公开(公告)号：CN106542828A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610906824.4

申请日：2016-10-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  丁利文 ,  范桂芬 ,  姜海 ,  史玉升 ,  李晨辉

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/5436

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结高热导率的氮化铝陶瓷，包括氮化铝、氧化钇和氟化镧，氮化铝的质量百分比为95％～97％，氧化钇的质量百分比为2％，氟化镧的质量百分比为1％～3％。还公开了制备氮化铝陶瓷的方法，包括将氮化铝粉体、氧化钇和氟化镧混合，经湿法球磨、干燥、造粒、压制并烧结，制得氮化铝陶瓷。本发明所提供的氮化铝陶瓷烧结温度低至1700℃～1800℃，其热导率可达到160～200W/(m·K)，介电常数为9～10，介电损耗为0.8×10-3～1.3×10-3，可以满足半导体器件和集成电路等产业的应用要求。