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公开(公告)号：CN1526028B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN02801689.0
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供：(1)一种用于电容器的铌粉，其振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒度为10～1000微米，休止角为10°～60°，BET比表面积为0.5～40m2/g并且在孔径分布中有多个孔径峰值，及其制备方法；(2)一种铌烧结体，其通过烧结上述铌粉而获得，其在0.01～500微米范围内有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值中具有最高相对强度的两个峰值分别在0.2～0.7微米范围内和0.7～3微米范围内，及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；和(4)使用上述电容器的电子电路和电子器件。
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公开(公告)号：CN110121757A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201780081160.5
申请日：2017-09-29
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及在具有微细孔的阀金属表面形成电介质被膜，在上述电介质被膜上形成包含导电性高分子的固体电解质层的固体电解电容器的制造方法，是在不使用氧化剂的情况下，通过下述方法形成上述包含导电性高分子的固体电解质层的方法：(i)使说明书所公开的通式(1)所示的化合物(A1)的至少1种在具有磺基的化合物(B)存在下聚合的方法，(ii)使通式(2)所示的化合物(A2)的至少1种聚合的方法，和(iii)使通式(1)所示的化合物(A1)的至少1种与通式(2)所示的化合物(A2)的至少1种共聚的方法。根据本发明，在具有微细孔的阀金属表面的电介质被膜上，能够不采用复杂的聚合工序、成膜工序和精制工序而简易地形成包含导电性高分子的固体电解质膜，能够制造低ESR、高容量达到率、低漏电流特性优异的固体电解电容器。
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公开(公告)号：CN100383900C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN02801681.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供(1)由式：NbOx(x＝0.8～1.2)表示，并可含有50～200，000ppm的其他元素，振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒径为10～1000μm，休止角为10～60度，BET比表面积为0.5～40m2/g，孔径分布具有多个孔径峰值的电容器用一氧化铌粉及其制造方法；(2)烧结上述一氧化铌粉得到的，在0.01μm～500μm范围内具有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值内，相对强度最大的两个峰的峰值分别处于0.2～0.7μm及0.7～3μm范围，相对强度最大的峰的峰值比相对强度其次大的峰的峰值处于大直径侧的一氧化铌粉及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；(4)使用上述电容器的电子电路及电子仪器。
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公开(公告)号：CN110121757B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201780081160.5
申请日：2017-09-29
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及在具有微细孔的阀金属表面形成电介质被膜，在上述电介质被膜上形成包含导电性高分子的固体电解质层的固体电解电容器的制造方法，是在不使用氧化剂的情况下，通过下述方法形成上述包含导电性高分子的固体电解质层的方法：(i)使说明书所公开的通式(1)所示的化合物(A1)的至少1种在具有磺基的化合物(B)存在下聚合的方法，(ii)使通式(2)所示的化合物(A2)的至少1种聚合的方法，和(iii)使通式(1)所示的化合物(A1)的至少1种与通式(2)所示的化合物(A2)的至少1种共聚的方法。根据本发明，在具有微细孔的阀金属表面的电介质被膜上，能够不采用复杂的聚合工序、成膜工序和精制工序而简易地形成包含导电性高分子的固体电解质膜，能够制造低ESR、高容量达到率、低漏电流特性优异的固体电解电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101066560A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710109140.2
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供(1)一种用于电容器的铌粉，其振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒度为10～1000微米，休止角为10°～60°，BET比表面积为0.5～40m2/g并且在孔径分布中有多个孔径峰值，及其制备方法；(2)一种铌烧结体，其通过烧结上述铌粉而获得，其在0.01～500微米范围内有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值中具有最高相对强度的两个峰值分别在0.2～0.7微米范围内和0.7～3微米范围内，及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；和(4)使用上述电容器的电子电路和电子器件。
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公开(公告)号：CN105612013A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480055403.4
申请日：2014-10-07
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , B22F1/0085 , B22F1/0096 , B22F9/04 , B22F9/20 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , B22F2302/25 , B22F2304/058 , C22C27/02 , H01G9/052
Abstract: 本发明提供一种铌造粒粉末的制造方法，其特征在于，包括：采用机械合金化法将氢化铌和金属氧化物混合，形成机械性合金的工序；将所述机械性合金粉碎的工序；和通过热处理使被粉碎了的机械性合金凝聚而形成造粒物的工序。将采用本发明的方法得到的铌造粒粉末的烧结体作为阳极体的电容器，可通过防止电介质膜的过度形成而增大电容器容量。
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公开(公告)号：CN101066560B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200710109140.2
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供(1)一种用于电容器的铌粉，其振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒度为10～1000微米，休止角为10°～60°，BET比表面积为0.5～40m2/g并且在孔径分布中有多个孔径峰值，及其制备方法；(2)一种铌烧结体，其通过烧结上述铌粉而获得，其在0.01～500微米范围内有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值中具有最高相对强度的两个峰值分别在0.2～0.7微米范围内和0.7～3微米范围内，及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；和(4)使用上述电容器的电子电路和电子器件。
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公开(公告)号：CN1463456A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02801681.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供(1)由式：NbOx(x＝0.8～1.2)表示，并可含有50～200,000ppm的其他元素，振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒径为10～1000μm，休止角为10～60度，BET比表面积为0.5～40m2/g，孔径分布具有多个孔径峰值的电容器用一氧化铌粉及其制造方法；(2)烧结上述一氧化铌粉得到的，在0.01μm～500μm范围内具有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值内，相对强度最大的两个峰的峰值分别处于0.2～0.7μm及0.7～3μm范围，相对强度最大的峰的峰值比相对强度其次大的峰的峰值处于大直径侧的一氧化铌粉及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；(4)使用上述电容器的电子电路及电子仪器。
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