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公开(公告)号：CN114016001A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111318395.6
申请日：2016-12-21
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , C07F7/18 , C07F7/08 , C07F7/21 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本文描述了用于在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物及其使用方法。在一个方面，使用具有本文所述式I或II的化合物沉积含硅膜。
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公开(公告)号：CN109963963A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780070483.4
申请日：2017-09-14
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面，所述膜由至少一种硅前体化合物沉积，其中所述至少一种硅前体化合物选自如本文定义的下式A和B：
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公开(公告)号：CN108603287A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680080897.0
申请日：2016-12-21
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了用于在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物及其使用方法。在一个方面，使用具有本文所述式I或II的化合物沉积含硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110023535B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201780074937.5
申请日：2017-10-25
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种用于沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含至少一个表面特征的衬底放入可流动CVD反应器中；向所述反应器中引入至少一种含硅化合物和至少一种多官能有机胺化合物以使所述至少一种含硅化合物至少部分地反应而形成可流动液体低聚物，其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成氧化硅涂层并且至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。一旦固化，该碳氮化硅涂层具有优异的机械性能。
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公开(公告)号：CN108603287B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201680080897.0
申请日：2016-12-21
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 本文描述了用于在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物及其使用方法。在一个方面，使用具有本文所述式I或II的化合物沉积含硅膜。
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公开(公告)号：CN109963963B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201780070483.4
申请日：2017-09-14
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面，所述膜由至少一种硅前体化合物沉积，其中所述至少一种硅前体化合物选自如本文定义的下式A和B：
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公开(公告)号：CN110023535A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780074937.5
申请日：2017-10-25
Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司
Abstract: 一种用于沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含至少一个表面特征的衬底放入可流动CVD反应器中；向所述反应器中引入至少一种含硅化合物和至少一种多官能有机胺化合物以使所述至少一种含硅化合物至少部分地反应而形成可流动液体低聚物，其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成氧化硅涂层并且至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。一旦固化，该碳氮化硅涂层具有优异的机械性能。
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