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发明公开
一种长寿命钙钛矿发光二极管及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119072141A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202310624801.4

申请日：2023-05-30

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王建浦 , 伊昌 , 王艾如 , 陶相儒

IPC: H10K50/11 , H10K85/50 , H10K71/12

Abstract: 本发明公开了一种长寿命钙钛矿发光二极管及其制备方法。所述的长寿命发光二极管的结构由下至上依次包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿颗粒层、空穴传输层和电极层；其中，钙钛矿颗粒层与空穴传输层之间的界面形貌为悬浮式桥洞状结构。本发明通过调控钙钛矿与空穴传输层之间的界面形貌，阻止卤素离子向电极层迁移，得到的器件界面结构减少了空穴传输层与钙钛矿颗粒间隙中残留原料的接触，抑制了卤素离子从钙钛矿层向空穴传输层的迁移，从而提升发光二极管的稳定性，实现长寿命钙钛矿发光二极管。

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