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公开(公告)号：CN113380911A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110644498.5
申请日：2021-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , G01B11/00
Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。
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公开(公告)号：CN109772386A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910223827.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/185 , B01J35/10 , C25B11/06 , C25B1/04
Abstract: 自支撑结构的NiPS3纳米片的制备方法及其应用，本发明属于纳米材料制备及清洁能源制备技术领域，它针对NiPS3作为HER催化剂所存在的表面积低、制备过程所需温度较高的问题。制备方法：一、对碳布进行超声清洗；二、将红磷粉和升华硫粉混合，研磨后得到磷硫粉混合物；三、将镍盐、尿素和氟化铵加入到超纯水中搅拌溶解，得到反应液；四、碳布浸入反应液中进行水热反应；五、将磷硫粉混合物倒入敞口反应器中，敞口反应器和前驱体一同放入刚玉舟中，先加热至磷硫粉混合物至熔融，然后升华后磷、硫蒸汽与前驱体在高温下发生反应。本发明合成温度较低，NiPS3纳米片催化剂与导电衬底复合，可以直接用作HER电极，无需后续处理。
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公开(公告)号：CN106542522B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201710029303.X
申请日：2017-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 模板法制备三维石墨烯的方法，它涉及一种模板法制备三维石墨烯的方法。本发明是要解决制备三维多孔氮掺杂石墨烯的成本高、操作复杂的技术问题。本方法：一、制备分散液；二、将稀硝酸、稀硫酸或磷酸加入步骤一所得分散液中，得到沉淀；三、将抽滤所得产物用乙醇重新分散到不同形状的模具中，干燥，得到前驱体；四、将前驱体在氩气或氮气的条件下升温并保温，再升温保温，即得三维石墨烯。本发明利用廉价的三聚氰胺或双氰胺为原料，制备出的三维石墨烯约为10元/g，远低于目前市售石墨烯的价格(目前石墨烯的市场售价约为100‑1000元/g)，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN106024926B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610560686.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN103553034B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310558449.5
申请日：2013-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种三维孔状石墨烯骨架的制备方法，涉及一种石墨烯骨架的制备方法。本发明是要解决目前很难制备高性能、高稳定性的三维孔状结构石墨烯的技术问题。本发明的方法为：将氧化石墨在真空或充入气体的条件下密封于石英管中，将石英管转移到马弗炉中，加热到并保温，然后取出石英管快速浸入冰水中，多次重复以上加热-淬火过程，收集石英管内产物，所得产物即为三维孔状石墨烯骨架。本发明的方法简单，环境友好，所得具有特殊结构的三维石墨烯骨架能有效的提高石墨烯的可用负载面积，所制备的三维孔状石墨烯骨架可广泛用于锂离子电池、燃料电池、太阳能电池、光催化、催化氧化、气体传感器、药物输运等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103496692A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310424537.6
申请日：2013-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用液氨/碱金属溶液制备二维纳米材料的方法，它涉及二维纳米材料的制备方法。本发明要解决现有二维纳米材料制备方法得到的产品产率低和插层过程难于控制的问题，制备方法：一、称取的碱金属和层状化合物放入石英管中；二、石英管抽真空后充入高纯氨气，冷却至管中的氨气液化；三、振荡石英管至液氨溶液的蓝色褪去，然后抽出汽化的液氨；四、将插层后的层状化合物放入去离子水中超声处理；五、把步骤四的纳米材料水溶液放入离心机中离心，在上层液体中收集得到二维纳米材料。通过本发明的制备方法得到二维纳米材料的产率可达80%，并通过观察液氨溶液颜色由蓝色逐渐变为无色的过程，有效地控制碱金属离子对层状化合物的插层过程。
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公开(公告)号：CN102634976B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210118341.X
申请日：2012-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M13/513 , D06M11/46 , D06M10/00 , D06M101/30
Abstract: 表面沉积(POSS/TiO2)n薄膜增强PBO纤维耐紫外光稳定性的方法，它涉及一种增强PBO纤维耐紫外光稳定性的方法。本发明解决了紫外光照射引发PBO纤维分子链断裂，纤维的分子量和取向度降低，导致PBO纤维的特征黏度降低、力学性能降低的技术问题。本方法如下：一、PBO纤维表面的氧等离子体改性；二、表面接枝氨基苯基POSS；三、二氧化钛溶胶溶液的制备；四、交替沉积；五、重复步骤四n次，在PBO纤维表面得到(POSS/TiO2)n薄膜。采用本发明方法处理后的PBO纤维经受紫外光加速老化后PBO纤维的分子量和取向度降低不明显，拉伸强度保有率和特性粘度保有率高于未处理的PBO纤维。
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公开(公告)号：CN102995124A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201310006222.X
申请日：2013-01-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于AlN晶体生长的籽晶，它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体，采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片，或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜，以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大，杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。
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公开(公告)号：CN112980599B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110202982.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C11D1/66 , C11D1/835 , C11D1/825 , C11D3/33 , C11D3/20 , C11D3/39 , C11D3/04 , C11D3/60 , C11D11/00 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶清洗剂及其应用。本发明的碳化硅单晶清洗剂包括以下原料：金属螯合剂、表面活性剂、过氧化氢、氟化物和硫酸。本发明的清洗剂，通过表面活性剂和螯合剂的协同作用，实现了对金属离子的去除；通过表面活性剂实现了对表面杂质的去除；该清洗剂实现了晶片表面0.5μm的颗粒度≤1000，对碳化硅单晶的清洗效果有显著的提升。
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公开(公告)号：CN115074820A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210684574.X
申请日：2022-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶RIG厚膜的双坩埚液相外延制备方法，涉及液相外延生长单晶薄膜技术领域，包括：采用双坩埚液相外延炉进行制备，其中，第一炉体用于厚膜外延生长和衬底更换，第二炉体用于备用熔体保温和原料更换；将原料加入位于第一炉体内的坩埚A内，加热并搅拌成均匀熔体；在第二炉体放置坩埚B，将原料加入坩埚B内，加热并搅拌成均匀熔体后备用；待坩埚A内的熔体表面呈现镜面后，将清洗后衬底放入熔体中进行液相外延生长，并通过替换备用坩埚实现持续液相外延生长，重复上述内容，维持液相外延生长至所需薄膜厚度后，取出衬底，并降温至室温后，得到单晶RIG厚膜。本发明实现薄膜持续生长并保证薄膜的生长质量。
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