一种提升突触晶体管短程可塑性的方法

    公开(公告)号:CN118412382A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410336654.5

    申请日:2024-03-22

    Abstract: 本发明公开了一种提升突触晶体管短程可塑性的方法,包括以下步骤:配置壳聚糖和聚乙烯醇混合固态电解质溶液;将所述固态电解质溶液在带栅电极的衬底上旋涂并烘干;在所述电解质薄膜之上制备晶体管的有源层和源漏电极。本方法改善突触晶体管的电压迟滞效应,增大电压迟滞窗口,降低关态电流,增大器件电流开关比,提升了突触晶体管的短期可塑性。本发明提供的突触晶体管具有优异突触特性。

    含有电子接收层的摩擦纳米发电机及其制备方法

    公开(公告)号:CN108233761B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN201810087365.0

    申请日:2018-01-30

    Abstract: 本发明涉及含有电子接收层的摩擦纳米发电机,包括在外力作用下发生接触/分离的正极性摩擦部分和负极性摩擦部分;正极性摩擦部分包括依次设置的第一衬底和第一电极,第一电极同时作为正极性摩擦层;负极性摩擦部分包括依次设置的第二衬底、第二电极、电介质层、电子接收层、负极性摩擦层;第一电极和第二电极之间产生交流电信号。还涉及含有电子接收层的摩擦纳米发电机的制备方法。本发明旨在提升摩擦纳米发电机的电荷捕获能力,属于新能源开发和纳米发电领域。

    一种导线型的可拉伸压电式触觉传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117451220A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311180493.7

    申请日:2023-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种导线型的可拉伸压电式触觉传感器及其制备方法,可拉伸压电式触觉传感器包括导电橡胶内电极层、压电敏感层、绝缘隔离层、可拉伸外电极层和柔性包封层;所述压电敏感层包裹所述导电橡胶内电极层;所述绝缘隔离层包裹所述压电敏感层;所述可拉伸结构的外电极层螺旋式缠绕于所述压电敏感层上;所述柔性包封层包裹所述可拉伸结构的外电极层,所述绝缘隔离层和柔性包封层均为聚二甲基硅氧烷薄膜。本发明所述的触觉传感器具有高灵敏度、高分辨率、高柔韧性、高稳定性、良好的拉伸性和现场可编织,能广泛应用于医疗健康监测、仿生机器人和穿戴式电子设备等多个领域。

    GaN HEMT源漏通道区电阻模型的参数提取方法、装置及介质

    公开(公告)号:CN116908639A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310758441.7

    申请日:2023-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT源漏通道区电阻模型的参数提取方法、装置及介质,属于功率器件技术领域。其中方法包括:对GaN HEMT源漏通道区电阻模型参数进行分块,获得需要提取的拟合参数;其中所述拟合参数包括c1、c2、λ和γ;根据器件已知的结构参数,计算得到低偏置条件下的源漏通道区电阻RD0,S0;对GaN HEMT做静态I‑V测试,并通过静态IDS‑VDS输出特性曲线提取得到拟合参数c1和c2;通过源漏通道区电子漂移速度vacc‑VDS曲线提取得到拟合参数λ和γ。本发明可以快速准确地完成GaN HEMT源漏通道区电阻模型相关拟合参数的提取,提高GaN HEMT源漏通道区电阻建模效率。

    一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片

    公开(公告)号:CN116820177A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310755535.9

    申请日:2023-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片,属于集成电路技术领域。其中基准电压源包括:μnT2电流产生电路,用于产生一个与μnVTH2成正比的电流I1;基准电压输出电路,包括镜像单元和基准单元,所述镜像单元用于按照预设比例复制电流I1,产生电流I2作用于基准单元;所述基准单元包括NMOS管和PMOS管,其中NMOS管的VGS呈现为凹曲线,PMOS管的VSG呈现凸曲线,将VGS和VSG两者进行叠加,得到一个低温度系数基准电压VREF。本发明利用沟道调制效应使NMOS的VGS呈现凹曲线,利用电子和空穴迁移率温度系数不同的特性使PMOS的VSG呈现凸曲线,将两者叠加进行二次温度补偿,得到一个低温度系数CMOS基准电压VREF,显著地降低了电压基准的温度系数。

