖槽，X型腔体内底部中央设置沉积台；水冷部的进水口、出水口和管道，均设置在沉积台下方，水经进水口进入管道，流经管道后经出水口流出。本发明具有沉积金刚石薄膜尺寸大，沉积速率高，耦合功率高等的特点。
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公开(公告)号：CN119121196A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411089777.X
申请日：2024-08-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C4/12 , C23C16/27 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种新型结构反抛腔式微波等离子谐振腔装置，顶盖、抛腔和中圆柱体由上至下依次设置，进气口设置在顶盖处，出气口设置在中圆柱体的外侧壁，测温孔设置在抛腔处，观察窗设置在中圆柱体的外侧壁；所述下圆柱体设置在谐振腔体下方，其内部设置环形天线；所述同轴波导转换器与下圆柱体连接，为微波的传输路径；所述沉积部设置在谐振腔体内的底部；所述石英部设置在同轴波导转换器与下圆柱体之间，对谐振腔体进行真空防护。本发明可在较高的微波输入功率条件下(6kw)工作，能够处理更高的功率水平，实现更高效的金刚石膜沉积过程，产生更密集、更均匀的等离子体，进而促进金刚石膜的生长。
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公开(公告)号：CN119020759A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410987479.6
申请日：2024-07-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种TM032模式多圆盘天线微波等离子装置，至少包括：微波传输部，用于产生并传输微波；耦合天线，用于将微波耦合至谐振腔；其中，所述耦合天线采用的圆盘式耦合天线，能够通过调节圆盘间距和半径以适应不同模式的谐振腔；谐振腔，采用的多模谐振方式TM032，其中，圆柱形谐振腔分为上腔体、中腔体和下腔体，上腔体中设置耦合天线，中腔体与圆柱形谐振腔一致，用于提供稳定的谐振模式，下腔体中设有气体反应室，反应室中设置沉积台，沉积台的高度可调节，通过电磁仿真软件参数化扫描改变下腔体的尺寸以及沉积台的半径，调节等离子体的位置分部；石英罩，石英罩用于隔离反应室和微波传输部；冷却系统，用于冷却反应室。
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