公开(公告)号：CN105141273B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201510572483.7

申请日：2015-09-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王晓川 ,  楼熠辉 ,  孙洋洋 ,  吕文中

IPC: H03H7/01

Abstract: 本发明公开了一种折叠链式穿心电容结构的EMI滤波器，包括层叠基体、一个输入端子、一个输出端子和两个接地端子；层叠基体包括从下至上依次层叠的基板、导电极板、接地极板和金属过孔；导电极板设置在基板表面上；首层导电极板的一端与输入端子连接，末层导电极板的一端与输出端子连接，接地极板设置在其余基板的表面上；接地极板的两端分别与两个接地端子连接；金属过孔沿基板的层叠方向，导电极板之间通过金属过孔首尾相连，使得导电极板与接地极板形成空间折叠的链式穿心电容结构。本发明提供的EMI滤波器，其链式结构将多个穿心电容进行折叠、级联，充分利用结构中的寄生效应在有限的体积内实现优良带外抑制。

公开(公告)号：CN107226698A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710452782.6

申请日：2017-06-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  吴秋晨 ,  吕文中 ,  王晓川 ,  雷文 ,  曾子庆

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/37 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

CPC classification number: C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/183 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/37 ,  H01L41/43 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/0072

Abstract: 本发明公开了一种应用于水声换能器的压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的化学通式表示如下：Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.08Zr0.47Ti0.45O3+xwt％CeO2+ywt％Yb2O3+zwt％BiFeO3；式中Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.08Zr0.47Ti 0.45O3为基体陶瓷粉体，xwt％表示CeO2占所述基体陶瓷粉体的重量百分比，ywt％表示Yb2O3占所述基体陶瓷粉体的重量百分比，zwt％表示BiFeO3占所述基体陶瓷粉体的重量百分比，压电陶瓷材料的压电常数大于或等于300p C/N，机电耦合系数大于或等于0.56，在5kV/cm交流电场下的强场下的介电损耗最小为2.74％，机械品质因数大于或等于1301。本发明提供的压电陶瓷材料的压电性能和损耗性能均符合大功率水声换能器件的需求，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN107154531A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710290471.4

申请日：2017-04-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王晓川 ,  于晨武 ,  楼熠辉 ,  吕文中 ,  范桂芬

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q21/00

Abstract: 本发明公开了一种基片集成腔体毫米波阵列天线，包括天线阵列、功分模块以及外部转接模块。由外部转接模块将电磁波从金属波导引入功分模块，功分模块将电磁波分为多路电磁波输出，电磁波进入天线单元的基片集成腔体中，通过扩大基片集成腔体辐射口径在基片集成腔体中产生高次模谐振，提高毫米波阵列天线的增益，并由寄生结构调整基片集成腔体内的电磁波中高次模场分布，使得基片集成腔体内的电磁波中高次模的辐射方向变为向着基片集成腔体法线方向，实现天线阵列正常工作。另外，寄生结构采用呈类工字型金属片，能够提高金属片上电流长度，增大天线阵列的带宽。

公开(公告)号：CN106542828A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610906824.4

申请日：2016-10-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  丁利文 ,  范桂芬 ,  姜海 ,  史玉升 ,  李晨辉

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/5436

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷，包括氮化铝、氧化钇和氟化镧，氮化铝的质量百分比为95％～97％，氧化钇的质量百分比为2％，氟化镧的质量百分比为1％～3％。还公开了制备氮化铝陶瓷的方法，包括将氮化铝粉体、氧化钇和氟化镧混合，经湿法球磨、干燥、造粒、压制并烧结，制得氮化铝陶瓷。本发明所提供的氮化铝陶瓷烧结温度低至1700℃～1800℃，其热导率可达到160～200W/(m·K)，介电常数为9～10，介电损耗为0.8×10-3～1.3×10-3，可以满足半导体器件和集成电路等产业的应用要求。

公开(公告)号：CN105399405A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510963435.0

申请日：2015-12-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 雷文 ,  邹正雨 ,  吕文中 ,  范桂芬 ,  汪小红

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法,该低介微波铁电陶瓷的化学通式为xBaO-yZnO-zSiO2；其中，1≤x≤2，0≤y≤2，1≤z≤2；其制备方法，包括如下步骤：(1)对BaO、ZnO和SiO2的混合物进行湿法球磨处理，并烘干后进行预烧，获得xBaO-yZnO-zSiO2基体陶瓷粉体；(2)对基体陶瓷粉体进行湿法球磨处理，烘干后加入聚乙烯醇造粒，压片后烧结，获得低介微波铁电陶瓷；在球磨处理中采用去离子水作分散剂，能制备出致密的铁电体单相，且制备温度低于Cu或Ni的熔点，所制备的低介微波铁电陶瓷具有优异的微波介电性能和抗还原特性，具有介电常数小、微波介电损耗低的特点，可通过改变其晶格结构来调控其τf值，适于作BME-MLCC的介质材料。