    一种柔性摩擦纳米发电机及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116505791A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310364658.X

    申请日:2023-04-06

    Abstract: 本发明公开了一种柔性摩擦纳米发电机及其制备方法和应用。本发明的柔性摩擦纳米发电机的组成包括第一电极层、正极摩擦层、负极摩擦层、第二电极层和柔性支撑骨架,第一电极层与正极摩擦层贴合,负极摩擦层与第二电极层贴合,第一电极层和第二电极层均固定在柔性支撑骨架上,正极摩擦层和负极摩擦层面对面设置,且两者不直接接触,正极摩擦层为芳纶纤维纸,负极摩擦层为硅橡胶薄膜。本发明的柔性摩擦纳米发电机具有柔韧性和机械性能好、耐高温、耐化学腐蚀、使用寿命长等优点,且其制备工艺简单、生产成本低,可以满足传感器、物联网、微纳能源、可穿戴电子、人机交互等多样化应用场景的需求。

    一种空间电荷限制电流计算方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN114692070A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210254709.9

    申请日:2022-03-15

    Abstract: 本发明公开了一种空间电荷限制电流计算方法、装置及存储介质,其中方法包括:S1、确定阴极金属板和阳极介质板两板之间的结构模型;S2、将两个电流密度值分别作为泊松轨迹过程的输入,计算单位时间注入的电荷量,以及在计算电子轨迹过程中计算电荷量并沉积到网格上;S3、获得电势分布,根据电场定义通过外推过程进行多项式拟合求解各点的电场;S4、使用割线法得到更新的电流密度,根据电流密度获取下一次泊松轨迹过程的输入电流密度;S5、输出最终的电流密度分布。本发明给出了非平行平板结构的空间电荷限制电流计算方案,在计算电子轨迹过程中迭代求解电子运动轨迹,探究了空间电荷影响下粒子的运动规律,可广泛应用于电子器件领域。

    一种压电式集成化柔性触觉传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111060233A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911221268.7

    申请日:2019-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种压电式集成化柔性触觉传感器及其制备方法,该压电式集成化柔性触觉传感器包括双栅结构金属氧化物TFT、位于双栅结构TFT的顶栅电极层上的包含氧化锌纳米线压电薄膜层以及位于纳米压电薄膜层上的上电极,顶栅电极层、氧化锌纳米线或纳米带压电薄膜层以及上电极构成纳米压电敏感单元。该柔性触觉传感器将双栅结构金属氧化物TFT与纳米压电薄膜传感器集成为一体,金属氧化物TFT既作为电荷放大器,又作为阵元开关,实现了高灵敏度、高分辨率、高信噪比、高柔韧性、抗干扰能力强、灵敏度和量程可调的优点。其制备工艺简单、成本低廉并可大面积阵列化制备,能广泛应用于仿生电子系统、可穿戴设备、机器人和医疗健康等多个领域。

    镂空双圆环旋转式纳米发电机和发电方法

    公开(公告)号:CN107222125B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201710448215.3

    申请日:2017-06-14

    Abstract: 本发明涉及镂空双圆环旋转式纳米发电机,包括定环、动环、转动机构;定环和动环中,一个在内圆周,一个在外圆周;动环在转动机构的作用下绕圆周相对于定环转动,定环和动环在同一径向方向重叠时,两者紧贴且相对运动,在摩擦效应和压电效应的双重作用下,镂空双圆环旋转式纳米发电机发电。还涉及镂空双圆环旋转式纳米发电机的发电方法。本发明可以多方向施加旋转作用力,解决外力施加方向单一的问题,可以大大提高纳米发电机的输出效率,属于纳米发电技术领域。

    一种基于纳米压电材料的集成化柔性触觉传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109307564A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201811184757.5

    申请日:2018-10-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压电材料的集成化柔性触觉传感器,由柔性基底、有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层、纳米压电薄膜层和上电极层构成;所述有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层构成有机半导体薄膜晶体管;所述纳米压电薄膜层为四脚针状氧化锌纳米结构压电薄膜层。本发明实现了高灵敏度、高分辨率、高信噪比和抗干扰能力强的集成化柔性触觉传感器,工艺简单、成本低廉并且可大面积阵列化制备,能广泛应用于电子皮肤和仿生机器人等多个领域。

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