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公开(公告)号：CN105632551A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510960374.2
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/54 , G06N3/0635
Abstract: 本发明提供一种存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法，存储阵列包括：第一引出线和第二引出线，不同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一存储单元，相同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一可控开关。存储芯片包括：接口模块；产生控制信号的控制模块；产生写电流、擦电流或读电流的驱动模块；选通第一、第二引出线的第一、第二译码器；以及存储逻辑关系值的存储阵列。存储方法包括：写入和读出操作。本发明通过全新的存储阵列实现对象间的逻辑关系的存储；同时在读出时，通过可控开关在相同编号的引出线间传递，将结果转换为条件，以此综合间接关系因素，可用于仿脑智能应用场景，提高存储阵列中的信息量。
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公开(公告)号：CN105023606A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510501083.7
申请日：2015-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其恢复数据的方法，包括：获取基准参考电阻值的预写相变存储单元；存储数据的正常访问相变存储单元；控制写入数据及读取数据的电学控制模块；控制温度的温度控制模块。在预写地址和正常访问地址中写入数据；改变环境温度；读取预写地址内的数据，获取基准参考电阻值；读取正常访问地址内的数据，以基准参考电阻值作为参考标准，若数据失效则恢复失效数据。本发明的相变存储器及其恢复数据的方法能快速判定相变存储器中的数据是否失效并恢复失效数据，操作简单、快速、效率高。
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公开(公告)号：CN102751319B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210230324.5
申请日：2012-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/221 , H01L21/334 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系化合物薄膜（5）下部通过下加热电极（3）与下电极（2）达成电性连接；所述硫系化合物薄膜（5）上部与上电极（6）达成电性连接。本发明还提供一种基于硫系化合物的浪涌保护器件的制备方法。本发明器件利用硫系化合物所特用的阈值导通特性实现过压保护，概念新颖，结构简单，是一种过电保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护器件。
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公开(公告)号：CN1905077B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200610028229.1
申请日：2006-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器器件单元的测试系统及测试方法，其特征在于所述的测试系统是由控制计算机、脉冲信号发生器、数字信号源、微控探针台和转换连接部件组成；其中，通过通用接口总线使主控计算机与脉冲信号发生器和数字信号源相连；通过控制卡的控制电缆使脉冲信号发生器和数字信号源与微控探针台相连；主控计算机通过控制于控制探针台在脉冲信号发生器和数字信号源之间切换；微控探针台的两个探针分别与相变存储器的上、下电极接触，构成一个存储单元，并通过操作模块进行电流-电压、电压-电流、电阻与写脉高、电阻与写脉宽、电阻与擦脉高、电阻与擦脉宽以及疲劳等七种测试。
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公开(公告)号：CN103123609A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310078623.6
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供一种存储器的分块管理方法。根据本发明的方法，先将存储器包含的各存储块均分为至少两个子存储块，并在每一子存储块中设置一记录空间；随后，基于每一子存储块的记录空间中的写次数来确定是否对子存储块进行拆分和/或对存储块进行合并；接着，对已确定拆分的子存储块进行拆分和/或对已确定合并的存储块进行合并，由此实现对存储块的灵活管理，提高存储器中空闲页的利用率，减少存储碎片，进而提高存储器的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102779072A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210199953.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/48
Abstract: 本发明提供一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由传统的非易失主存及DRAM内存构成存储架构，非易失主存又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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公开(公告)号：CN101950190B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010225702.1
申请日：2010-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/10
Abstract: 本发明提供一种用于升压电路中的N阱电位控制电路，其包括：采用MOS管和电流源构成且用于比较升压电路接入的输入电源Vin和输出的电压Vout的比较电路；分别接入输入电源Vin和电压Vout且输出互连以便与升压电路中的N阱连接的输入电源选择管和输出电压选择管；连接在所述比较电路输出端以便在输入电源选择管导通时能向所述输出电压选择管提供不低于Vout的关断信号的第一控制电路；以及与所述比较电路输出端及升压电路的输出端以便在输出电压选择管导通时能向所述输入电源选择管提供不低于Vin的关断信号的第二控制电路，由此可在输入电源电压低于升压电路的输出电压时，完全关闭输入电源选择管，进而有效降低功耗，增加电路的稳定性，并减小芯片面积。
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公开(公告)号：CN101436607B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810207813.2
申请日：2008-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C16/02 , G11C11/56
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
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公开(公告)号：CN101329909B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810040952.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的方法，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后，对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复，将读反馈与编程操作并行进行，在提高存储其编程操作可靠性的同时，不影响整体编程速度。
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公开(公告)号：CN101556481A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910050640.2
申请日：2009-05-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 一种精密匹配的镜像电流源电路，其包括：用于提供电流源的电流源电路、与所述电流源电路相连接且用于将所述电流源转换为镜像电流的MOS管镜像电路、匹配电路、及用于消除失调电压的控制单元。其中，所述匹配电路又包括：正负输入端分别与所述MOS管镜像电路中的各MOS管相连接以使各MOS管都工作在相同的电环境的受控运算放大器、与所述受控运算放大器相连接且用于交换所述受控运算放大器的正负输入端与所述各MOS管的连接点的受控单元、及与所述受控运算放大器的输出端和所述MOS管镜像电路相连接且用于对所述镜像电流进行相位补偿的调节单元，由此可有效消除运算放大器的失调，实现电流的精密匹配。
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