公开(公告)号：CN116057104A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180057971.8

申请日：2021-08-03

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  中岛诚 ,  西卷裕和

IPC: C08G61/00

Abstract: 提供应对可以获得显示高的纯水接触角，对上层膜的密合性高，不易剥离的疏水性的下层膜，且涂布性良好这样的要求，并且，能够发挥对抗蚀剂下层膜所使用的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：溶剂；以及包含下述式(1)、和/或下述式(2)所示的单元结构(A)的聚合物。(式中，Ar1和Ar2各自表示苯环、或萘环，Ar3表示可以包含氮原子的碳原子数6～60的芳香族化合物，R1、和R2各自为取代Ar1、和Ar2的环上的氢原子的基团，R3、和R8选自碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合，R4、和R6选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，R5、和R7选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数，n3为1以上，并且为能够在Ar3上进行取代的取代基数以下的整数，n4为0或1，在n4为0时，R8与Ar3所包含的氮原子结合。)

公开(公告)号：CN115943348A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180043357.6

申请日：2021-06-17

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/04 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供抗蚀剂下层膜形成用组合物，该组合能够形成显示出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对于所谓的高低差基板也具有良好的被覆性、埋入后的膜厚差小、并且平坦的膜。此外，还提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含碳原子数为6～120的芳香族化合物(A)与下述式(1)表示的化合物的反应产物、和溶剂。式(1)中，Z表示‑(C＝O)‑或‑C(‑OH)‑，Ar1和Ar2各自独立地表示可以被取代的苯基、萘基、蒽基或芘基，环Y表示可以被取代的脂肪族环、可以被取代的芳香族环、或可以被取代的脂肪族环和芳香族环的稠环。

公开(公告)号：CN108780279B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201780015881.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  田村护 ,  坂本力丸 ,  德永光

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1‑1)～式(1‑5)中的至少一种、或是式(1‑6)与式(1‑7)或式(1‑8)的组合，部分结构(II)为下述式(2‑1)或式(2‑2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。

公开(公告)号：CN114127202A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080051887.0

申请日：2020-06-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 服部隼人 ,  德永光 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: C09D7/63 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  C08F20/26

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的覆膜的高低差基板被覆用组合物。解决该课题的手段是一种高低差基板被覆用组合物，其是包含主剂化合物(A)和溶剂的高低差基板被覆用组合物，该组合物可通过光照或加热而固化，所述化合物(A)是包含由下述式(A‑1)、式(A‑2)或式(A‑3)表示的局部结构的化合物，式(A‑1)和式(A‑2)中，虚线表示与芳香环的键接，芳香环是构成聚合物骨架的芳香环或构成单体的芳香环，n表示1或2的整数。式(A‑3)中，点划线表示与构成聚合物骨架的链状碳链、脂环式碳环或芳香环的键接，Q表示单键、或者含有醚键、酯键、氨基甲酸酯键、碳原子数1～3的亚烷基键或酰胺键的有机基团，m表示1；但是，式(A‑3)中不包含式(A‑1)。

公开(公告)号：CN113574044A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080020807.5

申请日：2020-03-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  中岛诚

IPC: C07C43/23 ,  C07C69/767 ,  C08G8/20 ,  C08G59/04 ,  C08L101/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 提供一种组合物，是用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、蚀刻速率高的抗蚀剂下层膜的组合物，其对高低差基板的埋入性和平坦化性优异。包含(A)下述式(I)所示的交联性化合物、和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。[在式(I)中，m为1～30的整数，T为单键、饱和烃基、芳香族基、或不饱和环状烃基，G1、G2、G3、G4、G5和G6各自独立地为(i)或(ii)，n各自独立地为1～8的整数，n个R各自独立地为氢原子、脂肪族烃基、或脂环式烃基，A各自独立地为可以被亚烷基中断的芳基，Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6各自独立地表示烷基、芳基、羟基、环氧基或氢原子。]

公开(公告)号：CN112236720A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980034895.1

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

公开(公告)号：CN111095107A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059291.8

申请日：2018-09-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/28 ,  C09D163/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种高低差基板被覆组合物，是包含下述主剂和溶剂且能够通过光照射而固化的组合物、或能够通过在光照射过程中或者在光照射后在30℃～300℃下加热而固化的高低差基板被覆组合物，上述主剂包含下述化合物(A)、化合物(B)、或它们的混合物，化合物(A)为包含下述式(A-1)或式(A-2)的结构部分的化合物，化合物(B)为包含选自下述式(B-1)～式(B-5)所示的结构部分中的至少一个结构部分，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-7)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-8)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，该组合物的固体成分中上述主剂的含量为95质量％～100质量％。

公开(公告)号：CN110546570A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027112.2

申请日：2018-04-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/12 ,  H01L21/027

Abstract: 提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含下述式(1)[在式(1)中，AA表示单键或双键，X1表示-N(R1)-，X2表示-N(R2)-，X3表示-CH(R3)-，X4表示-CH(R4)-等，R1、R2、R3和R4表示氢原子、C1～20的直链状、支链状或环状的烷基等，R5、R6、R9和R10表示氢原子、羟基、烷基等，R7和R8表示苯环或萘环，n和o为0或1。]所示的化合物或由式(1)所示的化合物衍生的聚合物。将该组合物涂布在半导体基板上进行烧成而形成抗蚀剂下层膜，在其上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过照射光或电子束、以及显影而形成抗蚀剂图案，通过抗蚀剂图案对下层膜进行蚀刻，通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工而制造半导体装置。

公开(公告)号：CN110462520A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880022769.X

申请日：2018-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08F290/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供对图案的填充性高，在基板上形成具有能够通过光固化而形成涂膜的平坦化性的被膜、且在光照射后耐热性高的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种光固化性高低差基板被覆组合物，其包含聚合物，上述聚合物包含式(1)所示的单元结构。〔在式(1)中，A1、A2和A3各自独立地表示可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环或表示含有可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环的烃基，B1、B2和B3各自独立地表示式(2)。(在式(2)中，R1表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数1～10的亚烯基、碳原子数1～10的亚炔基、碳原子数6～40的亚芳基、氧原子、羰基、硫原子、-C(O)-O-、-C(O)-NRa-、-NRb-或由它们的组合构成的基团，R2表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基。〕

公开(公告)号：CN108780279A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780015881.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  田村护 ,  坂本力丸 ,  德永光

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1-1)～式(1-5)中的至少一种、或是式(1-6)与式(1-7)或式(1-8)的组合，部分结构(II)为下述式(2-1)或式(2-2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。