公开(公告)号：CN101752236B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200910233409.7

申请日：2009-10-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 龚佑品 ,  李爱东 ,  刘晓杰 ,  吴迪

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种调控GaAs半导体与栅介质间能带补偿的原子层沉积Al2O3/HfO2方法，先将GaAs衬底清洗，去除油污和氧化层；再用(NH4)2S水溶液浸泡，使GaAs表面形成Ga-S以及As-S键，进一步去除多余的As单质和As的氧化物；最后将钝化好的GaAs衬底立即放入ALD反应室中，进行HfO2/Al2O3纳米叠层薄膜的沉积。本发明通过改变Al/Hf比率，优化和改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量，调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿，改进了栅介质薄膜的电学性能。而且此方法工艺简单，在GaAs基MOSFET制备中具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN100496681C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200310106580.4

申请日：2003-12-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 唐月锋 ,  李爱东 ,  吴迪 ,  陈延峰 ,  闵乃本

IPC: B01D71/02 ,  B01D67/00

Abstract: 外加电场控制胶体粒子自组装及等尺寸三角孔无机膜的制备方法：首先对制备的二氧化硅等径微球悬浮液调节pH值4-12，通过在微球悬浮液中施加直流外电场，电场强度为0.1-1000V/cm，使带电荷的微球在外电场的作用下，在导电平板上定向沉积，从而形成三维周期性排列长程有序结构的模板。本发明的沉积时间短，效率高，制备的等尺寸三角孔无机膜质量高。

公开(公告)号：CN100417744C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200510037895.7

申请日：2005-02-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 邵起越 ,  李爱东 ,  吴迪 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: C23C16/40 ,  C01G23/00 ,  C01G25/00 ,  C01G27/00

Abstract: 锆、铪及与钛复合无水硝酸盐的金属复合无机源，通式如下述：(ZrxTiy)(NO3)4，(HfxTiy)(NO3)4，x+y＝1，0.9≥x≥0.1，0.9≥y≥0.1。其合成方法是：以四氯化钛(TiCl4)，无水四氯化锆(ZrCl4)或四氯化铪(HfCl4)为原料，以四氧化二氮和金属氯化物充分反应，反应时在液氮的冷阱中，并以负压抽去系统中残存的氮氧化物，获得白色粉末状的初产物；然后分离提纯无水锆钛或锆铪硝酸盐，在100℃-120℃升华温度下升华，在-20至0℃“冷指”的容器壁得到白色晶状无水锆钛硝酸盐或无水铪钛硝酸盐。抽去系统中残存的氮氧化物，获得白色粉末状的初产物。

公开(公告)号：CN1693533A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510037895.7

申请日：2005-02-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 邵起越 ,  李爱东 ,  吴迪 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: C23C16/40 ,  C01G23/00 ,  C01G25/00 ,  C01G27/00

Abstract: 锆、铪及与钛复合无水硝酸盐的金属复合无机源，通式如下述：(ZrxTiy)(NO3)4，(HfxTiy)(NO3)4，x+y＝1，0.9≥x≥0.1，0.9≥y≥0.1。其合成方法是：以四氯化钛(TiCl4)，无水四氯化锆(ZrCl4)或四氯化铪(HfCl4)为原料，以四氧化二氮和金属氯化物充分反应，反应时在液氮的冷阱中，并以负压抽去系统中残存的氮氧化物，获得白色粉末状的初产物；然后分离提纯无水锆钛或锆铪硝酸盐，在100℃－120℃升华温度下升华，在－20至0℃“冷指”的容器壁得到白色晶状无水锆钛硝酸盐或无水铪钛硝酸盐。抽去系统中残存的氮氧化物，获得白色粉末状的初产物。

公开(公告)号：CN1560905A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN200410014067.7

申请日：2004-02-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  邵起越 ,  程进波 ,  吴迪 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物薄膜材料：氧化钇(Y2O3)，氧化镧(La2O3)，和镧系的其它氧化物如Pr2O3、CeO2、Gd2O3、Er2O3。

公开(公告)号：CN1546213A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200310106580.4

申请日：2003-12-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 唐月锋 ,  李爱东 ,  吴迪 ,  陈延峰 ,  闵乃本

IPC: B01D71/02 ,  B01D67/00

Abstract: 外加电场控制胶体粒子自组装及等尺寸三角孔无机膜的制备方法：首先对制备的二氧化硅等径微球悬浮液调节pH值4－12，通过在微球悬浮液中施加直流外电场，电场强度为0.1－1000V/cm，使带电荷的微球在外电场的作用下，在导电平板上定向沉积，从而形成三维周期性排列长程有序结构的模板。本发明的沉积时间短，效率高，制备的等尺寸三角孔无机膜质量高。

公开(公告)号：CN1288981A

公开(公告)日：2001-03-28

申请号：CN00112548.6

申请日：2000-09-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  吴迪 ,  凌惠琴 ,  刘治国 ,  闵乃本

IPC: C30B30/02 ,  H01L41/22 ,  H01L49/00

Abstract: 一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的铋系和铅系薄膜取向的方法,通过在湿化学法制备薄膜的后续热处理工艺中,对湿膜热分解转变成无定型态的干膜,在后续的高温退火结晶过程中,引入直流低电场,来实现对薄膜的取向控制。本发明用低电场诱导几种不同的薄膜材料在几种不同衬底的取向生长来看,效果非常明显,特别是对在铂涂层硅衬底或硅衬底上沉积的钛酸铋薄膜,能诱导出极强的C轴取向。

公开(公告)号：CN118510379A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410672904.2

申请日：2024-05-28

Applicant: 南京大学 ,  江苏微导纳米科技股份有限公司

Inventor： 李爱东 ,  朱琳 ,  孙松 ,  张楚怡 ,  黎微明 ,  吴迪

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种基于氨基酸的有机‑无机杂化纳米薄膜突触类忆阻器及其制备方法，属于半导体微电子器件领域，本发明忆阻器的忆阻功能层是采用生物质材料氨基酸为有机前驱体，通过分子层沉积工艺制备的氨基酸基有机‑无机杂化纳米超薄膜，功能材料环保且具有生物相容性，制备得到的忆阻器表现出典型的类神经突触功能，包括学习和记忆功能，而且本发明的制备工艺与微电子工艺兼容。

公开(公告)号：CN113381070B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202110585108.1

申请日：2021-05-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  张会刚 ,  昌绍忠 ,  房佳斌 ,  金鑫

IPC: H01M10/0567 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明公开了一种用于稳定锂金属电池的复合电解液，属于锂金属电池领域，所述复合电解液不仅可作为诱导致密SEI层形成的吸附位点，而且还可以形成稳定杂化SEI膜的共形纳米阻挡层，抑制电极/电解液界面副反应的发生，提高循环过程中负极材料结构的稳定性，有效提高负极材料的循环寿命。本发明复合电解液包括锂盐、有机溶剂、复合添加剂，通过各组分及比例的配合，获得一种碱金属电池适用的电解液。

公开(公告)号：CN109904316B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201910156030.4

申请日：2019-03-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 李爱东 ,  刘畅 ,  曹燕强 ,  吴迪

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种模拟神经突触的无机‑有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，属于半导体微电子器件与人工智能的交叉领域，利用分子层沉积和原子层沉积技术低温来制备具有良好模拟神经突触仿生功能的无机‑有机/无机杂化双层纳米薄膜忆阻器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。本发明的忆阻器包括从下往上依次为衬底、底电极、忆阻功能层、顶电极；所述忆阻功能层由下层无机‑有机杂化薄膜和上层金属氧化物薄膜的双层纳米堆栈结构薄膜材料构成。