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公开(公告)号：CN102263372A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010186477.5
申请日：2010-05-25
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。器件由衬底1、衬底1上依次制备的AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8、GaN外延层2、相互分立的电流下限制层3和下电极5、电流下限制层3上制备的ZnO基材料发光层4、电流上限制层7、上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9等部件构成，其特征在于：GaN外延层2为n型GaN薄膜，ZnO基发光层4为p型ZnO基薄膜，电流下限制层3为Ga2O3薄膜，电流上限制层7为p型ZnO基三元薄膜，其禁带宽度大于ZnO基发光层4的禁带宽度。本发明的效果和益处是可以降低激光器的串联电阻和工作电压，提高输出功率和散热能力，进一步拓展其应用范围。
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公开(公告)号：CN100590820C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810010103.0
申请日：2008-01-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/477
Abstract: 一种氮掺杂的ZnO的受主激活方法，属于半导体材料领域，特别涉及一种采用射频等离子体金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为氮掺杂ZnO后期退火技术。本发明的目的为克服氮掺杂p型ZnO难以获得的缺点，提供一种利用射频等离子体退火技术，将氮掺杂的ZnO在氮的氧化物等离子体进行高温退火，从而获得高效稳定的p型ZnO掺杂方法。由于在气氛中形成高激活性的氮与氧，可以防止氮掺杂的ZnO中的氮逸出，同时也防止了ZnO中氧的脱附，又同时进行了氮掺杂ZnO中氮受主的激活，从而实现了p型ZnO的制备，进而可以制备出ZnO的pn结发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN1787248A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510200730.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，涉及一种氧化锌材料发光二极管的制备方法。其特征是在不同的衬底材料表面上，采用超声雾化热分解方法，依次生长p－型和n－型Zn(Mg)O薄膜而制得ZnO基p－n结材料。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对制得ZnO基p－n结材料电学性能的控制，以满足制备氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。通过标准半导体工艺制备上下欧姆接触电极，即可获得氧化锌材料发光二极管。本发明的效果和益处在于提供一种工艺简单易行的制备氧化锌发光二极管(LEDs)的方法。氧化锌材料p－n结室温电注入发光的实现必将进一步促进ZnO光电信息功能材料和器件的应用。
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公开(公告)号：CN118218595A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410331029.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 大连理工大学
IPC: B22F5/00 , H01L23/488 , B22F1/17 , B22F1/102 , B22F1/145 , C23C18/18 , C23C18/44 , B22F3/02 , B22F1/052 , B22F1/0545 , B22F1/05 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B23K35/30 , B23K35/02 , B23K35/40 , B23K101/40
Abstract: 一种铜@银@有机层复合颗粒基低温钎料片及其制备方法，先对铜粉进行表面活化处理，再在其表面沉积银层，然后用有机包覆层对银层保护，得到‑表面有机包覆层厚度可控的铜@银@有机包覆层结构，再将干燥后的颗粒在10～100MPa的压力下压制成低温钎料片。本发明的钎料片保留了纳米颗粒的低温烧结性，满足了宽禁带半导体功率器件的高温服役、低温封装要求；采用多尺度复合结构颗粒混合压制成钎料片，克服了目前焊膏烧结孔隙率过高的问题，且省去了焊膏烧结前的固化操作，缩短了烧结时间并提高了封装效率；同时颗粒表面的有机包裹层厚度可控，有效避免了内层金属颗粒的氧化及焊接孔洞缺陷的出现，在大功率器件封装领域具有非常好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115799347A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211459165.6
