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公开(公告)号：CN115516129A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180032535.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机氧化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向所述反应室中引入包含氢化二甲基烷氧基硅烷的气态组合物；以及在所述反应室中向包含氢化二甲基烷氧基硅烷的所述气态组合物施加能量以诱导包含氢化二甲基烷氧基硅烷的所述气态组合物的反应，从而在所述衬底上沉积有机氧化硅膜，其中所述有机氧化硅膜具有约2.70至约3.50的介电常数、约6至约36GPa的弹性模量，以及由XPS测得的约10至约36的原子％碳。
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公开(公告)号：CN113166937A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980078017.X
申请日：2019-11-26
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Inventor： W·R·恩特雷 , J·L·A·阿赫特伊勒 , R·N·弗蒂斯 , R·G·里德格韦 , 雷新建
IPC: C23C16/448 , C23C16/505 , H01L21/02 , C23C16/40
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；将包含1‑甲基‑1‑异丙氧基‑硅杂环戊烷或1‑甲基‑1‑异丙氧基‑硅杂环丁烷的气体组合物引入反应室中；和向反应室中包含1‑甲基‑1‑异丙氧基‑硅杂环戊烷或1‑甲基‑1‑异丙氧基‑硅杂环丁烷的气体组合物施加能量，以诱导包含1‑甲基‑1‑异丙氧基‑硅杂环戊烷或1‑甲基‑1‑异丙氧基‑硅杂环丁烷的气体组合物的反应而在衬底上沉积有机硅膜，其中该有机硅膜具有2.70至3.20的介电常数、11至25GPa的弹性模量和通过XPS测量的12‑31的at.％碳。
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公开(公告)号：CN111051568A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056914.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Inventor： R·G·里德格韦 , R·N·弗蒂斯 , 雷新建 , J·L·A·阿赫特伊勒 , W·R·恩特雷
Abstract: 提供了一种通过化学气相沉积制备多孔低k介电膜的方法和组合物。在一个方面中，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；将气体试剂引入所述反应室中，所述气体试剂包括至少一种结构形成前体而具有或不具有成孔剂，所述结构形成前体包含烷氧基硅杂环状或酰氧基硅杂环状化合物；向所述反应室中的所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应以在所述衬底上沉积初始膜，其中所述初始膜包含该成孔剂，并且所述初始膜被沉积；和从所述初始膜除去其中包含的所述成孔剂的至少一部分，并且向所述膜提供孔和3.2或更小的介电常数。在某些实施方式中，所述结构形成前体还包含硬化添加剂。
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公开(公告)号：CN117561349A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280045334.3
申请日：2022-05-16
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/40
Abstract: 一种用于制备具有改进的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；将包含氢化‑二甲基‑烷氧基硅烷的气态组合物引入反应室中；并向反应室中的包含氢化‑二甲基‑烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含氢化‑二甲基‑烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有～2.70至～3.50的介电常数、～6至～32GPa的弹性模量和通过XPS测量的～10至～35原子％的碳。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114556527A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080073062.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: H01L21/02 , B05D1/00 , B05D3/06 , C23C16/40 , C23C16/505
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室中引入包含新型单烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷的气态组合物；以及在反应室中向包含新型单烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含新型单烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有约2.8至约3.3的介电常数、约7至约30GPa的弹性模量和通过XPS测量的约10至约30的at.％碳。
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公开(公告)号：CN116490640A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079509.8
申请日：2021-10-20
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向所述反应室中引入包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物；以及向所述反应室中包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物施加能量以诱导所述包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物的反应，从而在所述衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有～2.50至～3.30的介电常数，～6至～35GPa的弹性模量和所测量的～10至～40的原子％碳。
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公开(公告)号：CN116419987A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180072764.X
申请日：2021-09-16
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Inventor： W·R·恩特雷 , J·L·A·阿赫特伊勒 , R·N·弗蒂斯 , R·G·里德格韦
IPC: C23C16/40
Abstract: 一种用于改进致密有机硅介电膜的弹性模量(k≥2.7)而不负面影响膜的电性能且最小化至没有膜碳含量的降低的方法。该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室中引入包含烷基‑烷氧基硅杂环状化合物和5％或更少的特定双(烷氧基)硅烷或单‑烷氧基硅烷的混合物的气态组合物；和向包含烷基‑烷氧基硅杂环状化合物和5％或更少的特定双(烷氧基)硅烷或单‑烷氧基硅烷的混合物的气态组合物施加能量以在衬底上沉积有机硅膜，其中有机硅膜具有～2.70至～3.30的介电常数、～6至～30GPa的弹性模量和通过XPS测量的～10至～45的原子％碳。
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公开(公告)号：CN114616652A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080072635.6
申请日：2020-09-10
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/50 , C07F7/18
Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室中引入包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物；以及在反应室中向包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有约2.80至约3.30的介电常数、约9至约32GPa的弹性模量和通过XPS测量的约10至约30的at.％碳。
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公开(公告)号：CN114424324A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080064624.3
申请日：2020-08-14
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Inventor： R·N·弗蒂斯 , S·K·拉贾拉曼 , W·R·恩特雷 , J·L·A·阿赫特伊勒 , R·G·里德格韦
IPC: H01L21/312 , C23C16/56 , C07F7/08
Abstract: 一种用于制备介电膜的化学气相沉积方法，该方法包括：将衬底提供到反应室中；将气态试剂引入反应室中，其中气态试剂包含硅前体，该硅前体包含具有如本文所定义的式RnH4‑nSi的硅化合物，并向反应室中的气态试剂施加能量以诱导气态试剂反应而在衬底上沉积膜。所沉积的膜适合于其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加可选的另外的固化步骤。
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