一种真空沉积薄膜过程中薄膜质量的监控方法及装置

    公开(公告)号:CN119571278A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202311151612.6

    申请日:2023-09-07

    Abstract: 本发明涉及光致发光材料技术领域,具体公开了一种真空沉积薄膜过程中薄膜质量的监控方法,所述的方法包括以下步骤:在真空沉积薄膜过程中,测得薄膜的光致发光强度和激发光的实时强度;基于所述光致发光强度和激发光的实时强度计算得到相对光致发光量子效率;基于所述相对光致发光量子效率监控所述薄膜的成膜质量,确定最佳的沉积条件。本发明提出的真空沉积薄膜过程中薄膜质量的监控方法,通过基于测得的真空沉积过程中薄膜的光致发光强度和激发光的实时强度,计算出真空沉积过程中薄膜的相对光致发光量子效率,并通过相对光致发光量子效率监测薄膜的成膜质量,进一步确定最佳的沉积条件。

    一种基于吸收光谱监控真空沉积薄膜质量的方法及装置

    公开(公告)号:CN117328030A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311307093.8

    申请日:2023-10-10

    Abstract: 本发明涉及薄膜技术领域,具体公开了一种基于吸收光谱监控真空沉积薄膜质量的方法及装置,所述的方法包括以下步骤:在真空沉积薄膜过程中,实时监测在基片上沉积的薄膜的吸收光谱;基于所述吸收光谱监控所述薄膜的成膜质量,确定最佳的沉积条件。本发明提出的基于吸收光谱监控真空沉积薄膜质量的方法,通过在真空沉积薄膜过程中实时监测在基片上沉积的薄膜的吸收光谱,可以实现薄膜成膜质量的实时监测,面向薄膜制备的整个过程,有助于得到基于真空沉积技术制备薄膜的最佳成膜条件,作为衡量薄膜性能的重要参数,从而全面指导薄膜制备。

Patent Agency Ranking