公开(公告)号：CN1545130A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN200310106425.2

申请日：2003-11-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  汪峰 ,  于英仪 ,  谢自力 ,  俞慧强 ,  李斌斌 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34

Abstract: 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善薄膜的表面形貌和质量，直接添加至衬底的HCl流量为4－10sccm。与其他的方法相比，不会引入额外的杂质，这是该发明的一大技术特点。此外，将HCl引入生长区，改变了局域的反应平衡，也会改善GaN薄膜的表面形貌和质量。

公开(公告)号：CN1389904A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02113084.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/34

Abstract: 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法,用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层;在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜,利用光刻方法蚀刻出一定的图形,对于平行长条状,掩摸区宽度2－20μm,GaN窗口区宽度0.2－20μm,平行长条状的开口方向是沿GaN的[1100]取向;对于正六边形的开口,使GaN的[1100]取向垂直于正六边形的边,然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN,直至掩模层被GaN铺满,继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低,所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延,可得到位错密度更低的GaN薄膜。

公开(公告)号：CN1383161A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02113081.7

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐晓峰 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/00 ,  H01L21/00

Abstract: 溶胶—凝胶(Sol－Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体的方法:采用溶胶—凝胶法并结合掺杂铁磁性离子如Fe、Co或Mn、Ni等制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜:先制备ZnO胶体溶液,将一定量分析纯醋酸锌和磁性金属盐,铁和锌的原子浓度比为1～15%,溶解在无水乙醇中,均匀搅拌,最终得到ZnO胶体溶液,ZnO胶体溶液滴加匀涂覆在旋转的Si片上,将薄膜在室温～100℃下放置一段时间后,然后在240～300℃热处理数分钟后,在500～900℃,氮气气氛下热处理0.5－1.5小时。溶胶—凝胶法制备薄膜材料具有技术简单,低耗费,易于获得大面积的薄膜等优点。可以制得多组分均匀混合物。