公开(公告)号：CN104769722A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380057762.9

申请日：2013-08-15

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 程慷果 ,  V·S·巴斯克 ,  B·B·多里斯 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  K·里姆

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 披露了形成本地化绝缘体上硅(SOI)finFET 104的方法和结构。在块型衬底102上形成鳍。氮化物间隔物208保护鳍的侧壁。在鳍上沉积浅沟槽隔离区域412。氧化工艺使得氧通过浅沟槽隔离区域412扩散到下方的硅中。氧与硅反应生成氧化物，其为鳍提供电隔离。浅沟槽隔离区域与鳍和/或鳍上所沉积的氮化物间隔物直接物理接触。

公开(公告)号：CN104218086A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410238899.0

申请日：2014-05-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 程慷果 ,  B·B·多里斯 ,  P·哈希米 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  A·雷茨尼采克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795

摘要： 本发明涉及具有共面形貌的多高度FINFET。提供了一种半导体结构，其具有有着可变高度的半导体鳍而没有任何不适当的形貌。所述半导体结构包括具有第一半导体表面和第二半导体表面的半导体衬底，其中所述第一半导体表面位于所述第二半导体表面上方并且从所述第二半导体表面垂直偏移。氧化物区域直接位于所述第一半导体表面和/或所述第二半导体表面上。具有第一高度的第一组第一半导体鳍位于所述半导体衬底的所述第一半导体表面上方。具有第二高度的第二组第二半导体鳍位于所述第二半导体表面上方，其中所述第二高度不同于所述第一高度，并且其中每个第一半导体鳍和每个第二半导体鳍具有彼此共面的最上表面。

公开(公告)号：CN101969024B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010237978.1

申请日：2010-07-26

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 程慷果 ,  B·B·多里斯 ,  古川俊治

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66803

摘要： 本发明涉及用于使图形密度加倍的方法。一种方法在主层上沉积未掺杂的硅层，在所述未掺杂的硅层上沉积帽层，构图在所述帽层上的掩蔽层，并将所述未掺杂的硅层构图成硅芯部。该方法在这样的工艺中将杂质引入所述硅芯部的侧壁中，该工艺使所述硅芯部的侧壁部分掺杂有杂质并使所述硅芯部中的至少一些的中心部分未掺杂。该方法去除所述帽层而留下位于所述主层上的所述硅芯部，并执行选择性材料去除工艺，以去除所述硅芯部的所述中心部分并使所述硅芯部的所述侧壁部分留在所述主层上。该方法使用所述硅芯部的所述侧壁部分作为构图掩模而至少构图所述主层，并且去除所述硅芯部的所述侧壁部分以至少留下构图后的所述主层。

公开(公告)号：CN101364546B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200810145597.3

申请日：2008-08-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： M·W·科佩尔 ,  王允愈 ,  V·纳拉亚南 ,  B·B·多里斯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明涉及具有稳定的阈值修改材料的FET器件及其方法。公开了一种用于制造FET器件的方法。所述FET器件具有栅极绝缘体和阈值修改材料，所述栅极绝缘体具有高k介质部分。所述方法将稳定材料引入到栅极绝缘体中以阻止一种或多种金属从所述阈值修改材料穿过所述栅极绝缘体的所述高k部分。引进所述稳定材料包括在包含所述一种或多种金属的氧化物的层上设置稳定剂。还将稳定材料并入到所述高k介质中。应用本方法会产生具有独特的栅极绝缘体结构的FET器件。

公开(公告)号：CN101939253A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104087.4

申请日：2009-02-03

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·T·布莱克 ,  T·J·达尔顿 ,  B·B·多里斯 ,  C·拉登斯

IPC分类号： B82B3/00

CPC分类号： H01L21/0338 ,  B81B2203/0369 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L51/0017 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/887 ,  Y10S977/888 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24736 ,  Y10T428/24802

摘要： 在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。

公开(公告)号：CN101364599B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810128077.1

申请日：2008-07-29

申请人： 国际商业机器公司

发明人： E·A·卡蒂尔 ,  V·帕鲁许里 ,  张郢 ,  M·L·斯特恩 ,  V·纳拉亚南 ,  B·P·林德 ,  M·T·罗布森 ,  B·B·多里斯