公开(公告)号：CN103360050B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310290510.2

申请日：2013-07-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁飞 ,  吕文中 ,  冯绍帅 ,  倪猛 ,  汪小红

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法。该微波介质陶瓷的表达式为xCaTiO3-(1-x)La(Ga1-yAly)O3，其中，0.62≤x≤0.66，0.1≤y≤0.9。其制备方法包括球磨、干燥、预烧、再球磨、造粒和烧结步骤。本发明提供的中介电常数的微波介质陶瓷性价比高，具有良好的微波介电性能，生产工艺简单，重复性好，原料丰富，应用广泛。

公开(公告)号：CN101759431B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200910273178.2

申请日：2009-12-10

Applicant: 华中科技大学 ,  深圳大学

Inventor： 万帅 ,  刘文 ,  吕文中 ,  范桂芬

IPC: H01C7/112 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法。本发明是在ZnO-Bi2O3-TiO2系的压敏电阻材料中添加0.4～3wt％的铋硼玻璃。压敏电阻材料优选为：ZnO 92.5～95.9mol％；Bi2O30.5～3mol％；TiO20.4～2mol％；Co2O3 0.1～2mol％；MnCO3 0.2～2mol％；Sb2O30.05～1mol％；Cr2O30.1～1mol％；铋硼玻璃优选为：Bi2O3 30～70mol％，余量为B2O3。本发明可以在提高非线性系数和降低漏电流的同时，得到低电位梯度范围内的一系列电位梯度值。其制备方法可以使其烧结温度也得到大幅度的降低，较好地解决了低电位梯度压敏电阻材料低温烧结和低电位梯度两个相互制约的问题，为实现MLV陶瓷层压敏电阻材料与纯银电极的低温共烧提供了必要条件。

公开(公告)号：CN101805172A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010111148.4

申请日：2010-02-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 雷文 ,  吕文中 ,  昂然 ,  梁飞

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/01 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开了一种超低介电常数的微波介质陶瓷材料，由(1-x)MO-0.5xNa2O-(1-0.5x)Al2O3-(2+x)SiO2构成，其中MO为BaO或SrO，0≤x≤0.6。当x＝0时，材料在1500～1525℃范围内保温3小时后能获得负收缩率大于-3.0％的最佳综合性能，能与其它常见的具有正收缩率的材料复合形成零收缩材料，将会成为一种具有应用前景的电子材料。当x＝0.4时，材料在1000～1100℃范围内烧结后能获得零收缩陶瓷，不仅适用于制造高集成度微波通信基板，还能用于制造高品质微带天线和天线罩等重要元器件。

公开(公告)号：CN1282624C

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510018239.2

申请日：2005-02-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 艾瑞克·P·K ,  吕文中 ,  汪小红

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12

Abstract: 高介电常数微波介质陶瓷材料，涉及通讯系统中的介质谐振器、滤波器等微波元器件用的高介电常数微波介质陶瓷材料，目的是保持高介电常数的同时提高材料品质因数，同时在一定范围内具有希望得到的任何谐振频率温度系数；本发明以uCaO-vLn2O3-wLi2O-xTiO2系微波介质陶瓷材料为主料，各组分的含量分别是：10.0mol.%≤u≤20.0mol.%，10.0mol.%≤v≤15.0mol.%，5.0mol.%≤w≤15.0mol.%，55.0mol.%≤x≤65.0mol.%，u+v+w+x＝100mol.%，Ln＝Sm3+；其特征是在所述主料中掺入0.5～10wt.%的Li1/2Bi1/2TiO3；X射线衍射分析结果，所有组分都形成单一的钙钛矿相。本发明通过添加LBT，在1200～1400℃之间调节烧结温度可以得到温度稳定性好，而且介电常数、品质因数和烧结温度均能系列化的微波介质陶瓷材料。

公开(公告)号：CN118137116A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410112606.8

申请日：2024-01-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王晓川 ,  严正罡 ,  吕文中 ,  雷文 ,  范桂芬 ,  周佳骏 ,  付明

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q15/00 ,  H01Q21/00 ,  H01Q21/30 ,  H01Q1/52 ,  H01Q25/04

Abstract: 本发明公开了一种基片集成腔体超表面天线。该天线包括：层叠放置的上层介质基板和下层介质基板；上层介质基板包括由金属通孔围成的基片集成腔体和其中心位置的超表面结构，超表面结构包括若干周期性间隔排列的矩形金属贴片；下层介质基板包括由金属通孔围成的基片集成波导，基片集成波导对基片集成腔体和超表面结构进行馈电；在低频下，超表面结构作为主辐射体，工作在基模模式下；在高频下，基片集成腔体作为主辐射体，工作在高次模模式下，超表面结构改变腔体的高次模分布，使其最大辐射方向沿基片集成腔体的法线方向；其中，两种工作模式对应的谐振频率不重合。通过将这两种辐射模式结合，拓展了天线的综合带宽，实现宽带高增益天线设计。