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公开(公告)号：CN106062949B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201580011314.4
申请日：2015-07-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/40
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/4882 , H01L23/3672 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2924/3511 , H01L2924/014
Abstract: 具备：绝缘电路基板(13)，其在基板(4)的正面具备电路层(3)，在基板(4)的背面具备金属层(5)；半导体元件(1)，其与电路层(3)电连接；冷却器(7)，其具有：具备与金属层(5)接合的平面的顶板部(7a)、与顶板部(7a)对置配置的底板部(7c)、连接顶板部(7a)的周围与底板部(7c)的周围的侧壁部(7b)以及连接顶板部(7a)与底板部(7c)的散热片部(7d)，顶板部(7a)的厚度为0.5mm以上且2.0mm以下，并且顶板部(7a)和底板部(7c)的总计厚度为3mm以上且6mm以下；以及焊料层(6)，其在200℃以上且350℃以下的温度下熔融，使顶板部(7a)与金属层(5)接合。
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公开(公告)号：CN105814685B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201580003050.8
申请日：2015-03-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , H01L21/4871 , H01L21/4882 , H01L23/3672 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供减小冷却剂的压力损失，还能够降低制造成本的半导体模块用冷却器。本发明的冷却器具备：第一板1，设置有第一半导体模块6；夹套2，在凹陷2a的端部具有彼此分开的第一贯通孔2b和第二贯通孔2c；入口侧集管3，以从夹套2的下侧覆盖第一贯通孔2b的方式配置；出口侧集管4，以从夹套2的下侧覆盖第二贯通孔2c的方式配置，并与入口侧集管3平行地配置；多个冷却翅片，配置在凹陷2a处，并从入口侧集管3的分配部3a上方延伸到出口侧集管4的集水部4b上方为止。
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公开(公告)号：CN107078115A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201680002934.6
申请日：2016-02-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 防止产生裂纹和断裂并利用焊锡接合线膨胀系数不同的层叠基板和冷却器。提供一种半导体模块，具备：层叠基板，由电路板、绝缘板和金属板层叠而构成；半导体芯片，搭载于电路板；以及冷却器，通过焊锡而与金属板接合，冷却器具有：第一板部，与金属板接合；第二板部，与第一板部相向；以及多个波形散热片，配置在第一板部与第二板部之间，多个波形散热片与第一板部和第二板部连接，由第一板部、第二板部和多个波形散热片构成供制冷剂通过的流路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106062949A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011314.4
申请日：2015-07-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/40
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/4882 , H01L23/3672 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2924/3511 , H01L2924/014
Abstract: 具备：绝缘电路基板(13)，其在基板(4)的正面具备电路层(3)，在基板(4)的背面具备金属层(5)；半导体元件(1)，其与电路层(3)电连接；冷却器(11)，其具有：具备与金属层(5)接合的平面的顶板部(11a)、与顶板部(11a)对置配置的底板部(11c)、连接顶板部(11a)的周围与底板部(11c)的周围的侧壁部(11b)以及连接顶板部(11a)与底板部(11c)的散热片部(11d)，顶板部(11a)的厚度为0.5mm以上且2.0mm以下，并且顶板部(11a)和底板部(11c)的总计厚度为3mm以上且6mm以下；以及焊料层(6)，其在200℃以上且350℃以下的温度下熔融，使顶板部(11a)与金属层(5)接合。
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公开(公告)号：CN104247009A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380018894.0
申请日：2013-08-13
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/12 , H01L23/3735 , H01L24/81 , H01L2224/32225 , H01L2224/81085 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，所述半导体装置的散热性良好，可靠性高，且抑制了加工成本的负担增大。半导体装置(1)包括绝缘基板(12)、半导体元件(13、14)以及冷却器(20)。冷却器(20)具有：散热基板(21)，与绝缘基板(12)接合；多个散热片(22)，设置在所述散热基板(21)的与绝缘基板(12)接合的面的相反侧的面；以及壳体(23)，收纳散热片(22)并且设置有冷却液的导入口及排出口。在设置在所述壳体(23)的侧壁(23b)的上端部的缺口(23k)设置有散热基板(21)的端部并且散热基板(21)与壳体(23)液密地接合。
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公开(公告)号：CN102549743B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080029038.1
申请日：2010-07-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种包括通过其获得良好的冷却效果的冷却单元的半导体模块。与从制冷剂导入口延伸的制冷剂导入流路和延伸到制冷剂排出口的制冷剂排出流路两者连通的多个冷却流路(21c)彼此平行地排列在冷却单元(20)中。翼片(22)排列在每个冷却流路(21c)中。半导体元件(32)和(33)排列在冷却单元(20)上，以使半导体元件(32)和(33)热连接到翼片(22)。通过这样做，形成半导体模块(10)。半导体元件(32)和(33)所产生的热被传导到排列在能够冷却流路(21c)的翼片(22)，并且沿着每个冷却流路(21c)流动的制冷剂驱散。
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公开(公告)号：CN103890938A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280050253.9
申请日：2012-09-05
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H05K7/20
CPC classification number: H01L23/473 , F28F3/02 , F28F3/12 , F28F9/026 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H05K7/20927 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能消除仅一部分半导体元件的温度上升，从而对半导体元件进行均匀且稳定的冷却的半导体模块用冷却器。该半导体模块用冷却器从外部向水套（2A）提供制冷剂，对配置在该半导体模块用冷却器外表面的半导体元件进行冷却。在水套（2A）的左侧壁（2Ab）上配置有导入口（24）及排出口（25），导入口部（21a）和排出口部（22a）均从相同的左侧壁（2Ab）突出。在作为第二流路的制冷剂排出流路（22）上配置有与翅片（2C）相平行的流速调节板（28），该制冷剂排出流路（22）以与作为第一流路的制冷剂导入流路（21）并排且隔开间隔的方式来进行配置。利用制冷剂冲击流路调节板（28）而产生的压力，可对翅片（2C）中的流速分布进行调整。
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