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公开(公告)号：CN102393264A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110343031.3
申请日：2011-11-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种基于纳米压电纤维的压力传感器，涉及一种压力传感器。提供一种灵敏度较高的基于纳米压电纤维的压力传感器。设有硅基底、硼掺杂层、二氧化硅薄膜、金属电极和PVDF纳米压电纤维；所述硼掺杂层设于硅基底的上表面，硼掺杂层与硅基底连为一体，硅基底内设有空腔，二氧化硅薄膜生长在硅基底无空腔的一侧，2个金属电极固定在二氧化硅薄膜上，PVDF纳米压电纤维直接写在2个金属电极之间，PVDF纳米压电纤维与金属电极之间形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102230837A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110078435.4
申请日：2011-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种带温度补偿式微真空传感器，涉及一种微真空传感器。设有衬底、硅尖阵列发射阴极、金属阳极、阴极引出电极、阳极引出电极、2个发射腔体，金属阳极和阳极引出电极溅射在衬底的表面上，阴极引出电极溅射在硅片上，硅尖阵列发射阴极刻蚀在硅片上，硅片与衬底键合在一起形成第1发射腔体和第2发射腔体，第1发射腔体与所测环境相互连通，第2发射腔体通过键合技术使硅片与衬底真空密封，第1发射腔体和第2发射腔体通过硅片连接在一起，通过阳极引出电极和阴极引出电极在第1发射腔体和第2发射腔体的阴极与阳极之间加上固定电压。测量准确、具有推广应用价值。
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公开(公告)号：CN102019240A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010611543.9
申请日：2010-12-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 可起停控制的电纺直写喷头，涉及一种电纺直写喷头。提供一种可自动起停控制、降低喷射开启电压、实现喷射与直写图案特征有机结合、完成复杂图案微纳米结构直写的可起停控制的电纺直写喷头。设带喷头空心套管、带螺纹调节塞、线圈、衔铁、回位弹簧、探针、排气管道；带喷头空心套管前端设有喷孔和注入孔，带螺纹调节塞设于带喷头空心套管后端，线圈套在带喷头空心套管外侧，衔铁设于带喷头空心套管内，探针与衔铁固连，探针前端位于带喷头空心套管前端的喷孔中，探针后端与回位弹簧一端固连，回位弹簧另一端与带螺纹调节塞内端固连，排气管道设于带螺纹调节塞上，排气管道内端与带喷头空心套管内腔相通，排气管道外端与外界相通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101546496A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910111570.7
申请日：2009-04-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种应用随机微观三维结构图形的防伪方法，涉及一种防伪技术。提供一种有别于二维的自然纹理防伪产品，制造方法简单，仿造难度大的应用随机微观三维结构图形的防伪方法。在平板正电极上表面旋涂高分子液体得高分子薄膜；将三角形楔体置薄膜上，将平板负电极放在楔体上；加热样品，开启电压源，调节平板正负电极之间的间隙，形成随机微观三维结构图形；冷却后关闭电压源；剥离平板负电极和楔体后确定随机微观三维结构图形的观察位置并作上标志；放大摄影，对准标志区域放大到50～400倍，拍摄图形并将其存入联网的数据库；按查询说明，对附在产品上的平板正电极标志处的三维结构图形观察后，联网登录到数据库进行图形比对，确定产品的真伪。
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公开(公告)号：CN100513300C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610135261.X
申请日：2006-11-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 微纳米结构直写装置，涉及一种亚微米线宽的聚合物材料直写装置。提供一种基于“近场静电纺丝”技术，实现高分子材料或具有一定粘性材料的快速直写，最小直径/线宽可低于300nm/20μm，突破了喷印技术的线宽限制，应用范围更加广泛的微纳米结构直写装置。设有微探针控制平台、集成高压静电电源、流量控制器、X-Y平台、探针和CCD显微镜；集成高压静电电源用于为探针提供电压，集成直流高压电源的正极接探针，负极接地；流量控制器固定在微探针控制平台上，流量控制器由管道连接探针；探针作为材料直写的喷丝头，探针安装于微探针控制平台上；显微镜用于观察静电纺丝过程及材料写入图形的效果，显微镜设于微探针控制平台上。
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公开(公告)号：CN100513298C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610135263.9
申请日：2006-11-28
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 硅金键合方法，涉及一种硅金键合方法。提供一种可提高硅金键合晶片的键合品质，基于硅基多孔氧化铝的新型MEMS器件硅金键合方法。步骤为采用两步恒压阳极氧化法制备硅基多孔氧化铝薄膜：用电子束蒸发方法在硅片上制备一层厚度1.0～1.5μm的铝膜，一次氧化后用6wt%的磷酸和1.8wt%的铬酸混合液去除一次氧化膜，再二次氧化后用5wt%的磷酸进行扩孔处理；制备键合晶片：将Si-AAO-Ti-Au与Si-Ti-Au 2片硅片放入键合器，烘干后在N2保护下退火得键合晶片。硅金键合晶片的键合强度由1.78MPa提高到3.03MPa，晶片的键合品质得到显著提高；而晶片的断裂界面没有发生什么变化，说明基于AAO的硅金键合晶片依然遵循硅金键合晶片的断裂特性。
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公开(公告)号：CN117566683A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311564885.3
申请日：2023-11-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种压阻式压力传感器压敏电阻的制作方法，该方法主要由清洗工艺、光刻工艺、扩散工艺、电感耦合等离子体刻蚀工艺、退火工艺组成。该发明目的在于将扩散工艺和电感耦合等离子刻蚀工艺相结合，提出一种简化的工艺方案，即配合刻蚀工艺，仅进行一次扩散掺杂工艺即可同时制作压阻式压力传感器轻、重掺杂区域的方法，减少MEMS压阻式压力传感器的工艺步骤及工艺成本。该方法可适用于包括但不限于基于硅衬底的压阻式压力传感器的轻掺杂及重掺杂区域制作，对于简化传感器制作的工艺步骤、降低制作成本具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN110841871B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201911227125.7
申请日：2019-12-04
Applicant: 厦门大学
IPC: B05C5/02
Abstract: 本发明公开了一种带有杠杆初始位置精确调节机构的压电驱动点胶阀，其中，该压电驱动点胶阀可包括基体、与所述基体连接在一起的流道装置、安装在所述基体内的复位弹簧、压电陶瓷、杠杆、大楔形块、第一小楔形块、第二小楔形块和陶瓷球以及安装在所述基体和所述流道装置中的撞针组件，所述复位弹簧、杠杆和大楔形块采用一体化线切割成型，杠杆的左端部的下表面设有一锥形孔，陶瓷球被夹持在锥形孔中并且其下端与撞针组件的撞针的上端面接触。该压电驱动点胶阀整体体积小，内部组件少，安装精度高，杠杆与撞针采用分离设计，既减少了摩擦，又减少了杠杆运动的横向位移对撞针的竖直方向运动产生影响，喷嘴的密封性好。
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