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公开(公告)号：CN104294363A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310307418.2
申请日：2013-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 蓝宝石晶体生长用真空炉涉及一种蓝宝石晶体生长用的真空炉。主要是为解决现有的蓝宝石晶体生长用真空炉温场热扰动几率和不稳定性高的问题而设计的。它包括炉体、进水阀门、流量计、真空系统、炉盖、出水流量计、电极、观察孔、晶体提拉机构、下隔热屏、侧隔热屏、上隔热屏、坩埚、发热体、坩埚托盘、托盘顶柱、出水管道、集水槽；集水控制槽上有进水管，集水控制槽有管道经调节阀门与集水槽连接，集水控制槽内的换热器有管道经制冷阀门与制冷机连接，集水控制槽内设有温度控制仪，集水控制槽通过管道经水泵和控制流量计与炉底中央的进水阀门连接。优点是减少温场扰动几率和不稳定性，确保蓝宝石晶体生长能有稳定和理想的温场。
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公开(公告)号：CN113130305B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110232940.3
申请日：2021-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法，该方法包括以下步骤：S1、飞秒激光扫描：在气体氛围下，利用飞秒激光辐照清洁后碳化硅单晶Ⅱ，得碳化硅单晶Ⅲ；S2、酸液刻蚀：利用酸液刻蚀碳化硅单晶Ⅲ，得碳化硅单晶Ⅳ；S3、碱液刻蚀：利用碱液刻蚀碳化硅单晶Ⅳ，即得碳化硅单晶微结构。其实现了碳化硅单晶表面微结构的构建和表面的快速腐蚀。
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公开(公告)号：CN114310530A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111469456.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构，包括底座，所述底座上设置有用于输送碳化硅衬底片的输送通道，所述输送通道上设置有加工区域，所述加工区域一侧设置有碳化硅衬底片储存桶组件，所述碳化硅衬底片储存桶组件一侧的所述输送通道上连接有用于将所述碳化硅衬底片储存桶组件内的碳化硅衬底片顶出至所述加工区域的推送组件，所述加工区域四周设置有用于夹持处于所述加工区域内的碳化硅衬底片的夹持组件，夹紧装置和研磨装置自动为上料过程让位，上料完毕后夹紧装置自动夹紧，并且研磨装置自动进给研磨，最后下次上料时，将已研磨完毕的碳化硅衬底片自动送出，一体化联动自动加工，减少人力物力的投入。
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公开(公告)号：CN113130305A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110232940.3
申请日：2021-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法，该方法包括以下步骤：S1、飞秒激光扫描：在气体氛围下，利用飞秒激光辐照清洁后碳化硅单晶Ⅱ，得碳化硅单晶Ⅲ；S2、酸液刻蚀：利用酸液刻蚀碳化硅单晶Ⅲ，得碳化硅单晶Ⅳ；S3、碱液刻蚀：利用碱液刻蚀碳化硅单晶Ⅳ，即得碳化硅单晶微结构。其实现了碳化硅单晶表面微结构的构建和表面的快速腐蚀。
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公开(公告)号：CN112980599A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202982.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C11D1/66 , C11D1/835 , C11D1/825 , C11D3/33 , C11D3/20 , C11D3/39 , C11D3/04 , C11D3/60 , C11D11/00 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶清洗剂及其应用。本发明的碳化硅单晶清洗剂包括以下原料：金属螯合剂、表面活性剂、过氧化氢、氟化物和硫酸。本发明的清洗剂，通过表面活性剂和螯合剂的协同作用，实现了对金属离子的去除；通过表面活性剂实现了对表面杂质的去除；该清洗剂实现了晶片表面0.5μm的颗粒度≤1000，对碳化硅单晶的清洗效果有显著的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113005518B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110200678.4
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域。一种制备碳化硅单晶的方法，包括以下步骤：S1.以PVT法生长氮化铝衬底，所述氮化铝衬底附着于石墨坩埚盖上；S2.以步骤S1所得石墨坩埚盖和预处理过的石墨坩埚体作为反应容器，以PVT法生长碳化硅单晶。相较于以单晶硅作为衬底，本发明采用氮化铝作为衬底，降低了衬底与碳化硅间的晶格失配和热膨胀系数的失配，因此可生长出缺陷密度更低的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN113005518A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110200678.4
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域。一种制备碳化硅单晶的方法，包括以下步骤：S1.以PVT法生长氮化铝衬底，所述氮化铝衬底附着于石墨坩埚盖上；S2.以步骤S1所得石墨坩埚盖和预处理过的石墨坩埚体作为反应容器，以PVT法生长碳化硅单晶。相较于以单晶硅作为衬底，本发明采用氮化铝作为衬底，降低了衬底与碳化硅间的晶格失配和热膨胀系数的失配，因此可生长出缺陷密度更低的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN114310530B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111469456.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构，包括底座，所述底座上设置有用于输送碳化硅衬底片的输送通道，所述输送通道上设置有加工区域，所述加工区域一侧设置有碳化硅衬底片储存桶组件，所述碳化硅衬底片储存桶组件一侧的所述输送通道上连接有用于将所述碳化硅衬底片储存桶组件内的碳化硅衬底片顶出至所述加工区域的推送组件，所述加工区域四周设置有用于夹持处于所述加工区域内的碳化硅衬底片的夹持组件，夹紧装置和研磨装置自动为上料过程让位，上料完毕后夹紧装置自动夹紧，并且研磨装置自动进给研磨，最后下次上料时，将已研磨完毕的碳化硅衬底片自动送出，一体化联动自动加工，减少人力物力的投入。
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公开(公告)号：CN112980599B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110202982.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C11D1/66 , C11D1/835 , C11D1/825 , C11D3/33 , C11D3/20 , C11D3/39 , C11D3/04 , C11D3/60 , C11D11/00 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶清洗剂及其应用。本发明的碳化硅单晶清洗剂包括以下原料：金属螯合剂、表面活性剂、过氧化氢、氟化物和硫酸。本发明的清洗剂，通过表面活性剂和螯合剂的协同作用，实现了对金属离子的去除；通过表面活性剂实现了对表面杂质的去除；该清洗剂实现了晶片表面0.5μm的颗粒度≤1000，对碳化硅单晶的清洗效果有显著的提升。
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公开(公告)号：CN115130231A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210319133.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于轴承外套圈处理技术领域，公开了一种轴承外套圈批量处理的数值模拟和注入剂量均匀性的方法，轴承外圈批量改性处理过程的数值模拟以及外套圈内表面改性均匀性实验。本发明利用二维PIC模型对轴承外套圈内滚道PIII批量处理过程进行数值模拟，并对轴承套圈PIII批量改性处理的均匀性进行实验研究；采用高压脉冲辉光放电在圆筒内部获得连续的等离子体，等离子体通过二次电子对气体粒子的碰撞产生且随着碰撞的加剧，离子能量逐渐提高；利用SEM对内表面沉积的DLC薄膜膜层厚度进行测试，在内表面形成深度均匀的注入层，在氮气1.5Pa、注入电压20kV情况下，峰值注入深度16.9nm，改性均匀性达到87.3％。
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