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公开(公告)号：CN108334706B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201810135800.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367 , G06F111/08
Abstract: 双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及在轨双极器件的性能退化评价技术，为了满足针对不同类型辐照源的双极器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面异种粒子辐照源，确定位移损伤引起的性能退化与位移吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DI和位移吸收剂量DD，当双极器件以位移损伤为主时，根据函数关系曲线找到该位移吸收剂量DD所对应的性能退化情况，完成在轨双极器件的性能退化评价。本发明适用于等效评价在轨双极器件的性能退化情况。
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公开(公告)号：CN108345026B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810136597.0
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 一种计算带电粒子防护层后能谱的方法，本发明涉及计算带电粒子防护层后能谱的方法。本发明的目的是为了解决现有技术存在轨道带电粒子防护层后能谱的计算速度慢，计算时间长，以及空间粒子辐射会使电子器件的工作寿命缩短，造成巨大损失的问题。过程为：确定轨道入射粒子的微分能谱；确定防护材料及防护材料厚度；确定入射粒子的入射角度；若入射粒子为电子，计算E′1与射程及防护材料厚度的关系；若入射粒子为质子或离子，计算E′2、E′3、E′4和E′5分别与射程及防护材料厚度的关系；计算入射粒子与防护材料的非弹性截面；分别计算电子、质子和离子防护层后的微分能谱。本发明用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
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公开(公告)号：CN109637567B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201811554714.1
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C7/24 , G11C11/413
Abstract: 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器，它涉及一种边沿检测电路及触发器。本发明要解决SETTOFF触发器对SEU软错误的在线监测和修正以及检测SET和TE错误过程中，SETTOFF触发器中原沿检测(TD)电路中的晶体管尺寸不能采用最小尺寸来实现而必须要经过特定的设计，从而增大了TD电路输入和输出之间的传播延迟，进而产生毛刺脉冲引发流水线的重写操作的问题。本发明设计了用于监测流水线中的触发器是否发生翻转的沿检测电路，并且通过合理的监测机制实现了对D触发器单粒子翻转效应的监测和纠正以及对单粒子瞬态效应和时序错误的监测功能，本发明应用于触发器领域。
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公开(公告)号：CN108362988B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810134750.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种抑制双极晶体管低剂量率增强效应的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有技术中缺少对于双晶体管的低剂量率抑制手段的缺点而提出的，包括：将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；保温结束后，将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。
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公开(公告)号：CN108335979B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810136626.3
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/322
Abstract: 本发明提供了同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的辐照粒子能量选择方法其应用对象包括各类航天器用关键材料和器件，基于Monte Carlo计算方法，在特定材料状态条件下，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，即可确定入射粒子的能量，保证其同时产生稳定的电离和位移缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110459649A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910774690.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I-V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I-V变化曲线，当目标I-V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I-V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
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公开(公告)号：CN109860033A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910110228.9
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/32
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN106483061B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610911410.0
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法，涉及空间环境效应领域，为了满足对位移损伤效应的研究需求。该方法为：选取带电粒子；计算带电粒子所产生的单位时间位移损伤吸收剂量D；根据计算D'(E)，D'(E)为一个能量为E的带电粒子所产生的位移损伤吸收剂量，为注量率；选取D'(E)大于位移缺陷产生阈值的有效带电粒子；在有效带电粒子中选取D小于点缺陷阈值的带电粒子作为辐照源，用于产生点缺陷；在有效带电粒子中选取D大于级联缺陷阈值的带电粒子作为辐照源，用于产生点缺陷和级联缺陷。本发明适用于产生级联及点缺陷。
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公开(公告)号：CN108346565A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136630.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/324
Abstract: 一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明涉及一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明的目的是为了解决粒子辐射会引起器件的位移损伤的问题，本发明基于Monte Carlo计算方法，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，以及试样特征，确定入射粒子的类型，保证入射粒子在试样的输运过程中，能够促使试样内部已有的位移缺陷退火。本发明应用基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，步骤简单，易于操作。本发明应用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
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公开(公告)号：CN108345026A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136597.0
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 一种计算带电粒子防护层后能谱的方法，本发明涉及计算带电粒子防护层后能谱的方法。本发明的目的是为了解决现有技术存在轨道带电粒子防护层后能谱的计算速度慢，计算时间长，以及空间粒子辐射会使电子器件的工作寿命缩短，造成巨大损失的问题。过程为：确定轨道入射粒子的微分能谱；确定防护材料及防护材料厚度；确定入射粒子的入射角度；若入射粒子为电子，计算E′1与射程及防护材料厚度的关系；若入射粒子为质子或离子，计算E′2、E′3、E′4和E′5分别与射程及防护材料厚度的关系；计算入射粒子与防护材料的非弹性截面；分别计算电子、质子和离子防护层后的微分能谱。本发明用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
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