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公开(公告)号：CN119230612A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411733732.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L27/07 , H01L29/872 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件，包括金属漏极、N型掺杂半导体衬底、N型掺杂半导体外延层、N型掺杂半导体JFET区、栅极深沟槽、金属栅极、源极浅沟槽、SBD金属、P型掺杂半导体屏蔽层和金属源极。金属栅极嵌设在栅极深沟槽顶部。本发明中的SBD金属、源极浅沟槽和P型掺杂半导体屏蔽层，能减少器件短路时的电流密度，降低器件在短路时的温度，避免器件发生热击穿、以提高器件的耐短路能力。另外，本发明中填充有高K电介质的栅极深沟槽，能调制漂移区的电势分布，以保证低导通电阻和高反向击穿电压，从而兼顾器件的导通电阻和耐短路能力的改善，有效调和二者的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN118943199A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411433922.1
申请日：2024-10-15
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了分裂高K金属栅超结碳化硅沟槽MOSFET及制备方法，包括半导体漏区、半导体N型漂移区、半导体P型漂移区、P型阱区、半导体N型源区、半导体P型源区和分裂高K金属栅结构；分裂高K金属栅结构包括深槽高K介质区、分裂栅金属和栅极金属；分裂栅金属和栅极金属位于深槽高K介质内部；与分裂高K金属栅结构相接触的半导体N型漂移区界面上，从上至下依次布设有半导体源区、P型阱区和半导体漂移区。本发明在动态时，分裂高K金属栅结构能减小漏栅电容，改善器件的动态性能；深槽高K介质区调制漂移区电场提高击穿电压，提高漂移区浓度降低比导通电阻；深槽高K介质区内部的峰值电场得到降低，提高栅介质稳定性。
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公开(公告)号：CN118364728B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410788979.7
申请日：2024-06-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F18/24 , G06N20/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习和跨尺度迭代耦合的器件电热应力提取方法，包括1、确定参数范围；2、提供参数数值给器件级电学计算工具与封装‑系统级热学计算工具；3、器件级电学计算；4、器件电热应力输出与判断；5、功率损耗计算；6、封装‑系统级热学计算；7、器件‑封装‑系统级电热耦合计算；8、机器学习模型选取与训练；9、器件电热应力预测。本发明提供的跨尺度迭代耦合技术模拟半导体器件实际工作状态下的动态电热耦合效应，显著提高器件电热应力计算精确度。同时通过机器学习辅助计算，实现从半导体器件‑封装‑系统级结构参数、电激励参数、工作时间及环境温度到器件电热应力的预测过程，具有准确性高、计算速度快等优点。
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公开(公告)号：CN118198115B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410622788.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种高压低功耗SOI LIGBT，其在漂移区内引入自阴极至阳极逐渐减小的介质槽，靠近主栅极结构的介质槽内有多晶硅槽为辅助槽栅，该槽栅与主栅短接。在阻断时，变宽度介质槽使得漂移区内杂质分布呈由阴极至阳极增加，获得均匀表面电场，大大提高器件耐压；在正向导通时，介质槽在漂移区近阴极端形成窄台面，实现注入增强和低导通压降；在关断过程中，相同耐压级别下，漂移区内过剩载流子小，实现快关断和低关断损耗。本发明可实现高耐压，在不增加导通压降的情况下，具有更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN114912342B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210312686.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06Q10/0639 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多质量参数的封装引线键合工艺参数优化方法，先获取与引线键合质量参数相关的工艺参数和每个工艺参数的取值范围，随机组合工艺参数，通过实验和仿真收集不同工艺参数条件下的引线键合的质量参数，生成数据集，基于神经网络进行训练；结合质量参数预测模型生成目标函数，设置初始参数集合并导入质量参数预测模型，得到相应的质量参数的实时预测值；将新的工艺参数集合导入质量参数预测模型，得到满足设计要求的质量参数。本发明利用贝叶斯优化算法，自动简单地优化引线键合的工艺参数，使得最终优化过后的工艺参数的质量参数能够达到目标值，从而降低人力、物力耗费，具有成本低，速度快，精度高等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118251019A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410400227.9
