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公开(公告)号：CN108059455B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810105008.2
申请日：2018-02-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种中介高品质τf近零的微波介质陶瓷及其制备方法，其中，微波介质陶瓷包括主晶相，所述主晶相的化学式为(ZrTi)1‑x(Mg1/3Sb2/3)2xO4，其中，0.10≤x≤0.36。本发明制备得到的微波介质陶瓷的介电常数为24.4～35.4，谐振频率温度系数为‑4.6ppm/℃～+6.7ppm/℃，品质因数为28000GHz～40200GHz。证明了本发明的微波介质陶瓷具有中介电常数、高品质因数和近零谐振频率温度系数。
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公开(公告)号：CN112362199A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011194609.9
申请日：2020-10-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于压力传感器领域，更具体地，涉及一种介质插入型电容式压力传感器及其制备方法。该介质插入型电容式压力传感器包括基体、支撑层和感压层，基体包括衬底和梳状电极，感压层包括弹性薄膜和位于该弹性薄膜下方与之相连接的感压阵列，感压阵列的阵列单元正好位于梳状电极梳齿间隙的正上方，而弹性薄膜、衬底以及支撑层围成一个封闭的真空腔结构，使得弹性薄膜在压力作用下，带动感压阵列向下移动，而梳状电极的位置固定不变，从而使感压阵列插入到梳齿电极平行板电容的两极板之间，改变电极板间电介质的相对介电常数，进而引起电容的改变，再通过检测电容即可测得压力的大小。该电容式压力传感器可以在增加线性度的同时，提高其灵敏度。
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公开(公告)号：CN112332795A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011285218.8
申请日：2020-11-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种表面开槽的兰姆波谐振器，属于声表面波谐振器领域，具体包括压电模块、汇流条、电极和凹槽；电极位于压电模块上表面，且呈周期性排布；在电极沿孔径方向的两端设置有汇流条；每隔n个电极，在压电模块上表面设置有凹槽；汇流条用于对电极施加电压；凹槽用于通过破坏压电模块表面的连续性，抑制杂散波。兰姆波谐振器还包括假指；假指位于每个电极末端与汇流条之间，用于抑制能量的横向泄露，提高谐振器的Q值。本发明提供的兰姆波谐振器采用凹槽设计，极大抑制了谐振器中的杂散波。
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公开(公告)号：CN111430374A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010247813.6
申请日：2020-03-31
Applicant: 华中科技大学
Inventor： 罗为
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L51/52 , H01L51/56 , G02B3/00 , G02F1/1333 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种光学传感器，具备该光学传感器的屏下指纹识别显示面板装置及制备方法，包括有屏幕层，光学传感器模块；光学传感器模块包括光学成像模块阵列层，其用于接收来自屏幕层的光并将光成像到光学传感器阵列；光学传感器阵列与发光像素显示单元的驱动电路设置于同一层；光学成像模块阵列层与光学传感器阵列所在层沿第一方向对应集成，使得光学成像模块阵列与光学传感器阵列耦合对应。按照本发明实现的技术方案，光电传感器与像素光源驱动电路集成在TFT玻璃基板同层上并使用微透镜阵列来进行一一对应集成，不改变原有TFT显示驱动的设计，在形成显示面板的驱动控制元件的有源层的同时形成了光学传感器功能模块，生产兼容性好，简化了显示面板的制造工艺。
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公开(公告)号：CN109735807B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910145223.X
申请日：2019-02-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种负温度系数热敏薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)热敏薄膜制备：采用磁控溅射法将Mn‑Co‑Ni系合金靶材溅射到衬底上得到Mn‑Co‑Ni系薄膜；(3)退火处理：将Mn‑Co‑Ni系薄膜在含有氧气的气氛下进行退火氧化处理，即可得到Mn‑Co‑Ni‑O系负温度系数热敏薄膜。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计，尤其是关键溅射工艺所采用的靶材料进行改进，以Mn‑Co‑Ni系合金作为靶材，与现有技术相比能够有效解决磁控溅射法制备热敏薄膜时陶瓷靶材容易碎裂、利用率低的问题，制备方法操作简单，容易实现，重复性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109112627A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811160371.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于高能射线探测器材料领域，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶电阻率的方法，其通过对溴铅铯单晶的Pb位进行一价阳离子Ag离子掺杂，补偿所述溴铅铯晶体内的施主型本征缺陷，以提高溴铅铯单晶的电阻率，由此解决熔体法生长的CsPbBr3晶体存在大量的本征缺陷，严重影响晶体的结晶质量，导致电阻率下降，探测效率低等的技术问题。
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公开(公告)号：CN105483825A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510922295.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温，使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅铯单晶开裂的问题。
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公开(公告)号：CN103632784A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310601977.4
申请日：2013-11-23
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01C17/006 , H01C7/008 , H01C7/021 , H01C7/10 , H01C7/18 , H01C13/02 , Y10T29/49085
Abstract: 本发明公开了一种叠层片式热压敏复合电阻器及其制备方法，复合电阻器由压敏电阻部分、中间过渡层部分及热敏电阻部分叠加组成，压敏电阻部分的结构为压敏电阻瓷片——第一电极层——压敏电阻瓷片——第二电极层的交叠层压组合，第一电极层与第二电极层分别错开；热敏电阻部分的结构为：热敏电阻瓷片——第三电极层——热敏电阻瓷片——第四电极层的交叠层压组合，第三电极层与第四电极层分别错开，中间过渡层部分位于热敏电阻部分与压敏电阻部分的中间。本发明采用贱金属镍为内电极的共烧技术，可降低成本、简化制备工艺，提高器件的可靠性，减少热传导路径，加强热敏器件对压敏电阻的保护作用，同时可以实现电路的过热过电流过电压等多重保护。
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公开(公告)号：CN119312831A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411840862.5
申请日：2024-12-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06K19/067 , G06K19/07
Abstract: 本发明提出了一种可磁控的声波射频识别标签，属于无线射频识别技术领域，具体包括：压电衬底表面形成声波传输通道；叉指换能器，设置在所述压电衬底的表面；若干反射栅，设置在所述压电衬底的表面，并与叉指换能器间隔设置；至少一个磁性薄膜，设置在反射栅与叉指换能器之间的压电衬底的表面，并与叉指换能器和若干反射栅间隔设置，用于通过铁磁共振吸收声波的能量，对标签的编码进行动态调控。通过在传统声波射频识别标签的基础上引入了磁性薄膜，由于铁磁共振作用，经过磁性薄膜的声波会被吸收，磁性薄膜对声波能量的吸收程度可以被外磁场控制。
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公开(公告)号：CN116332226B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202211489280.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , C01B21/082 , G01N33/00
Abstract: 本发明属于半导体氧化物技术领域，更具体地，涉及用于低温下检测H2S气体的复合材料及其制备和应用。本发明首先制备Sb掺杂SnO2微球的前驱体，然后与具有网状结构的g‑C3N4混合研磨后煅烧，得到本发明用于低温检测硫化氢气体的复合材料。其中g‑C3N4的网状结构具有较大的表面积，容易将疏松多孔ATO微球包裹住，在煅烧过程中二者紧密接触，生成的ATO@n‑CN复合材料可以形成异质结，在紫外光的照射下，可以显著提高光生载流子的分离和转移效率，因此可以生成更多的光生电子与复合材料表面的物理吸附氧分子结合，形成更多的高活性化学吸附氧离子，从而可以与更多的H2S气体发生反应，使气敏性能提升。
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