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公开(公告)号：CN115516129A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180032535.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机氧化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向所述反应室中引入包含氢化二甲基烷氧基硅烷的气态组合物；以及在所述反应室中向包含氢化二甲基烷氧基硅烷的所述气态组合物施加能量以诱导包含氢化二甲基烷氧基硅烷的所述气态组合物的反应，从而在所述衬底上沉积有机氧化硅膜，其中所述有机氧化硅膜具有约2.70至约3.50的介电常数、约6至约36GPa的弹性模量，以及由XPS测得的约10至约36的原子％碳。
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公开(公告)号：CN114174555A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080053340.4
申请日：2020-07-24
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述了用于在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如但不限于碳化硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物和使用该组合物的方法。在一个方面，使用包含C‑C双键或C‑C三键的至少一种第一化合物的共沉积来沉积所述含硅膜。
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公开(公告)号：CN114174553A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080052280.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/448
Abstract: 组合物和使用该组合物的方法用于在具有表面特征的衬底的至少表面上形成含硅膜，例如但不限于碳化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。含硅膜使用含有至少一个Si‑H键的烷基氢化硅烷化合物沉积。
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公开(公告)号：CN113373428A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110661668.0
申请日：2015-10-23
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了组合物和使用所述组合物在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的方法。在一个方面，所述组合物包含选自硅氧烷、基于三甲硅烷基胺的化合物、有机氨基乙硅烷化合物和环状三硅氮烷化合物的至少一种化合物。
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公开(公告)号：CN109722648B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201811269437.X
申请日：2018-10-29
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 用于通过化学气相沉积制备多孔低k介电膜的方法和组合物，该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向所述反应室中引入包含至少一种结构形成前体的气体试剂，所述结构形成前体包含硅杂环状化合物，且有或没有致孔剂；向所述反应室中的所述气体试剂施加能量以引发所述气体试剂的反应而在所述衬底上沉积预备膜，其中所述预备膜包含所述致孔剂，并且所述预备膜被沉积；和从所述预备膜中除去至少一部分其中所包含的所述致孔剂，并为所述膜提供孔隙和3.0或更小的介电常数。在某些实施方式中，结构形成前体还包含硬化添加剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116157552A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180053299.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 公开了可用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将低介电常数(低k)绝缘材料沉积到半导体器件的高纵横比间隙、沟槽、通孔和其它表面特征中的组合物。所述组合物可包含衍生自三甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷或五甲基环五硅氧烷的烷氧基官能化的环硅氧烷。烷氧基官能化可包含1至10个碳原子。还公开了通过PECVD工艺沉积烷氧基官能化的环硅氧烷组合物的方法。最后，公开了在衬底上的包含可流动液体或低聚物的膜，其包含低聚或多聚的烷氧基官能化的环硅氧烷组合物。
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公开(公告)号：CN114616652A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080072635.6
申请日：2020-09-10
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/50 , C07F7/18
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室中引入包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物；以及在反应室中向包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有约2.80至约3.30的介电常数、约9至约32GPa的弹性模量和通过XPS测量的约10至约30的at.％碳。
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公开(公告)号：CN114424324A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080064624.3
申请日：2020-08-14
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Inventor： R·N·弗蒂斯 , S·K·拉贾拉曼 , W·R·恩特雷 , J·L·A·阿赫特伊勒 , R·G·里德格韦
IPC: H01L21/312 , C23C16/56 , C07F7/08
Abstract: 一种用于制备介电膜的化学气相沉积方法，该方法包括：将衬底提供到反应室中；将气态试剂引入反应室中，其中气态试剂包含硅前体，该硅前体包含具有如本文所定义的式RnH4‑nSi的硅化合物，并向反应室中的气态试剂施加能量以诱导气态试剂反应而在衬底上沉积膜。所沉积的膜适合于其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加可选的另外的固化步骤。
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公开(公告)号：CN109072426B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201780018637.5
申请日：2017-02-22
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了组合物和使用其在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜的方法，所述含硅膜例如但不限于碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。在一个方面中，使用包含碳‑碳双键或碳‑碳三键的第一化合物和包含至少一个Si‑H键的第二化合物的共沉积来沉积含硅膜。
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公开(公告)号：CN107429391B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201580067146.0
申请日：2015-10-23
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了组合物和使用所述组合物在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的方法。在一个方面，所述组合物包含选自硅氧烷、基于三甲硅烷基胺的化合物、有机氨基乙硅烷化合物和环状三硅氮烷化合物的至少一种化合物。
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