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公开(公告)号：CN115591477A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211289438.7
申请日：2022-10-20
Applicant: 吉林大学(CN)
IPC: B01J3/00 , B01J3/02 , C01B21/064 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及化工生产技术领域，公开了一种氮化硼纳米材料规模化生产的装置与方法，其中装置包括真空腔室、冷却水循环系统、真空抽气系统、排气系统、气路、自动搅拌装置、物料反应容器和加热装置，所述自动搅拌装置用于控制物料混合搅拌，所述物料反应容器连接多个均匀分布的进气口，所述加热装置包围物料反应容器，用于控制反应温度。本发明通过在物料反应容器中配备自动搅拌装置和多点位密布的进气通道，提高了原料在气体中的热处理效果和化学反应效率，有效提升物料的单次处理质量与数量，提高氮化硼纳米材料的生产效率。该发明装置简单、制造成本低，易于实现规模化生产；生产方法简便、能耗低、无污染、满足氮化硼纳米材料规模化制备的需求。
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公开(公告)号：CN114225717B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202111560755.3
申请日：2021-12-20
Applicant: 吉林大学
IPC: B01D71/02 , B01D69/10 , B01D67/00 , C04B38/00 , C04B35/622 , C04B35/583 , B01D71/06 , B01D71/34 , B01D71/36 , B01D71/68
Abstract: 本发明提出氮化硼薄膜及其制备方法和应用，涉及滤膜技术领域。所述制备方法，包括如下步骤：1)将硼酸与三聚氰胺溶解于水中，搅拌，升温至水完全蒸发，得前驱体；2)将上述前驱体干燥后，在含氨气的混合气氛作用下，结合程序升温，进行烧结反应后，自然冷却至室温，得多孔氮化硼纤维；3)将上述多孔氮化硼纤维与水混合得悬浊液，然后分散于滤膜基底上，得氮化硼薄膜。本发明所得多孔氮化硼薄膜主要用于分离和过滤等处理中，过程中制得的多孔氮化硼纳米纤维呈现超亲水性并提供大量的吸附活性位点，使滤膜在无额外压力驱动的条件下就具有快速高效的分子分离能力。此外，所得氮化硼3D薄膜具有热学及化学稳定性能，可在极端条件下工作并可实现简单再生。
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公开(公告)号：CN112850661B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110152414.6
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种硒化钛纳米线的制备方法。将钛粉、硒粉以化学计量比均匀混合后压制成片，放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下，将气压升至15‑25kPa、设置反应电流为90‑100A，阴阳两极起弧反应。在石墨锅下沿处收集到黑色粉末，其微观形貌为长度介于1.5‑3μm、直径为20‑100nm的硒化钛纳米线。测试硒化钛纳米线的荧光特性，荧光光谱(PL)的最大发射峰有蓝移现象。
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公开(公告)号：CN114471739A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210104265.0
申请日：2022-01-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化硼纳米片‑石墨烯复合材料的制备方法，属于新材料技术领域。本发明包括以下步骤：(1)分别量取氧化石墨烯分散液和六方氮化硼纳米片粉末，分散在去离子水中，搅拌，将搅拌后的分散液进行超声波处理，得到含有少层氮化硼纳米片和氧化石墨烯的分散液；(2)将分散液装入聚四氟乙烯作为内衬的反应釜中，放入烘箱反应。将反应后的胶体放入冷冻干燥机中干燥至恒重，即得到六方氮化硼纳米片‑还原氧化石墨烯复合材料。制得的产品品质高且成本低。同时，本发明提供的制备方法复合比例可控，操作简单，易于实现工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112875656B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110153038.2
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供碳包覆硒化锰纳米球制备方法及其应用。采用直流电弧法，以锰粉、硒粉和碳粉为原料，按摩尔比为1:1:(0.5‑2)的比例混合均匀放入直流电弧放电装置反应室内的阳极铜锅中，在氩气氛围下，以电流为60‑160A的条件起弧，反应后经冷却钝化在顶盖和水冷壁收集到的黄绿色粉末为碳包覆硒化锰球纳米球，纳米球直径为20‑100nm，碳壳层厚度为7‑10nm。本发明还公开了其在超级电容器方面的应用，将碳包覆硒化锰纳米球涂覆在泡沫镍上，在1A/g的电流密度下，其质量比电容为452.4F/g。
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公开(公告)号：CN109455719B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201811598079.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/914 , B82Y40/00
Abstract: 此发明涉及一种二维纳米薄片状碳化铌的制备方法，属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法；制备条件是高温低压；制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片，放入直流电弧反应腔室内，调整好阴阳两极距离，在特定条件(氩气、气压10‑40kPa和电流95‑105A等)下起弧、反应、冷却钝化后，既在阳极石墨锅下沿处获得长50‑120nm、宽40‑100nm的二维薄片状碳化铌。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高，同时又能保证样品产率与纯净度。制备的薄片状碳化铌形状规则、尺寸均一，可用作某些特定的场发射阴极材料，具有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN111676450B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010589908.6
申请日：2020-06-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及薄膜材料和半导体材料领域，提供了一种基于离子束溅射沉积的六方氮化硼厚膜及制备方法和应用。本发明采用双离子束溅射沉积结合离子束清洗的方法，在衬底表面制备大面积的高质量六方氮化硼厚膜，克服了化学气相沉积方法制备六方氮化硼膜时通常使用有毒、易燃前驱体，解决了以往制备六方氮化硼厚膜时应力过大导致厚膜顶端开裂以及对衬底的附着力不好的问题，不使用催化金属\合金等衬底过渡层和氮化物缓冲层，通过控制离子束溅射沉积的参数，制备的六方氮化硼厚膜的稳定性明显提高、结构更为有序、杂质含量极少、绝缘性良好、膜厚可达1μm。本发明制备的六方氮化硼厚膜可应用于电子和光电子器件中的绝缘层、保护层、介质层和散热层等。
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公开(公告)号：CN111710750A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010588569.X
申请日：2020-06-24
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18 , H01L21/203
Abstract: 一种基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法，包括衬底、紫外光敏层和叉指电极，其中紫外光敏层为高质量六方氮化硼厚膜，对日盲波段有很好的响应。所述六方氮化硼厚膜本身具有的固有性能非常卓越，通过离子束溅射沉积方法制备六方氮化硼厚膜纯度非常高，具有良好的稳定性、厚度可控、无毒无污染等优点，通过掺杂目标杂质可以调整带隙宽度，从而提高了深紫外光电探测器的光电导增益和短波段光响应，实现紫外光电探测器对日盲波段的有效探测。
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公开(公告)号：CN110061046B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910382491.3
申请日：2019-05-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅衬底上制备n型硼碳氮薄膜；然后在n型硼碳氮薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过控制磁控溅射的生长参数，得到包含柱状氮化硼纳米晶的n型硼碳氮导电层，其纳米晶取向可控；获得了整流特性良好的n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。
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