公开(公告)号：CN118392017A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410624455.4

申请日：2024-05-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王凌云 ,  张伟霖 ,  周祖航 ,  卜振翔 ,  李佳音 ,  吴宇宸

IPC: G01B7/02

Abstract: 一种电容位移传感器制造方法，涉及电容位移传感器，涉及一种电容位移传感器。提供与半导体工艺兼容的一种电容位移传感器制造方法。设有探头、绝缘基板、上壳体、下壳体、电缆。所述探头采用半导体工艺制造，探头主体的导电与绝缘部分集成制造，探头正面为三个导电部分和两个绝缘部分相互共面嵌套，作为测量平面；探头背面制备绝缘层，在特定位置嵌有导电材料，与绝缘基板粘接和电学连接。探头通过绝缘基板与下壳体固定连接，电缆穿过上壳体与绝缘基板的导电材料连接；所述绝缘基板与传感器金属上下壳体粘接，其中的导电材料与电缆连接。具有批量制造降低成本、降低装配难度、提高装配同轴度的优点。

公开(公告)号：CN117566683A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311564885.3

申请日：2023-11-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王凌云 ,  周祖航

IPC: B81C1/00 ,  H01C7/10

Abstract: 一种压阻式压力传感器压敏电阻的制作方法，该方法主要由清洗工艺、光刻工艺、扩散工艺、电感耦合等离子体刻蚀工艺、退火工艺组成。该发明目的在于将扩散工艺和电感耦合等离子刻蚀工艺相结合，提出一种简化的工艺方案，即配合刻蚀工艺，仅进行一次扩散掺杂工艺即可同时制作压阻式压力传感器轻、重掺杂区域的方法，减少MEMS压阻式压力传感器的工艺步骤及工艺成本。该方法可适用于包括但不限于基于硅衬底的压阻式压力传感器的轻掺杂及重掺杂区域制作，对于简化传感器制作的工艺步骤、降低制作成本具有重要的应用价值。