一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置

    公开(公告)号:CN100341119C

    公开(公告)日:2007-10-03

    申请号:CN200410061402.9

    申请日:2004-12-20

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置,属于单晶硅基片制备的有关设备,目的在于有效地防止腐蚀液渗漏,使得薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺成为可能,提高器件的质量及成品率。本发明加热器上安置水浴缸,水浴缸中置有烧杯,冷凝器通过密封盖设置于烧杯上,水浴缸中同时置有温度计,温度计、温控仪和加热器串联构成温度控制回路;其特征在于烧杯中设有不锈钢圆筒,该不锈钢圆筒由不同直径的两个不锈钢圆筒构成一体、直径较大的不锈钢圆筒内壁旋有固紧螺栓;该固紧螺栓为带外螺纹的圆环状螺栓。应用该装置,能有效地保护硅基片正面图形,使薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺进行,提高器件的质量及成品率。

    一种制备热释电陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN1927766A

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200610124643.2

    申请日:2006-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种制备热释电陶瓷的方法,包括:①将MgO和Nb2O5按质量比1∶1混合均匀,保温合成MgNb2O6;②根据化学式Pb1+d[(ZrxTi1-x)1-y(Mg1/3Nb2/3)y]O3+z at%Mn,0.65≤x≤0.95,0≤y≤0.3,0≤d≤0.1,0≤z≤5,将MgNb2O6与PbO、ZrO2、TiO2和Mn(NO3)2溶液混合,Mn(NO3)2溶液的质量浓度为2%;③将混合物预烧后进行粉碎、过筛、预成型和成型,再保温烧结,烧结采用双坩埚密封气氛叠烧,使烧结过程在饱和铅气氛中进行;④将烧结后的材料进行磨片、清洗、被银和烧电极;⑤将材料放在100~120℃硅油中加3~5KV/mm电场极化15~30分钟,然后保压冷却至室温。本发明以Mn(NO3)2溶液的形式进行了有效的锰掺杂,制备出的PMN-PZT热释电陶瓷具有高的热释电系数,低的介电损耗和合适的介电常数,具有良好综合热释电性能,符合制作热释电红外探测器的要求。

    热释电系数测量装置
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1865965A

    公开(公告)日:2006-11-22

    申请号:CN200610019080.0

    申请日:2006-05-16

    Abstract: 热释电系数测量装置,属于电流测量设备,基于动态电流法,以提高测量准确度,并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器,温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部温度;样品夹具和微电流放大器、皮安电流表、计算机依次电信号连接,样品的温度信号依次通过热电阻感温器、温度测试仪和计算机电信号连接;计算机编程计算获得样品的热释电系数。本发明测试周期短,温度和电流测量精度高,能测量具有热释电性能的单晶、陶瓷、厚膜及薄膜材料样品。测量操作简单,测量准确度较高。

    ZnO陶瓷薄膜的制备方法
    44.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1594202A

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:CN200410013448.3

    申请日:2004-07-10

    Abstract: 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法,包括:采用传统的溶胶-凝胶法制备ZnO溶胶,取上述60~80%的溶胶烘干后,升温至550℃~650℃,使有机物分解,得到ZnO晶体,再碾磨制备成ZnO纳米粉体,其粒径在30nm~70nm;在上述ZnO粉体中加入分散剂,经混合后,加入到剩余的溶胶中;在载体上采用通常的方法制备所需厚度的薄膜,薄膜的退火温度为500℃~850℃。通过该方法可制备从2000nm~5000nm的薄膜,该薄膜无裂纹、致密型好、晶粒分布较均匀。

    钛酸锶钡铁电薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1546426A

    公开(公告)日:2004-11-17

    申请号:CN200310111534.3

    申请日:2003-12-08

    Abstract: 钛酸锶钡铁电薄膜材料及其制备方法,涉及非致冷红外探测器焦平面阵列敏感元铁电薄膜材料及其制备方法,目的是得到具有优良的热释电性、高电阻率和小的漏电流的薄膜材料。本发明的一种钛酸锶钡铁电薄膜材料,1mol(Ba1-xSrx)TiO3中Mn添加量0.0003-0.02mol,其中x为0.05-0.40;制备方法步骤为:(1)按mol比x∶1-x∶1取醋酸锶、醋酸钡和钛酸四丁酯,以乙二醇单乙醚为溶剂制成溶胶;(2)在溶胶中加入醋酸锰、催化剂和添加剂,制成MBST溶胶;(3)在基片上涂覆MBST溶胶至所需厚度,热处理成无机薄膜;(4)快速热处理,制成MBST铁电薄膜。该发明能得到电阻率高、漏电流小、热释性能优良的铁电薄膜,适于制备红外探测器焦平面阵列敏感元。

    一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置

    公开(公告)号:CN2817066Y

    公开(公告)日:2006-09-13

    申请号:CN200420057785.8

    申请日:2004-12-15

    Abstract: 一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置,属于单晶硅基片制备的有关设备,目的在于有效地防止腐蚀液渗漏,使得薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺成为可能,提高器件的质量及成品率。本实用新型加热器上安置水浴缸,水浴缸中置有烧杯,冷凝器通过密封盖设置于烧杯上,水浴缸中同时置有温度计,温度计、温控仪和加热器串联构成温度控制回路;其特征在于烧杯中设有不锈钢圆筒,该不锈钢圆筒由不同直径的两个不锈钢圆筒构成一体、直径较大的不锈钢圆筒内壁旋有固紧螺栓;该固紧螺栓为中心透空的螺栓。应用该装置,能有效地保护硅基片正面图形,使薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺进行,提高器件的质量及成品率。

    热释电系数测量装置
    47.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201011515Y

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200620157562.8

    申请日:2006-11-24

    Abstract: 热释电系数测量装置,属于电流测量设备,基于动态电流法,以提高测量准确度,并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器,温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部温度;样品夹具和微电流放大器、皮安电流表、计算机依次电信号连接,样品的温度信号依次通过热电阻感温器、温度测试仪和计算机电信号连接;计算机编程计算获得样品的热释电系数。本实用新型测试周期短,温度和电流测量精度高,能测量具有热释电性能的单晶、陶瓷、厚膜及薄膜材料样品。测量操作简单,测量准确度较高。

    铁电材料参数测试仪
    48.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2747587Y

    公开(公告)日:2005-12-21

    申请号:CN200420072099.8

    申请日:2004-07-26

    Abstract: 一种铁电材料参数测试仪,用于铁电材料的电滞回线、I-V特性和开关特性测量,包括机壳,面板和位于机壳内的电路,所述面板上包括用于与示波器相连的X接线柱、Y接线柱以及接地柱,用于与被测铁电材料相连的一对接线柱,该对接线柱分别与所述X接线柱和Y接线柱短接,所述Y接线柱与接地柱之间串有用于电滞回线测量的标准电容/用于I-V特性和开关特性测量的标准电阻;所述机壳内的电路包括电压源、模拟信号产生电路、功率驱动电路、高压驱动电路、高压选择开关、正矩形脉冲产生电路、负矩形脉冲产生电路、双极性双脉冲合成电路和模拟/脉冲信号选择开关。本测试仪,能够满足一般工程技术人员的实际需要,并且构建成本低。

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