申请日：2022-11-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明属于半导体材料器件制备技术领域，公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表面需刻蚀掉的区域，肖特基接触电极位于刻蚀后高阻碳化硅单晶片的正表面、正面刻蚀区沟槽内侧壁以及底部表面。背面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表面需刻蚀掉的区域，欧姆接触电极位于刻蚀后高阻碳化硅单晶片的背表面、背面刻蚀区沟槽内侧壁以及底部表面。本发明设计了一种新型三维碳化硅器件结构，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了三维碳化硅器件的制备难题，实现新型三维碳化硅器件的研制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113514434A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110441540.3
申请日：2021-04-23
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于GaN基HEMT驱动LED发光的生物物质检测方法，在AlGaN/GaNHEMT和GaN基LED集成阵列结构的AlGaN/GaN HEMT的敏感区域进行生物识别物固化形成AlGaN/GaN HEMT生物传感器和GaN基LED集成阵列结构，施加5V‑10V的工作电压，AlGaN/GaN HEMT生物传感器驱动GaN基LED发光。本发明的检测方法具有高通量、高密度集成、并行快速检测特性。由于采用生物传感器驱动GaN基LED发光，生物传感器上固化的生物识别物质不需要携带荧光物质，简化了生物传感器固化生物识别物质的制备过程。在光信号采集过程中不需要提供额外的光源照射，简化了光信号采集系统。
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公开(公告)号：CN109860058B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811555045.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/4763 , H01L29/267
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，提供一种氧化镓/铜镓氧异质结的制备方法。该方法是把氧化镓材料进行预处理后，将铜源预沉积或者放置在氧化镓单晶或薄膜的表面上，然后将这种带有铜源的氧化镓放置在高温管内，而后在一定的条件下热处理一定时间，使得铜原子能可控的扩散到氧化镓中，形成相应的铜镓氧合金，进而与未发生铜扩散的氧化镓形成界面特性好的氧化镓/铜镓氧异质结。本发明突出的优势是能够制备出高质量的铜镓氧材料，其所需设备和工艺过程简单，可控性高；可以形成界面理想的氧化镓/铜镓氧异质结，获得理想的结特性；利用本发明所提铜扩散技术可以进行多种类器件集成制造，进而研制出传统生长技术无法制备出的铜镓氧基新型器件。
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公开(公告)号：CN108493292B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810338112.6
申请日：2018-04-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于碳化硅单晶的X射线探测器及其制备方法。该探测器主要包括：高阻碳化硅单晶、高电子浓度n型碳化硅层、低电子浓度n型碳化硅层、高空穴浓度p型碳化硅层、低空穴浓度p型碳化硅层、二氧化硅保护层、p型碳化硅欧姆接触电极、n型碳化硅欧姆接触电极、和金引线电极。本发明提出一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能X射线探测器的制备难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN110470713A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910596899.0
申请日：2019-07-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N27/327 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的葡萄糖传感器，在所述氮化镓基材料表面分别蒸镀源极、漏极和栅极金属层；在所述的源电极和漏电极表面及侧面生长保护层；所述的栅金属电极不在源漏金属电极间；在所述的源和漏金属电极间的空栅区域固定化学修饰层；修饰层包括自组装分子膜、金纳米颗粒和葡萄糖氧化酶。本发明利用氮化镓/铝镓氮界面处可产生高浓度高迁移率的二维电子气对表面纵向微小电荷的变化有输出和放大的作用，通过有序排列在自组装分子膜表面的金纳米颗粒，在葡萄糖酶的催化下，葡萄糖会分解成葡萄糖酸和电子，不同浓度的葡萄糖产生的电子不同，源极和漏极的输出电流不同，从而测试葡萄糖的浓度。
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公开(公告)号：CN107068800B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201710080008.7
申请日：2017-02-16
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于氧化镓单晶材料的辐射探测器及其制备方法。该辐射探测器以高阻氧化镓单晶为基体，其上下表面和侧面为SiO2保护层；在氧化镓单晶的SiO2保护层下表面形成的掩膜图形中依次为锡原子扩散形成的锡掺杂氧化镓层、钛层和金层；在氧化镓单晶的SiO2保护层上表面形成的掩膜图形中依次为镍层、钛层和金层，各层与上表面存留的SiO2保护层存在重叠区域。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓辐射探测器的制备难题，实现新型氧化镓基辐射探测器的研制。
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