公开(公告)号：CN104451557A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410735056.1

申请日：2014-12-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  王阳 ,  刘志国 ,  隋郁

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  G01B11/00

CPC classification number: C23C14/28 ,  C23C14/083 ,  C23C14/085 ,  C23C14/086

Abstract: 具有超快响应速度的光电位置传感材料及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位置传感材料的位置灵敏度较低以及响应速度慢的问题。该光电位置传感材料具有金属氧化物—SiO2—Si三层结构，在Si基片上采用激光脉冲沉积有金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、ZnO或TiO2。制备方法：一、超声波清洗Si基片；二、金属氧化物粉末研磨压片，烧结处理后得到金属氧化物靶材；三、采用准分子激光器照射金属氧化物靶材，在Si基片上脉冲激光沉积金属氧化物层，沉积结束后冷却到室温。本发明所述的光电位置传感材料的位置灵敏度在1mW的激光照射下达到了54mV/mm，半峰宽在5μs左右。

公开(公告)号：CN104868014A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510233175.1

申请日：2015-05-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  隋郁 ,  辛潮 ,  宋波

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/032

Abstract: 一种基于窄带隙铁电薄膜的光伏器件的制备方法，本发明属于半导体材料技术领域，它为了解决现有光伏器件中铁电体薄膜的带隙宽，光照产生的光电流较小的问题。光伏器件的制备方法：一、称取K2CO3、Nb2O5、BaCO3和NiO作为原料，采用固相反应法制备掺杂KNbO3陶瓷靶材；二、清洗单晶SrTiO3基片作为基底；三、在基底的表面沉积底电极；四、使用掺杂KNbO3陶瓷作为靶材，脉冲激光沉积KNbO3基薄膜；五、在KNbO3基薄膜表面沉积顶电极。本发明通过Ba、Ni共掺减小了铌酸钾的帯隙，从而能够吸收低于700nm的光，并使掺杂KNbO3薄膜的光电流达到20pA。

公开(公告)号：CN106024926B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610560686.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  宋波 ,  隋郁 ,  胡昌

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。

公开(公告)号：CN111270205A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010099720.3

申请日：2020-02-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  隋郁 ,  宋波

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C04B35/28

Abstract: 尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。

公开(公告)号：CN111270205B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202010099720.3

申请日：2020-02-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  隋郁 ,  宋波 ,  张伶莉

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C04B35/28

Abstract: 尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。

公开(公告)号：CN106024926A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610560686.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  宋炳乾 ,  宋波 ,  隋郁 ,  胡昌

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。