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公开(公告)号：CN115974138A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211436219.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：S1，金属氧化物半导体SnO2的制备：将锡盐溶液和螯合剂混合，水热反应后得到金属氧化物半导体前驱体的产物，将金属氧化物半导体前驱体煅烧得到金属氧化物半导体SnO2粉末；S2、复合材料Ag2O@SnO2的制备：将步骤S1制得的金属氧化物半导体SnO2粉末和银盐溶液混合，加入碱性溶液并搅拌，离心、洗涤、干燥得到复合材料Ag2O@SnO2。本发明的复合材料Ag2O@SnO2在低温、高真空等极端环境下依然可以用于检测H2S，并且响应速度很快，灵敏度极高。
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公开(公告)号：CN115974138B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202211436219.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：S1，金属氧化物半导体SnO2的制备：将锡盐溶液和螯合剂混合，水热反应后得到金属氧化物半导体前驱体的产物，将金属氧化物半导体前驱体煅烧得到金属氧化物半导体SnO2粉末；S2、复合材料Ag2O@SnO2的制备：将步骤S1制得的金属氧化物半导体SnO2粉末和银盐溶液混合，加入碱性溶液并搅拌，离心、洗涤、干燥得到复合材料Ag2O@SnO2。本发明的复合材料Ag2O@SnO2在低温、高真空等极端环境下依然可以用于检测H2S，并且响应速度很快，灵敏度极高。
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公开(公告)号：CN116332226B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202211489280.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , C01B21/082 , G01N33/00
Abstract: 本发明属于半导体氧化物技术领域，更具体地，涉及用于低温下检测H2S气体的复合材料及其制备和应用。本发明首先制备Sb掺杂SnO2微球的前驱体，然后与具有网状结构的g‑C3N4混合研磨后煅烧，得到本发明用于低温检测硫化氢气体的复合材料。其中g‑C3N4的网状结构具有较大的表面积，容易将疏松多孔ATO微球包裹住，在煅烧过程中二者紧密接触，生成的ATO@n‑CN复合材料可以形成异质结，在紫外光的照射下，可以显著提高光生载流子的分离和转移效率，因此可以生成更多的光生电子与复合材料表面的物理吸附氧分子结合，形成更多的高活性化学吸附氧离子，从而可以与更多的H2S气体发生反应，使气敏性能提升。
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公开(公告)号：CN116400007A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211485439.9
申请日：2022-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种模拟低温真空环境的气体测试装置及方法，其中，所述装置包括：真空泵单元、冷阱测试腔单元、进气单元、测试单元和监测单元。采用真空泵单元先抽一个低真空并保压，目的是抽出冷阱测试腔单元内的水蒸气；然后开启冷阱对冷阱测试腔单元的内部进行降温，此时既能够很好地传热，使得整个冷阱测试腔单元的内部温度一致，也能够防止其内部结冰，提高测试精确度；待其内部降到特定温度(气体测试所需要的温度)后，再利用真空泵单元抽到特定的真空度(气体测试所需要的高真空度)，最后通入待测气体(如H2S)，实现待测气体参数在低温真空环境下的精确测量。
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公开(公告)号：CN116332226A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211489280.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , C01B21/082 , G01N33/00
Abstract: 本发明属于半导体氧化物技术领域，更具体地，涉及用于低温下检测H2S气体的复合材料及其制备和应用。本发明首先制备Sb掺杂SnO2微球的前驱体，然后与具有网状结构的g‑C3N4混合研磨后煅烧，得到本发明用于低温检测硫化氢气体的复合材料。其中g‑C3N4的网状结构具有较大的表面积，容易将疏松多孔ATO微球包裹住，在煅烧过程中二者紧密接触，生成的ATO@n‑CN复合材料可以形成异质结，在紫外光的照射下，可以显著提高光生载流子的分离和转移效率，因此可以生成更多的光生电子与复合材料表面的物理吸附氧分子结合，形成更多的高活性化学吸附氧离子，从而可以与更多的H2S气体发生反应，使气敏性能提升。
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