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： 本发明涉及CMOS结构和处理CMOS结构的方法以及包括至少CMOS电路的处理器。公开了一种CMOS结构，其中两种类型的FET器件均具有包含高k介质的栅极绝缘体、以及包含金属的栅极。单独调整所述两种类型的器件的阈值。对于一种类型的器件，通过将所述高k介质暴露到氧来设定其阈值。在氧暴露期间，使用应力介质层覆盖另一种类型的器件，所述应力层还会阻止氧穿透到另一种类型的器件的高k栅极介质。还通过将NFET和PFET器件两者的所述栅极的有效功函数调整为接近带边值来进一步提高所述CMOS结构的高性能。

公开(公告)号：CN1612326B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410069252.6

申请日：2004-07-15

申请人： 国际商业机器公司

发明人： M·P·别良斯基 ,  D·恰丹巴拉奥 ,  O·H·多库马奇 ,  B·B·多里斯 ,  O·格卢斯陈克夫

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7845 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供了一种调节半导体器件中载流子迁移率的方法和装置。在制造互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)场效应晶体管(包括nFET和pFET)时，通过使栅极材料和金属反应在晶体管栅极内产生应力合金(最好是CoSi2、NiSi、或PdSi)，提高或调节了载流子的迁移率。在nFET和pFET同时存在的情况中，各个合金的固有应力在各个晶体管的沟道上导致相反的应变。通过在nFET和pFET合金或硅化物中保持相反的应变，在单个芯片或衬底上的两类晶体管的载流子迁移率都可得到提高，从而提高CMOS器件和集成电路的性能。

公开(公告)号：CN101663755A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880012600.2

申请日：2008-04-09

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·D·亚当斯 ,  E·A·卡蒂尔 ,  B·B·多里斯 ,  V·纳拉亚南

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

摘要： 公开了一种CMOS结构，其中第一类型的FET包括衬里，所述衬里具有氧化物(20)和氮化物(20’)部分。氮化物部分形成衬里的边缘段。这些氮化物部分能够防止氧气到达第一类型的FET的高k介电栅极绝缘体(10)。该CMOS结构的第二类型的FET器件具有没有氮化物部分的衬里(21)。结果，暴露于氧气能够使第二类型的FET的阈值电压移动，但不会影响第一类型的FET的阈值。该公开还教导用于制造CMOS结构的方法，在所述CMOS结构中不同类型的FET器件的阈值可彼此独立地设定。

公开(公告)号：CN101364600A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810131359.7

申请日：2008-08-06

申请人： 国际商业机器公司

发明人： E·A·卡蒂尔 ,  V·K·帕鲁许里 ,  B·B·多里斯 ,  V·纳拉亚南 ,  B·P·林德

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/49 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及电路结构及处理电路结构的方法。公开了具有PFET和NFET器件的FET器件结构，所述PFET和所述NFET器件具有高k介质栅极绝缘体、包含金属的栅极、以及阈值调整帽层。所述NFET栅极叠层和所述PFET栅极叠层均具有在所述NFET器件中和所述PFET器件中的相同的部分。所述相同的部分包含至少栅极金属层和帽层。由于所述相同的部分，简化了器件制造，需要较少数目的掩模。此外，作为使用单层金属用于两种类型的器件的栅极的结果，NFET和PFET的端电极可以以直接物理接触的方式彼此对接。还通过所述高k介质的氧暴露来调整器件阈值。阈值旨在用于低功耗器件操作。

公开(公告)号：CN101310386A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200580015351.9

申请日：2005-06-20

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·B·多里斯 ,  M·艾昂 ,  E·J·诺瓦克 ,  杨敏

IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785

摘要： 一种混合衬底，其具有高迁移率表面以用于平面和/或多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。混合衬底具有优选用于n－型器件的第一表面部分，和优选用于p－型器件的第二表面部分。由于混合衬底的每个半导体层中的适当表面和晶片平面取向，器件的所有栅极都取向在相同方向，且所有沟道都位于高迁移率表面上。本发明还提供制造混合衬底的方法以及在其上集成至少一个平面或多栅极MOSFET的方法。