公开(公告)号：CN108059455B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201810105008.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  施浩 ,  周东祥 ,  郑志平 ,  罗为

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种中介高品质τf近零的微波介质陶瓷及其制备方法，其中，微波介质陶瓷包括主晶相，所述主晶相的化学式为(ZrTi)1‑x(Mg1/3Sb2/3)2xO4，其中，0.10≤x≤0.36。本发明制备得到的微波介质陶瓷的介电常数为24.4～35.4，谐振频率温度系数为‑4.6ppm/℃～+6.7ppm/℃，品质因数为28000GHz～40200GHz。证明了本发明的微波介质陶瓷具有中介电常数、高品质因数和近零谐振频率温度系数。

公开(公告)号：CN108059455A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201810105008.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  施浩 ,  周东祥 ,  郑志平 ,  罗为

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种中介高品质τf近零的微波介质陶瓷及其制备方法，其中，微波介质陶瓷包括主晶相，所述主晶相的化学式为(ZrTi)1‑x(Mg1/3Sb2/3)2xO4，其中，0.10≤x≤0.36。本发明制备得到的微波介质陶瓷的介电常数为24.4～35.4，谐振频率温度系数为‑4.6ppm/℃～+6.7ppm/℃，品质因数为28000GHz～40200GHz。证明了本发明的微波介质陶瓷具有中介电常数、高品质因数和近零谐振频率温度系数。