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公开(公告)号：CN110534655B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201810509341.X
申请日：2018-05-24
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿量子点薄膜及其制备方法和器件，钙钛矿量子点薄膜的制备方法包括以下步骤：将AX、BX2和短链有机配体溶于溶剂中获得钙钛矿ABX3前驱体溶液，其中A为金属阳离子或烷基铵离子、B为二价金属阳离子、X为卤素阴离子；在旋涂过程中结合反溶剂法原位生长钙钛矿量子点薄膜，并进行加热退火。本发明的优点是在旋涂制备薄膜过程中原位生长钙钛矿量子点，薄膜成膜性好、荧光量子效率高、制备工艺简单、发光波长可调，并且可采用短链有机配体，使量子点薄膜的导电性提升，有利于制备出更高效、稳定的钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号：CN108630825A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710177751.4
申请日：2017-03-23
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性钙钛矿材料以及方法和器件，所述钙钛矿材料的前驱体溶液通过AX、BX和MX2按摩尔比1～100:1～100:1～100、质量浓度1％～60％配制得到；其中A+是带有卤素取代基的有机阳离子，A+结构式为R(X)n-Y+，R为具有1～50个碳原子的脂族烃基、具有5～100个碳原子的脂环族烃基、具有6～100个碳原子的任取代的芳基或具有3～100个碳原子的任取代的杂环基，X是取代R中任意碳上连接的氢的卤素，n＝1～300，Y+为伯铵、仲铵、叔铵、季铵、脒、含N杂环有机阳离子中的任意一种；B+为金属阳离子或烷基铵盐；M2+为二价金属阳离子；X为卤族元素。通过在钙钛矿材料中引入碳上含卤素取代的有机组分，形成稳定的维度可调的钙钛矿材料，在保证器件效率的前提下，器件稳定性得到显著提高。
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公开(公告)号：CN108305948A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710019208.1
申请日：2017-01-11
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法及其应用和器件，通过薄膜后处理工艺来调节钙钛矿材料多量子阱结构；选用的材料为可自组装形成多量子阱结构的钙钛矿材料，该材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到，其中A为R1-Y+，R1-为具有1～50个碳原子的脂族烃基、具有5～100个碳原子的脂环族烃基、具有6～100个碳原子的任取代的芳基或具有3～100个碳原子的任取代的杂环基，Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种；B为甲胺、甲脒或金属离子；M为金属元素；X1X2X3为卤族元素；薄膜后处理条件为：加热退火、溶剂退火、真空干燥三者之一或其组合；通过多量子阱结构的调控可实现器件效率的优化。
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公开(公告)号：CN105895803B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610051400.4
申请日：2016-01-26
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48 , H01L51/00 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L51/42 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿光电器件，包括衬底、电极层和功能层，所述电极层设置于衬底表面，功能层设置在电极层之间，功能层至少包括钙钛矿层，其中，所述钙钛矿层为具有自组装多量子阱结构的钙钛矿材料，通过调整材料组分，可实现多量子阱宽度的可控调节及多量子阱之间有效的能量转移，发光颜色可以是近紫外、可见光和近红外光，并且可有效解决现有钙钛矿材料薄膜不连续和稳定性差的问题。本发明制备钙钛矿光电器件的工艺简单、成本低廉，适合广泛应用于大面积、低成本、柔性衬底和高性能器件的工业化生产。本发明还公开了一种钙钛矿材料，可用于光致发光、电致发光、光伏及薄膜晶体管器件中。
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公开(公告)号：CN119816158A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411078386.8
申请日：2024-08-07
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明属于显示领域，公开一种基于钙钛矿材料的全彩Micro‑LED芯片阵列及其制备方法，包括多个颜色的钙钛矿Micro‑LED芯片，每个颜色钙钛矿Micro‑LED芯片包括功能层和电极，所述的功能层包括Micro‑LED底部传输层、Micro‑LED活性层和Micro‑LED顶部传输层，在单色钙钛矿Micro‑LED活性层上通过卤素阴离子交换的方法获得其它颜色的钙钛矿Micro‑LED活性层。本发明全彩钙钛矿Micro‑LED可以通过衬底图案化直接制备满足分辨率的显示屏幕，相对于基于巨量转移制备的Micro‑LED芯片阵列，其制备成本低，易于实现钙钛矿Micro‑LED芯片阵列的高通量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119571278A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311151612.6
