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公开(公告)号：CN110978687A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911170394.4
申请日：2019-11-26
申请人： 南京大学
IPC分类号： B32B27/04 , B32B17/04 , B32B17/06 , B32B15/20 , B32B15/14 , B32B37/10 , B32B37/06 , B32B37/12 , B32B38/16
摘要： 一种PTFE基高频微波覆铜板的制作方法，包括如下步骤：S1配料：在纯的PTFE乳液中混入一定量的陶瓷粉混合均匀；S2调节PH：采用加入氨水的形式调节配制好的乳液的PH值；S3调节搅拌速度得到PTFE胶液；配制好的PTFE乳液，倒入上胶机的胶槽中；调节配制好乳液的PH值，并且在过程中保持稳定；调节上胶机胶槽的搅拌速度；调节上胶机上两个温区的的温度，进行若干次上胶，最后一次上胶与前面几次温度不同；调节玻纤布的运行速度和张力；胶片和铜箔采用真空热压机得到覆铜板。本发明对纯的PTFE乳液进行了配制，使得保留PTFE的优点，减少了其缺点。
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公开(公告)号：CN106847907B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710003455.2
申请日：2017-01-04
申请人： 南京大学
摘要： 一种基于光调控的垂直自旋场效应晶体管，中间层为非磁性半导体层，非磁性半导体层上下均为铁磁性材料薄膜；所述的非磁性半导体层为砷化镓基片，铁磁性材料薄膜上引出电极；铁磁性材料薄膜采取具有垂直磁各向异性的铁磁性薄膜，用来产生垂直方向自旋的电子；铁磁性材料薄膜采用非晶铁磁性材料CoFeB薄膜，厚度为1‑2nm，通过MgO和Ta的界面效应来诱导出垂直磁各向异性。利用光产生的电子子旋方向与铁磁层自旋方向平行使，电阻最小产生电流最大，反之光生自旋电子自旋方向与铁磁性金属的自旋方向相反时，电阻最大产生电流最小。利用光学方法控制垂直自旋场效应晶体管开关，晶体管可同时具有信息存储与处理的功能。
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公开(公告)号：CN106875959B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710003471.1
申请日：2017-01-04
申请人： 南京大学
摘要： 一种四进制磁性存储单元，由磁性材料组成十字形结构，包含水平方向磁臂和竖直方向磁臂以及磁臂交叉的四种磁化状态的十字交叉结，当水平方向磁臂和竖直方向磁臂分别形成上下、左右磁化方向时，十字交叉结处能稳定存在四个磁化方向，将交叉结的四种磁化方向定义为四进制的“0”、“1”、“2”、“3”；写入数据时，磁头改变水平或竖直方向磁臂的磁化方向，进而改变十字交叉结处的磁化方向；读取数据时，磁头通过电磁感应来读出十字交叉结处的磁化方向。
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公开(公告)号：CN110040150A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910298170.5
申请日：2019-04-15
申请人： 南京大学
IPC分类号： B61B13/10
摘要： 一种非直线互联真空管道间的样品中转装置，设有一中转腔位于若干条不同直线上的真空直通管道的交叉点位置，此中转腔的侧面设有法兰将若干不都在同一直线上的真空直通管道连接到中转腔，中转腔的底部有一转盘，转盘的转轴延伸到腔外，腔外设有与转轴固定的旋钮，旋钮能使转盘旋转，转盘上设有导轨；中转腔内靠近直通管道的位置有一齿轮，通过腔外旋钮使齿轮旋转；载样小车在直通管道内部导轨上运行，直通管道内部导轨与转盘上设有的导轨在同一平面上；在直通管道中载样小车是通过管道外部设有导轨上的磁铁引导移动。
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公开(公告)号：CN109638624A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910066739.5
申请日：2019-01-24
申请人： 南京大学
CPC分类号： H01S3/109 , H01S3/1083
摘要： 本发明公开了一种基于超短脉冲激光的高效率且波长连续可调的极紫外光产生系统，包括：所述超短脉冲激光器输出的基频光经过光学倍频器或者光学参量放大器进行波长转换，通过高次谐波产生仪将转换后的脉冲激光聚焦在惰性气体上辐射产生高次谐波，通过极紫外光单色仪进行波长选择，最终输出高能量及高光通量的单色极紫外光。本发明稳定性高，信噪比好，采用光学倍频器或光学参量放大器对超短脉冲基频光进行波长转换，并通过分光光栅、反射镜及多维调整结构从高次谐波谱中选择特定光子能量的高次谐波，实现高效率且波长连续可调，产生的高能量及高光通量极紫外光可用于时间分辨及角分辨光电子能谱系统和极紫外光相干衍射成像系统的研究。
