公开(公告)号：CN113380911B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202110644498.5

申请日：2021-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张伶莉 ,  申哲远 ,  王先杰 ,  胡君北 ,  宋波

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  G01B11/00

Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。

公开(公告)号：CN113380911A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110644498.5

申请日：2021-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张伶莉 ,  申哲远 ,  王先杰 ,  胡君北 ,  宋波

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  G01B11/00

Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。