公开(公告)号：CN119227528A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411270516.8

申请日：2024-09-11

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 付桂翠 ,  管树凯 ,  刘庆盛 ,  钟京洋 ,  万博

IPC: G06F30/27 ,  G06F30/15 ,  G06N3/126 ,  G06F111/06 ,  G06F119/02

Abstract: 步骤一：空间辐射环境分析与屏蔽几何材料设计；步骤二：确定边界条件；步骤三：确定辐射屏蔽多目标优化模型；步骤四：基于遗传算法的屏蔽设计；步骤五：辐射屏蔽可靠性风险建模分析；步骤六：具体案例分析；步骤七：基于可靠性评估的辐射屏蔽设计分析。它采用一种多目标优化策略，旨在增强屏蔽结构和材料选择，优先考虑轻量化、紧凑性和最小辐射剂量等目标。该策略利用遗传算法，通过蒙特卡洛MCNP6模拟分析实现辐射屏蔽设计优化的自动化和效率的提高。构建基于可靠性的屏蔽设计技术，将不确定性集成到优化设计过程中，实现在辐射屏蔽材料剂量当量结果上的可靠性评估，提高电子设备可靠性。解决了将不确定性因素集成到辐射屏蔽优化过程中的难题，为有效辐射屏蔽和可靠性评估提供了理论依据。

公开(公告)号：CN115656774A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211307107.1

申请日：2022-10-25

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 万博 ,  侯鑫 ,  付桂翠 ,  龙梦翔 ,  钟京洋

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明的目的是提供一种集成电路充电器件模型静电放电敏感度试验方法，第一方面，本发明提供了集成电路充电器件模型静电放电试验方法要素，包括CC‑TLP试验方法原理以及CDM试验要求。第二方面，本发明提供了一种集成电路充电器件模型静电放电试验程序。本发明相较于传统的充电器件模型静电放电试验方法，重复性及准确率高，有助于在工程实践中准确对集成电路充电器件模型的静电放电试验敏感度进行分级。此方法属于集成电路充电器件模型静电放电试验方法技术领域。

公开(公告)号：CN114758731A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210348007.7

申请日：2022-04-01

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 付桂翠 ,  张钟庆 ,  万博

IPC: G16C10/00

Abstract: 本发明涉及一种纳米金属球形颗粒原子物态层区分方法，包括以下步骤利用分子动力学模拟软件，获得典型升温速率下的纳米金属球形颗粒原子运动轨迹文件；计算运动轨迹文件中原子的林德曼指数；根据温度与原子平均林德曼指数的变化特点，确定其熔化温度范围；分析林德曼指数波动情况，确定稳定层与预熔层的决断半径，得到纳米金属球形颗粒的稳定层；比较系统原子平均林德曼指数与每个原子林德曼指数的大小，确定预熔层与熔化层的决断半径，得到纳米金属球形颗粒的预熔层和熔化层。本发明旨在提供一种原子物态层区分方法，这将有助于了解纳米金属球形颗粒升温时的颗粒熔化状态。

公开(公告)号：CN114708623A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210290019.9

申请日：2022-03-23

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 付桂翠 ,  郝亚东 ,  张钟庆 ,  万博

IPC: G06V40/13 ,  G06V10/762 ,  G06K9/62 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明涉及一种基于图像处理的金属腐蚀等级评价方法，包括以下步骤：步骤一：采用卷积神经网络训练腐蚀分类器；步骤二：采用滑动窗口法取样；步骤三：腐蚀区域定位；步骤四：采用聚类算法进行颜色量化；步骤五：训练标准色图谱信息表；步骤六：基于颜色和面积的腐蚀等级评价。本发明根据金属腐蚀前后像素点差异化特征，利用卷积神经网络结合滑动窗口法实现腐蚀特征分类及腐蚀区域定位，提出一种颜色聚类结合标准色图谱信息表的方法实现金属腐蚀等级评价。此方法属于金属腐蚀程度评价技术领域。

公开(公告)号：CN110298126B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201910597236.0

申请日：2019-07-04

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 付桂翠 ,  郭文迪 ,  万博 ,  苏昱太

IPC: G06F30/398 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明涉及一种基于失效物理的多元Copula功率器件可靠性评价方法，包括以下步骤：步骤一：功率器件信息收集，确定实际工况，内部结构和存在的失效机理；步骤二：失效物理模型应用及模型参数随机化，确定各结构寿命的边缘分布；步骤三：功率器件可靠性评估，对比蒙特卡洛竞争失效方法；它基于失效物理的理论，从功率器件在实际工况下存在的失效机理和失效物理模型入手，利用仿真来获取模型中缺失的参数，应用多元阿基米德Copula推导多失效机理下功率器件的可靠度表达式。通过对比蒙特卡洛‑竞争失效可靠性评价方法，证明多元Copula模型能够考虑各机理间的交叉影响因素，属于元器件可靠性评价技术领域。

公开(公告)号：CN113189136A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110344751.5