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于功率半导体分立器件设计与制造领域，公开了一种具有漏场板结构的有机半导体功率器件，包括器件本体和漏场板。所述器件设置有衬底、有机半导体层、栅极介质层和栅极电极、源电极和漏电极；位于栅极电极和漏电极之间的有机半导体层形成横向漂移区，漏场板采用金属材质，所述通孔是先使用光刻工艺对所需刻蚀的部分进行图案化，再使用刻蚀工艺成孔，最后借助未剥离的光刻胶使用蒸镀工艺填充金属材料形成，所述通孔连接漏电极与漏场板。器件工作在关态时，漏场板的设计能够增加电场峰值点的数量从而均匀电场，提高器件的耐压性能；器件工作在开态时，漏场板的设计可以提高漂移区内的载流子浓度，从而提高器件的饱和电流和开关比。
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公开(公告)号：CN118012220B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410411938.6
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种基于威尔逊电流镜的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，基于电流提供电路（1）提供驱动电流，由第一镜像电流源控制开关电路（4）、第二镜像电流源控制开关电路（5）分别检测待测试SiC MOSFET U1的源极的电压，并控制相应第一旁路电流产生电路（2）、第二旁路电流产生电路（3）分别工作，进而对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案在开通和关断过程中设计切入栅极驱动电路的旁路威尔逊电流镜，用于加快开关过程中的栅源电压（#imgabs0#）变化速度，从而在不影响漏源电压（#imgabs1#）、漏极电流（#imgabs2#）过冲的情况下加快开关速度，从而达到减小开关损耗的目的。
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公开(公告)号：CN118198115A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410622788.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种高压低功耗SOI LIGBT，其在漂移区内引入自阴极至阳极逐渐减小的介质槽，靠近主栅极结构的介质槽内有多晶硅槽为辅助槽栅，该槽栅与主栅短接。在阻断时，变宽度介质槽使得漂移区内杂质分布呈由阴极至阳极增加，获得均匀表面电场，大大提高器件耐压；在正向导通时，介质槽在漂移区近阴极端形成窄台面，实现注入增强和低导通压降；在关断过程中，相同耐压级别下，漂移区内过剩载流子小，实现快关断和低关断损耗。本发明可实现高耐压，在不增加导通压降的情况下，具有更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN115799260B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310046535.1
申请日：2023-01-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开一种负电容围栅纳米片晶体管结构CMOS反相器及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。负电容围栅纳米片结构CMOS反相器包括一个P型负电容围栅纳米片晶体管和一个N型负电容围栅纳米片晶体管。每个负电容围栅纳米片晶体管包括：衬底、有源区和环绕式栅极；有源区包括源漏和多层纳米片结构，纳米片由侧墙和内侧墙共同支撑。环绕式栅极由依次包围覆盖在纳米片外围的氧化层、铁电材料层和金属栅组成，从而产生负电容效应，该铁电材料层具有电压放大功能，可降低器件的亚阈值摆幅到60mV/decade以下。有效改善CMOS反相器的电压转移特性，进一步微缩CMOS反相器特征尺寸，提高器件集成度。
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公开(公告)号：CN117038704A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310969940.0
申请日：2023-08-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/51 , H01L21/328 , H01L21/334
Abstract: 本发明公开了一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法，括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属；横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形，有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区；复合场限环具有至少两个，以半导体漏区的中心为圆心，等距内嵌在漂移区的顶面中；每个复合场限环均包括P型区域和介质区域；P型区域围绕在介质区域的两侧及底面。本发明中复合场限环的高K介质材料，能够有效调制表面电场避免表面电荷对场限环的影响，从而提高击穿电压；同时提高漂移区掺杂浓度，降低器件导通电阻。另外，栅介质、场介质和复合场限环中的介质采用同种介质材料，降低工艺难度。
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