公开(公告)号：CN111490112B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010309443.4

申请日：2020-04-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 王致远 ,  陆海 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器及其制备方法，该新型碳化硅肖特基结极深紫外探测器，包括从下到上依次相接的n型欧姆接触电极、衬底、n型低掺外延层和n型肖特基接触电极，n型肖特基接触电极沿周边设有金属导电电极，金属导电电极沿周边设有钝化层。本发明有效规避了传统p‑i‑n结构常规紫外探测器在应用于极深紫外波段探测时，发生的极深紫外光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了极深紫外波段探测器的量子效率；进一步，通过将肖特基电极结构优化为不完全填充结构，更加有效地降低了极深紫外光子在金属电极表面的反射与吸收，进一步提升了肖特基结探测器在极深紫外波段尤其是真空紫外波段的量子效率。

公开(公告)号：CN113671688A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110852943.7

申请日：2021-07-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 任芳芳 ,  刘泽森 ,  石娅婷 ,  刘兴华 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  王宜望

IPC: G02B26/02 ,  G02B5/20 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种广谱可调超窄带通滤光系统。该系统包括具有缺陷模的一维光子晶体、级联光子晶体结构和多通道滤光通路；其中，具有缺陷模的一维光子晶体包括由高折射率介电材料和低折射率介电材料周期堆叠构成的布拉格反射结构、缺陷层和布拉格反射结构的镜像结构依次排列构成；多个具有缺陷模的一维光子晶体通过连接层连接在一起形成级联光子晶体结构；多个级联光子晶体结构分别分装在多通道滤光通路中。本发明基于级联光子晶体结构的超窄带通滤光片，具有结构简单，光子晶体薄膜材料选择丰富等优点，通过优化光子晶体结构参数可实现广谱超窄带通滤光，满足了多种场景下的需求。

公开(公告)号：CN113328007A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110623694.4

申请日：2021-06-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  王致远 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅超薄n型欧姆接触层n‑i‑p型极深紫外探测器及其制备方法，该探测器包括从下到上依次相接的衬底、p型SiC高掺外延层、p型SiC低掺外延层、n型SiC超薄高掺外延层和n型欧姆接触电极，p型SiC高掺外延层上设有p型欧姆接触电极，n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极上均设有金属导电电极，n型SiC超薄高掺外延层的厚度不大于30nm。本发明有效规避了传统p‑i‑n结构常规紫外探测器在应用于EUV波段探测时所发生的EUV光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了EUV波段探测器的量子效率；同时有效规避了肖特基结EUV探测器在应用于高能光子辐照以及高温环境中时存在于辐照稳定性以及温度稳定性方面的风险。

公开(公告)号：CN111613527A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010428472.2

申请日：2020-05-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 石娅婷 ,  任芳芳 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  叶建东 ,  周东

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 一种基于Mg离子注入与高温退火工艺实现氮化镓p型掺杂的方法，包括对GaN材料进行Mg离子注入与高温退火。采用与硅工艺兼容的Mg离子注入与高温退火工艺过程，并结合氮化镓表面保护层的应用，在高温激活Mg受主杂质并修复氮化镓晶格的同时，保护氮化镓表面不被分解，实现氮化镓p型掺杂；所述离子注入过程中引入的第一保护层为氮化铝、铝镓氮、氮化镁、氧化镁、氮化硅中的一种或二种以上多层复合介质，淀积方式为金属有机化合物化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积中的至少一种。

公开(公告)号：CN107611193B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201710801393.X

申请日：2017-09-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  蔡小龙 ,  李良辉 ,  周东

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型n‑i‑p‑n半台面垂直结构的碳化硅雪崩二极管及其制备方法。本申请碳化硅雪崩二极管，为n‑i‑p‑n结构，从下到上依次包括：下金属接触电极、n型导电SiC衬底、p型SiC接触层、i型SiC雪崩层、n型SiC过渡层、n+型SiC接触层和上金属接触电极，其中，n型SiC过渡层和n+型SiC接触层形成下大上小的台面状，n型SiC过渡层的下表面面积小于i型SiC雪崩层上表面面积，n型SiC过渡层的外围、n+型SiC接触层的外围、及没有被n型SiC过渡层覆盖的i型SiC雪崩层的上表面均设有钝化层。本发明减小了刻蚀损伤，提高了器件性价比；器件可以采用质量更好的n型欧姆接触；提高了器件工作效率，降低了雪崩噪声，减少了引出导线数量，降低了器件成本。

公开(公告)号：CN109056058A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810928148.X