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公开(公告)号：CN106772733B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611214747.2
申请日：2016-12-26
申请人： 南京大学
摘要： 一种三维狄拉克半金属衍射光栅，使用零带隙、线性能量色散关系的三维狄拉克半金属材料作为衍射光栅刻线材料，该光栅工作波长覆盖2‑6微米的红外区域，多种非线性光学参数可调控；器件包括由三维狄拉克半金属材料构成的衍射光栅功能层和承载该功能层所需的光学元件。所述的三维狄拉克半金属衍射光栅具有高反射率型和低反射率型两种模式一种基于三维狄拉克半金属的衍射光栅器件。本发明还提供了利用该三维狄拉克半金属衍射光栅的可饱和吸收(或超快光学开关)特性产生波长可调谐红外脉冲激光器的具体方案。
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公开(公告)号：CN109461775A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811071297.5
申请日：2018-09-14
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/24
摘要： 基于利用外延生长半金属的自旋场效应晶体管，所述半金属材料为Fe3O4合金，采用的基片为As/n-GaAs/GaAs(100)，在基片上承载了两个大小不同的半金属材料Fe3O4薄膜层作为电极基，其中小的半金属材料的大小为:17±5×156±20μm,大的半金属材料的大小为97±10×156±20μm，两个大小不同的半金属材料的间距为2.6±1μm；在半金属材料薄膜层上制备两对电极，通过改变Fe3O4薄膜层第一对电极间的外加电压，实现n-GaAs沟道内部的自旋反转，从而改变第二对电极C,D间的电流大小。
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公开(公告)号：CN106048726B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610522649.9
申请日：2016-07-04
申请人： 南京大学
摘要： 钇铁石榴石薄膜的外延生长方法，将装有处理好的钆镓石榴石基片的置真空腔室，并将钆镓石榴石基片加热到恒定温度736℃；加热过程中，加热到250℃的时候通入臭氧；加热至736℃之后，保持真空腔气压，将臭氧的质量分数调节至40％，同时保温半小时，打开反射式高能电子衍射仪RHEED调节出衬底的衍射斑点；全程保持RHEED的实时和原位监控，采用波长248nm的KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到YIG靶材上；完成薄膜生长后，基片温度保持不变，原位退火约15min，然后将薄膜自然冷却至约250℃，停止保护气体再冷却至室温。本发明所得到的YIG薄膜组分均匀、厚度可控工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN108682697A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810596877.X
申请日：2018-06-11
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/028
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/028
摘要： 一种基于石墨烯/C60复合吸收层的紫外光探测晶体管，所述晶体管由下而上依次包括栅极金属层、高掺杂硅栅、栅极介质层、石墨烯与C60复合吸收层；所述的高掺杂硅栅和栅极介质层同时支撑石墨烯/C60复合吸收层薄膜，作为整个晶体管器件的衬底；所述的石墨烯/C60复合吸收层由单层或若干层石墨烯和一定厚度的C60组成；石墨烯位于C60的下端，同时作为C60生长的模板；其中，石墨烯和栅极介质层接触，在石墨烯层的两端制作有源极、漏极；石墨烯和C60通过范德华力相互作用，形成具有紫外吸收特性的异质结晶体管。可将所述的多个紫外光探测晶体管进行阵列集成。本发明提供了该阵列系统用于光谱检测分析和图像识别的具体方案。
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公开(公告)号：CN108521717A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810563102.2
申请日：2018-06-04
申请人： 南京大学
IPC分类号： H05K3/02 , C01B32/186
摘要： 本发明公开了石墨烯改性的PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE基半固化片、铜箔；PTFE基半固化片、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯；其中石墨烯改性的PTFE基半固化片是通过化学气相沉积的方法将石墨烯生长到PTFE基半固化片的表面。然后通过热压方法将铜箔附于半固化片两侧。由于半固化片与铜箔之间存在石墨烯，因此使覆铜板的热学、电学和机械性能大大提高。
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