申请日：2021-03-29

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 付桂翠 ,  杨伯睿 ,  王晔 ,  冷红艳 ,  万博

IPC: G01N25/20

Abstract: 本文发明涉及一种针对宇航用球栅阵列器件装联工艺的温度循环试验分级评价方法。包括以下步骤：步骤一：确定器件的封装结构、材料及相关参数；步骤二：建立平均粘塑性应变能密度增量模型；步骤三：建立球栅阵列器件装联结构的热疲劳寿命预测模型；步骤四：建立宇航用球栅阵列器件装联工艺的温度循环试验分级评价方案。本方法适用于设计宇航用球栅阵列器件装联工艺的温度循环分级试验，以便于针对不同实际应用情况设计合理的宇航用球栅阵列器件装联工艺的温度循环试验，此方法属于宇航用球栅阵列器件装联工艺的分级评价试验技术领域。

公开(公告)号：CN109738773B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201810629060.8

申请日：2018-06-19

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 付桂翠 ,  姜贸公 ,  冷红艳 ,  程禹

IPC: G01R31/26 ,  G06F30/20 ,  G06F119/04 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明涉及一种非平稳工况下IGBT模块寿命预测方法，包括以下步骤：步骤一：IGBT模块的退化机理调研；步骤二：IGBT模块电学模型建立；步骤三：基于Simulink的IGBT电学模型参数解耦；步骤四：考虑退化特性的结温在线监测；步骤五：窄结温幅值寿命预测模型建立；步骤六：功率循环试验平台搭建；步骤七：窄结温幅值寿命预测模型建立；步骤八：非平稳工况IGBT模块寿命预测模型。本发明首先基于器件电热模型和工作任务剖面计算出实际工况下功率模块的结温‑时间曲线，提取出相应的结温波动信息；然后，基于功率模块的寿命预测模型，计算不同结温波动对器件造成的累积损伤；最后，结合各结温应力循环次数，对实际工况下IGBT模块的MTTF进行评估。此方法属于IGBT模块寿命评价技术领域。

公开(公告)号：CN111859723A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010032398.2

申请日：2020-01-13

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 张素娟 ,  荣珂伊 ,  李颜若玥 ,  万博 ,  付桂翠

IPC: G06F30/23

Abstract: 本发明涉及一种电子元器件通孔插装工艺应力损伤仿真分析方法，包括以下步骤：步骤一：通孔插装工艺过程应力应变关键影响因素分析；步骤二：确定仿真参数；步骤三：通孔插装器件模型建立及简化；步骤四：工艺温度应力仿真分析；步骤五：仿真模型验证；步骤六：仿真模型修正；步骤七：工艺过程应力损伤失效机理分析。采用PFMECA分析的手段针对通孔插装工艺开展研究，找到通孔插装工艺过程中对应力有关键影响的因素，通过仿真分析对得到的关键因素进行仿真分析，并通过电测法对仿真模型进行验证和修正，最后结合仿真模型对通孔插装工艺过程的应力损伤机理进行总结，从而为进行有效的工艺优化提供理论依据。

公开(公告)号：CN106055910B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201610416388.2

申请日：2016-06-14

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 苏昱太 ,  付桂翠 ,  万博 ,  裴淳

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/08

Abstract: 一种基于失效物理的电子产品热循环试验加速因子及试验方案确定方法包括如下步骤：步骤1：基准热循环试验条件特征向量的确定；步骤2：电子产品特征矩阵的确定；步骤3：热循环试验条件特征矩阵的确定；步骤4：不同热循环试验条件下电子产品寿命特征矩阵的计算；步骤5：不同热循环试验条件电子产品加速因子的确定；步骤6：目标热循环试验方案的确定。该方法适用于分析电子产品热循环试验条件的应力水平，计算目标热循环试验条件与基准热循环试验条件相较的加速因子，可用于确定与基准热循环试验方案具有相同试验应力水平的电子产品热循环试验方案，属于电子产品热循环试验技术领域。

公开(公告)号：CN109871655A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201910208200.9

申请日：2019-03-19

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 郭文迪 ,  付桂翠 ,  张钟庆 ,  苏昱太

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种基于模糊等级评价的器件级产品试验应力确定方法，包括以下步骤：步骤一：结合失效案例分析，确定器件级产品的备择集与模糊因素；步骤二：量化定性评价结果，建立器件级产品的模糊评价等级；步骤三：统计专家评价结果，建立器件级产品的隶属度评价矩阵；步骤四：结合模糊因素等级权重，计算器件级产品的一级模糊矩阵；步骤五：结合模糊因素权重，计算器件级产品的二级模糊矩阵，获取器件级产品试验应力敏感性模糊评价结果；步骤六：基于敏感性模糊评价判据，建立器件级产品试验应力选取评价流程，确定器件级产品的试验应力类型。本发明涉及一种器件级产品的多应力强化试验试验应力确定方法，主要基于模糊等级评价方法，进行器件级产品多应力强化试验，试验类型的选择及试验应力的确定，属于元器件可靠性试验技术领域。