公开(公告)号：CN101573804A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780047412.9

申请日：2007-12-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的是提供发光输出功率高、且驱动电压低的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，在基板上依次具有由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在该n型半导体层和该p型半导体层上分别设置负极和正极，该正极由具有导电性和透光性的氧化物材料形成，该发光元件的特征在于，在该p型半导体层与该正极之间存在含有具有Ga－O键和/或N－O键的化合物的层。

公开(公告)号：CN101506946A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780030345.X

申请日：2007-08-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  塙健三 ,  佐佐木保正

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、III族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为III族元素的Ga的III族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的制造方法，在将所述基板(11)和溅射靶对向地配置的同时，使基板(11)与溅射靶的间隔为20～100mm的范围。另外，在采用溅射法形成半导体层时，施加于基板(11)的偏压值为0.1W/cm2以上。而且，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮和氩从而进行溅射。

公开(公告)号：CN100470857C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200580011658.1

申请日：2005-03-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  友泽秀喜 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/32341 ,  Y02E10/544

Abstract: 一种氮化镓基半导体器件具有p型层，所述p型层是包含p型杂质并呈现p型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述p型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述p型杂质元素和与之结合的氢。

公开(公告)号：CN101040368A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200580034835.8

申请日：2005-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  三木久幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种制造III族氮化物半导体的方法，包括以下步骤：在反应容器中安装衬底；在所述衬底上形成III族氮化物半导体；使固体氮化合物存在于所述反应容器中作为III族氮化物半导体的氮源；以及向所述反应容器中供给作为III族元素的源的原材料气体，从而制造所述III族氮化物半导体。

公开(公告)号：CN1918717A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004358.0

申请日：2005-02-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  武田仁志 ,  三木久幸 ,  桜井哲朗

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、发光层和p型层，所述发光层具有其中阱层和势垒层重复地交替层叠的多量子阱结构，所述发光层被夹在所述n型层和所述p型层之间，其中所述阱层包括厚部分和薄部分，以及所述势垒层包含掺杂剂。

公开(公告)号：CN1914743A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003365.9

申请日：2005-01-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  樱井哲朗 ,  武田仁志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。

公开(公告)号：CN1639393A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805078.1

申请日：2003-02-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  樱井哲朗 ,  奥山峰夫

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括以0至1,000的V/III比提供III族原材料和V族原材料以在热衬底上形成并生长III族氮化物半导体的第一步骤，以及使用III族原材料和氮原材料在衬底上气相生长III族氮化物半导体晶体的第二步骤。

公开(公告)号：CN1618116A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN01802460.2

申请日：2001-08-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 浦岛泰人 ,  奥山峰夫 ,  桜井哲朗 ,  三木久幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。