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公开(公告)号：CN109112627A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811160371.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于高能射线探测器材料领域，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶电阻率的方法，其通过对溴铅铯单晶的Pb位进行一价阳离子Ag离子掺杂，补偿所述溴铅铯晶体内的施主型本征缺陷，以提高溴铅铯单晶的电阻率，由此解决熔体法生长的CsPbBr3晶体存在大量的本征缺陷，严重影响晶体的结晶质量，导致电阻率下降，探测效率低等的技术问题。
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公开(公告)号：CN105483825A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510922295.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温，使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅铯单晶开裂的问题。
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公开(公告)号：CN108193271B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201711466810.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法，具体包括以下步骤：(1)将石英安瓿置于反应炉腔内，通入甲烷进行镀碳膜处理得到镀碳安瓿；(2)向该镀碳安瓿内装入溴铅铯粉料，抽真空并密封，置于热处理炉中使溴铅铯粉料先熔化后降温凝固形成多晶料棒；(3)将装有多晶料棒的密封安瓿置于水平移动区熔炉内，将加热器升温至620‑650℃，使加热器从密封安瓿的尖端开始移动至密封安瓿的尾端，由此完成溴铅铯晶体的生长，得到溴铅铯晶体。本发明通过对其关键的整体流程工艺设计、以及各个步骤的反应条件及参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决晶体生长过程中机械震动大、晶体内部的热应力高、难以生长大尺寸溴铅铯单晶等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105483825B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510922295.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温，使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅铯单晶开裂的问题。
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公开(公告)号：CN105384188B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510922762.1
申请日：2015-12-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G21/16
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯粉体制备方法,具体包括如下步骤：(1)获取反应物溴化铅的起始溶液：(2)获取反应物溴化铯的起始溶液：(3)将溴化铅的起始溶液与溴化铯的起始溶液同时滴加到反应底液中，滴加的同时搅拌；通过化学共沉淀反应获取溴铅铯沉淀物；(4)对溴铅铯沉淀物进行洗涤和抽滤，以清除杂质和杂相；(5)将步骤(4)中得到的产物烘干，获得溴铅铯粉体；该制备方法通过控制原料的浓度及反应原料的化学计量比，有效提高主反应的反应比例，抑制副反应的进行，获取纯度高，杂相少，颗粒均匀的溴铅铯粉体；有效解决现有的溴铅铯粉体制备方法制备得的溴铅铯粉体纯度不高、杂相多和颗粒不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN109112627B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811160371.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于高能射线探测器材料领域，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶电阻率的方法，其通过对溴铅铯单晶的Pb位进行一价阳离子Ag离子掺杂，补偿所述溴铅铯晶体内的施主型本征缺陷，以提高溴铅铯单晶的电阻率，由此解决熔体法生长的CsPbBr3晶体存在大量的本征缺陷，严重影响晶体的结晶质量，导致电阻率下降，探测效率低等的技术问题。
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公开(公告)号：CN108193271A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711466810.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法，具体包括以下步骤：(1)将石英安瓿置于反应炉腔内，通入甲烷进行镀碳膜处理得到镀碳安瓿；(2)向该镀碳安瓿内装入溴铅铯粉料，抽真空并密封，置于热处理炉中使溴铅铯粉料先熔化后降温凝固形成多晶料棒；(3)将装有多晶料棒的密封安瓿置于水平移动区熔炉内，将加热器升温至620-650℃，使加热器从密封安瓿的尖端开始移动至密封安瓿的尾端，由此完成溴铅铯晶体的生长，得到溴铅铯晶体。本发明通过对其关键的整体流程工艺设计、以及各个步骤的反应条件及参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决晶体生长过程中机械震动大、晶体内部的热应力高、难以生长大尺寸溴铅铯单晶等问题。
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公开(公告)号：CN105384188A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510922762.1
申请日：2015-12-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G21/16
CPC classification number: C01G21/16 , C01P2002/72 , C01P2004/64 , C01P2006/20
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯粉体制备方法,具体包括如下步骤：(1)获取反应物溴化铅的起始溶液：(2)获取反应物溴化铯的起始溶液：(3)将溴化铅的起始溶液与溴化铯的起始溶液同时滴加到反应底液中，滴加的同时搅拌；通过化学共沉淀反应获取溴铅铯沉淀物；(4)对溴铅铯沉淀物进行洗涤和抽滤，以清除杂质和杂相；(5)将步骤(4)中得到的产物烘干，获得溴铅铯粉体；该制备方法通过控制原料的浓度及反应原料的化学计量比，有效提高主反应的反应比例，抑制副反应的进行，获取纯度高，杂相少，颗粒均匀的溴铅铯粉体；有效解决现有的溴铅铯粉体制备方法制备得的溴铅铯粉体纯度不高、杂相多和颗粒不均匀的问题。
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