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公开(公告)号：CN101066560A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710109140.2
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供(1)一种用于电容器的铌粉，其振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒度为10～1000微米，休止角为10°～60°，BET比表面积为0.5～40m2/g并且在孔径分布中有多个孔径峰值，及其制备方法；(2)一种铌烧结体，其通过烧结上述铌粉而获得，其在0.01～500微米范围内有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值中具有最高相对强度的两个峰值分别在0.2～0.7微米范围内和0.7～3微米范围内，及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；和(4)使用上述电容器的电子电路和电子器件。
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公开(公告)号：CN1820334A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480019757.X
申请日：2004-07-09
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0029 , H01G9/04 , H01G9/15 , Y10T29/417
Abstract: 本发明提供了一种电容器制造方法，其中具有在其上形成的介电层的电导体用作一个电极，通过通电，包括通过恒定电流二极管进行的通电，形成将作为另一个电极的半导体层，并且提供了一种用于制造电容器的夹具，用于在两个或多个各具有在其表面上形成的介电层的电导体上通过通电形成半导体层，根据所述电导体的数量，所述夹具包括两个或多个电流注入型恒定电流源，所述电流注入型恒定电流源各具有与用于所述电导体的连接接线端串联电连接的输出。利用本发明的所述夹具，能够制造电容变化小的包括作为一个电极的半导体的电容器。
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公开(公告)号：CN1757083A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480005835.0
申请日：2004-03-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01G9/08
Abstract: 一种具有低ESR和小初始失效率的片式固体电解电容器，包含多个固体电解电容器元件，每个元件通过将绝缘氧化物膜层、半导体层和导电层以此顺序堆叠以在除其一端的阳极部分之外的阳极基底表面上形成阴极部分制得，阳极基底包含起阀作用的金属或导电氧化物的烧结体或者包含与金属导线连接的烧结体，该电容器是这样一种片式固体电解电容器：其通过将多个电解电容器元件水平平行无间隔地放置在引线框的一对相对设置的终端部分上，从而阳极部分和阴极部分能够与引线框接触，连接每个元件，并用树脂模制其整体但将引线框的外部接线部分留在外面而获得，其中一块烧结体除阳极部分之外的体积与片体积的之比为0.042－0.110；以及使用该片式固体电解电容器的电子仪器。
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公开(公告)号：CN1549284A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN200310116126.7
申请日：2000-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 内藤一美
CPC classification number: C22C1/045 , B22F2998/00 , C04B35/6262 , C04B35/6264 , C04B2235/5292 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C04B2235/788 , C04B2235/9623 , C22C32/00 , H01G9/042 , H01G9/052 , H01G9/0525 , B22F9/023 , B22F9/20
Abstract: 本发明涉及含有一氧化铌结晶及/或一氮化二铌结晶的铌烧结体，以及使用了前述烧结体的电容器及其制作方法。使用了前述铌烧结体的电容器的单位质量的容量较大，且相对漏电特性和高温特性良好。
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公开(公告)号：CN1486498A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN02803672.7
申请日：2002-10-01
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , B22F1/0088 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , C22C1/045 , B22F2207/01 , B22F2201/02
Abstract: 本发明涉及一种将从铌粒子的表面至深度50～200nm的层的平均氮浓度控制为0.29～4质量％、进一步优选至深度50nm的层的氮浓度控制为0.19～1质量％的，可提供泄漏电流值小的电容器用铌粉、铌烧结体、铌烧结体的化学改性体以及使用它们的电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1478287A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN01819611.X
申请日：2001-11-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01G9/052
CPC classification number: C22C1/045 , B22F2998/00 , B22F1/0096
Abstract: 一种用于电容器的粉末，含有0.01－15原子％锆且主要包含平均粒径为0.2－05μm的铌和/或钽；它们的烧结体；一种由作为一侧电极的该烧结体、在该烧结体表面形成的介电材料、以及在介电材料上提供的另一侧电极制造的电容器。由本发明用于电容器的粉末烧结体制造的电容器具有大单位质量电容和良好的电流泄漏特性。
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公开(公告)号：CN1471717A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN01818013.2
申请日：2001-10-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , B22F1/0048 , B22F2998/00 , C22C1/045 , C22C32/0068 , B22F1/0096
Abstract: 平均粒径为0.01－0.5μm、平均圆度为0.8或更高的铌初始粉，圆度用4πA/L2定义(其中A为在平面上的实心投影面积，L为投影图的外周边长度)；平均粒径为0.03－20μm的铌一次聚结粉，它是铌初始粉的聚结；平均粒径为50－150μm的铌二次聚结粉，它通过粒化一次聚结粉获得；铌一次聚结粉或铌二次聚结粉的烧结体；以及使用这种烧结体的电容器。通过采用铌一次聚结粉或铌二次聚结粉的烧结体，可制造具有大的单位体积电容和良好的耐电压特性的电容器。
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公开(公告)号：CN1446364A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN01813975.2
申请日：2001-08-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 含有选自铬、钼、钨、硼、铝、镓、铟、铊、铈、钕、钛、铼、钌、铑、钯、银、锌、硅、锗、锡、磷、砷、铋、铷、铯、镁、锶、钡、钪、钇、镧、镨、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、铪、钒、锇、铱、铂、金、镉、汞、铅、硒和碲中的至少一种元素的铌粉、该铌粉的烧结体、以及该烧结体作为一电极，和在上述烧结体表面形成的电介质，和设在上述电介质上的另一电极构成的电容器。
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公开(公告)号：CN1294747A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN00800153.7
申请日：2000-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 内藤一美
IPC: H01G9/042
CPC classification number: C22C1/045 , B22F2998/00 , C04B35/6262 , C04B35/6264 , C04B2235/5292 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C04B2235/788 , C04B2235/9623 , C22C32/00 , H01G9/042 , H01G9/052 , H01G9/0525 , B22F9/023 , B22F9/20
Abstract: 本发明涉及铁、镍、钴、硅、钠、钾和镁的含量都在100质量ppm以下,或前述元素的含量总和在350质量ppm以下的电容器用铌粉,其烧结体,含有一氧化铌结晶及/或一氮化二铌结晶的铌烧结体,以及使用了前述烧结体的电容器及其制作方法。使用了前述铌烧结体的电容器的单位质量的容量较大,且相对漏电特性和高温特性良好。
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公开(公告)号：CN87103539A
公开(公告)日：1987-12-02
申请号：CN87103539
申请日：1987-05-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/151
Abstract: 一种固体电解质电容器，有许多电子管金属经腐蚀表面有氧化膜层的重叠薄片，电连接正电极终端，氧化膜层上形成半导体层，半导体层上形成导电层，导电层上形成负电极对每个薄片共用。另一种极型固体电解质电容器，其中第一种薄片连接负电极终端，将第二种薄片连接正电极终端，两种薄片交错重叠，其上，形成半导体层。此外，还有一种双极型固体电解质电容器。
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