申请日：2023-09-07
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及光致发光材料技术领域，具体公开了一种真空沉积薄膜过程中薄膜质量的监控方法，所述的方法包括以下步骤：在真空沉积薄膜过程中，测得薄膜的光致发光强度和激发光的实时强度；基于所述光致发光强度和激发光的实时强度计算得到相对光致发光量子效率；基于所述相对光致发光量子效率监控所述薄膜的成膜质量，确定最佳的沉积条件。本发明提出的真空沉积薄膜过程中薄膜质量的监控方法，通过基于测得的真空沉积过程中薄膜的光致发光强度和激发光的实时强度，计算出真空沉积过程中薄膜的相对光致发光量子效率，并通过相对光致发光量子效率监测薄膜的成膜质量，进一步确定最佳的沉积条件。
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公开(公告)号：CN119092568A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310656990.3
申请日：2023-06-05
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01L31/032 , C01G3/00 , H01L31/09 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种类圆形结构CsCu2I3钙钛矿薄膜以及紫外光电探测器，所述的CsCu2I3薄膜由紧密堆积的类圆形晶粒构成，晶粒之间无缝隙，均匀分布于整个薄膜中，晶粒的直径0.01‑100μm，薄膜厚度为80‑2000nm。本发明薄膜相比于现有的纳米晶和微米线，制备工艺更简单、重复率更高，而且薄膜样品更容易满足大面积和柔性器件的制备，有着更广泛的应用场景和潜力，可用于电弧成像、光学测量、导弹制导、夜视系统、机器视觉、柔性可穿戴探测设备等，在图像传感、军事监察、天气监测、信息通讯等领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119072141A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310624801.4
申请日：2023-05-30
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种长寿命钙钛矿发光二极管及其制备方法。所述的长寿命发光二极管的结构由下至上依次包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿颗粒层、空穴传输层和电极层；其中，钙钛矿颗粒层与空穴传输层之间的界面形貌为悬浮式桥洞状结构。本发明通过调控钙钛矿与空穴传输层之间的界面形貌，阻止卤素离子向电极层迁移，得到的器件界面结构减少了空穴传输层与钙钛矿颗粒间隙中残留原料的接触，抑制了卤素离子从钙钛矿层向空穴传输层的迁移，从而提升发光二极管的稳定性，实现长寿命钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号：CN119059551A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310649689.X
申请日：2023-06-02
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01G3/00 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L33/26 , H01L33/00
Abstract: 本发明属于无机金属卤化物钙钛矿材料与光电探测技术领域，公开了溶液法制备的铜基钙钛矿Cs5Cu3X8薄膜及光电器件。本发明利用一步旋涂法制备得到的无杂相、羽状晶粒组成的Cs5Cu3X8(X＝Cl、Br、I)多晶薄膜，其吸收截止在340nm前，对可见光没有吸收，PLQY高(98％)，荧光量子寿命高(60.2μs)，无自吸收。将薄膜在不同衬底上一步旋涂制得高性能的光伏型紫外光电探测器、光电导型紫外光电探测器和发光二极管(LED)，可用于光学测量、机器视觉、电弧成像、导弹制导、夜视系统、光学显示等，在图像传感、军事监察、天气监测、信息通讯等领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118813253A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310416271.4
申请日：2023-04-18
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种锡基钙钛矿的制备方法，该方法是在ABX3型锡基钙钛矿的前驱体溶液中加入缺陷抑制剂D，在无反溶剂处理的条件下，利用溶液法制备得到；上述锡基钙钛矿中，A为能形成三维钙钛矿的有机或无机阳离子，B为Sn2+阳离子或Sn2+/Pb2+混合阳离子，X为卤素阴离子，D为有机铵盐、有机膦盐、有机酸及其盐、离子液体、氨基酸、维生素、嘌呤及其衍生物、嘧啶及其衍生物中的一种或多种。本发明能够抑制锡基钙钛矿结晶过程中荧光猝灭中心的形成，从而提高锡基钙钛矿的荧光量子效率和光电器件性能。
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