申请日：2018-08-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李悦文 ,  熊则宁 ,  张荣 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  陆海 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/40 ,  C30B33/08

CPC classification number: C30B25/183 ,  C30B29/16 ,  C30B29/406 ,  C30B33/08

Abstract: 一种制备GaN衬底材料的方法，在多功能氢化物气相外延(HVPE)生长系统中，原位外延Ga2O3和GaN薄膜；先在衬底如蓝宝石或硅片上利用类HVPE方法生长氧化镓薄膜，并在氨气气氛中对氧化镓进行原位部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN缓冲层；然后在缓冲层上进行GaN的HVPE厚膜生长，获得高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用传统的激光剥离的方法，实现GaN厚膜与异质衬底如蓝宝石之间的分离，得到GaN自支撑衬底材料。

公开(公告)号：CN108298638A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810127420.4

申请日：2018-02-08

Applicant: 南京大学 ,  青岛杰生电气有限公司

Inventor： 李文涛 ,  余维敏 ,  吴亚萍 ,  郑继强 ,  程士 ,  蔡珉晖 ,  周德保 ,  梁旭东 ,  李清钞 ,  季闻翔 ,  李燕 ,  张志俭 ,  陆海 ,  吴吉春 ,  李爱民

IPC: C02F1/32 ,  C02F1/76 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明公开了一种含水质监测功能的末端消毒净水组件及使用方法，属于末端净水领域。所述末端消毒净水组件包括流体腔、密封部件、光学探测模块依次连接，所述密封部件设置入水口，流体腔设置出水口，光学探测模块包括紫外LED模块、LED电路板、荧光探测模块，所述的LED电路板为中空圆环结构，所述的紫外LED模块安装在LED电路板的圆环上，荧光探测模块安装在LED电路板的中空部位。所述的末端消毒净水组件具有体积小、成本低、结构简单、易于安装、灵敏度高杀菌效果好的优点，本发明还提供了该末端消毒净水组件的校准使用方法。

公开(公告)号：CN105181667B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201510738667.6

申请日：2015-11-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 李文涛 ,  武辰飞 ,  李爱民 ,  陆海 ,  苏统奎 ,  田王昊 ,  李启端 ,  金晶 ,  李强 ,  周庆

IPC: G01N21/64 ,  G01N21/33

Abstract: 本发明公开了一种以单个UV‑LED为光源的紫外荧光三信号水质传感器及应用，属于环境监测和水处理领域。本发明的紫外荧光三信号水质传感器，包括光路部分和信号控制处理部分，光路部分包括1个UV‑LED、样品池、紫外探测器、荧光探测器A和荧光探测器B；信号控制处理部分包括电源模块、信号放大器A、信号放大器B、信号放大器C、模数转换器和微处理器。本发明具有无化学试剂消耗，可以实现对水体中溶解性有机物总体浓度变化的实时监测，同时可以反映蛋白类或腐殖质类等荧光组分浓度的实时变化，可以用于在线预测消毒副产物生成势以及高级氧化工艺中微污染物的降解程度，为水处理提供一种灵敏、快速、高效、经济、简易但信息丰富的在线监测装置。

公开(公告)号：CN106803478A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201611113575.X

申请日：2016-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  陈琳 ,  陈丁丁 ,  李悦文 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中，开始GaN纳米结构生长；先在低温下生长GaN缓冲层，然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列；缓冲层生长温度：500–1000℃，纳米线阵列生长温度1000‑1150℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量0.5‑5slm。

公开(公告)号：CN104198391B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410502662.9

申请日：2014-09-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 李文涛 ,  武辰飞 ,  李爱民 ,  陆海 ,  田王昊 ,  苏统奎 ,  李启端

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/64 ,  G01N21/33

Abstract: 本发明公开了一种以LED发光二极管为光源的紫外荧光双信号水质监测装置及其应用方法，属于环境监测和水处理领域。本发明的一种以LED发光二极管为光源的紫外荧光双信号水质监测装置，由样品采集部分和检测部分组成。本发明的应用方法，是根据三维荧光图谱选择特定波长的深紫外LED灯光源和光电探测器组件，对特定波长的荧光强度和紫外吸收进行同时检测，并计算荧光强度与对应的紫外吸收之间的比值。本发明具有无化学试剂消耗，可以实现对水体中溶解性有机物总体浓度变化的监测，同时可以反映蛋白类或腐殖质类等荧光组分浓度的变化，为水处理提供一种灵敏、快速、高效、经济、简易但信息丰富的在线监测装置。