公开(公告)号：CN119816158A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411078386.8

申请日：2024-08-07

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 钱冬敏 ,  王建浦 ,  王娜娜 ,  刘晶龙 ,  梁晓鹏

IPC: H10K59/95 ,  H10K50/11 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明属于显示领域，公开一种基于钙钛矿材料的全彩Micro‑LED芯片阵列及其制备方法，包括多个颜色的钙钛矿Micro‑LED芯片，每个颜色钙钛矿Micro‑LED芯片包括功能层和电极，所述的功能层包括Micro‑LED底部传输层、Micro‑LED活性层和Micro‑LED顶部传输层，在单色钙钛矿Micro‑LED活性层上通过卤素阴离子交换的方法获得其它颜色的钙钛矿Micro‑LED活性层。本发明全彩钙钛矿Micro‑LED可以通过衬底图案化直接制备满足分辨率的显示屏幕，相对于基于巨量转移制备的Micro‑LED芯片阵列，其制备成本低，易于实现钙钛矿Micro‑LED芯片阵列的高通量生产。

公开(公告)号：CN119816157A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202410144584.3

申请日：2024-02-01

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王建浦 ,  王娜娜 ,  刘晶龙 ,  钱冬敏

IPC: H10K59/90 ,  H10K71/00 ,  H10H20/85 ,  H10H20/01 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种基于红光钙钛矿的全彩Micro‑LED芯片阵列及其制备方法，该阵列包括若干个Micro‑LED芯片，每个所述的芯片包括衬底和在衬底上设置的蓝、绿光Micro‑LED，距离蓝、绿光Micro‑LED 0.1～100μm处设置有红光钙钛矿Micro‑LED。该钙钛矿红光Micro‑LED可以直接制备在蓝、绿光Micro‑LED阵列上，无需转移集成，本发明得到的全彩Micro‑LED芯片阵列具有制备成本更低、色纯度更高、无明显侧壁效应、效率更高的优势。