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公开(公告)号：CN108603287A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680080897.0
申请日：2016-12-21
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了用于在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物及其使用方法。在一个方面，使用具有本文所述式I或II的化合物沉积含硅膜。
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公开(公告)号：CN108395450A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810128979.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
CPC classification number: C08G77/26 , C08G77/06 , C08G2390/40 , C23C16/45527
Abstract: 本文公开了具有至少两个硅原子和两个氧原子以及有机氨基基团的氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷以及用于制备所述低聚硅氧烷的方法。本文还公开了使用所述有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
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公开(公告)号：CN103450242B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310220939.4
申请日：2013-06-03
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
CPC classification number: H01L21/02211 , C01B21/0682 , C01B21/0828 , C01B33/021 , C01B33/126 , C01P2002/02 , C07F7/025 , C07F7/10 , C09D1/00 , C09D7/20 , C23C16/18 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , C23C16/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10T428/13
Abstract: 本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供式I的前体：其中R1选自直链或支链C3‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C1‑C6二烷基氨基、吸电子基团和C6‑C10芳基；R2选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C6烯基、直链或支链C3‑C6炔基、C1‑C6二烷基氨基、C6‑C10芳基、直链或支链C1‑C6氟化烷基、吸电子基团和C4‑C10芳基；任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；且n＝1或2。
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公开(公告)号：CN116813661A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310767408.0
申请日：2019-04-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C07F7/21 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本文公开了有机氨基官能化环状低聚硅氧烷，其具有至少两个硅和两个氧原子以及有机氨基，且公开了用于制备所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116490640A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079509.8
申请日：2021-10-20
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向所述反应室中引入包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物；以及向所述反应室中包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物施加能量以诱导所述包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物的反应，从而在所述衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有～2.50至～3.30的介电常数，～6至～35GPa的弹性模量和所测量的～10至～40的原子％碳。
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公开(公告)号：CN110952074B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201911296690.9
申请日：2019-08-09
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 提供了一种用于制备介电膜的组合物和化学气相沉积方法。包含所述组合物的气体试剂引入到其中提供有衬底的反应室中。该气体试剂包含硅前体，所述硅前体包括根据本文定义的式I的硅化合物。在所述反应室中向所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应且由此在所述衬底上沉积膜。如此沉积的膜适合其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加任选的额外固化步骤。还公开了制备所述组合物的方法。
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公开(公告)号：CN111295465B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201880071503.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法，所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器：
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公开(公告)号：CN114867888A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080090123.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/04 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种用于将膜沉积到衬底的表面特征中的原子层沉积方法。所述方法可以包括将具有表面特征的衬底放置到反应器中的步骤。有机钝化剂可引入所述反应器中，其可与表面特征内的一部分暴露的羟基反应。随后，可以吹扫未反应的有机钝化剂，并且然后可以引入前体。前体可与未与有机钝化剂相互作用的剩余的暴露羟基反应。随后，可以吹扫未反应的前体，并且可以将氧源或氮源引入所述反应器中以在表面特征内形成膜。
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公开(公告)号：CN114318291A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111612772.7
申请日：2018-02-08
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文公开了具有至少两个硅原子和两个氧原子以及有机氨基基团的氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷以及用于制备所述低聚硅氧烷的方法。本文还公开了使用所述有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
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