一种在钒合金基底上制备Er<base:Sub>2</base:Sub>O<base:Sub>3</base:Sub>涂层的方法

    公开(公告)号:CN106868476A

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201710126624.1

    申请日:2017-03-03

    CPC classification number: C23C18/1216 C23C18/1241 C23C18/1254 C23C18/1295

    Abstract: 本发明属于涂层制备技术领域,涉及一种在钒合金基底上制备Er2O3涂层的方法。首先将Er(NO3)3·5H2O溶于无水乙醇中,并加入一定体积的火棉胶,经磁力搅拌后制成溶胶。通过旋涂法将溶胶均匀的涂覆在钒合金表面。然后在真空干燥箱中干燥,随后炉冷。最后在管式炉中热处理获得Er2O3涂层。本发明选择溶胶‑凝胶法结合旋涂法在钒合金基底上制备Er2O3涂层,制备的涂层均匀,无裂纹,厚度可控且具有操作简便快捷,成本低廉,反应温度低以及涂层成分单一等明显的优势,能够实现对Er2O3涂层厚度的控制。

    一种可控制备ZnO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104561964A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410817466.0

    申请日:2014-12-24

    CPC classification number: C23C18/1208

    Abstract: 本发明属于半导体材料生长技术领域,涉及一种在水溶液中低温制备高质量且形貌可控的ZnO薄膜的工艺。本发明在70℃的水溶液环境下通过Zn片和ZnCl2溶液反应的方法制备出高质量ZnO。首先采用砂纸打磨掉Zn片表面明显的污渍,然后用稀盐酸对Zn片进行清洗,之后用丙酮和去离子水分别进行超声清洗。再配制一定浓度的ZnCl2溶液(0.005mol/L-0.09mol/L),将处理好的Zn片垂直放置到溶液中。最后在70℃的油浴环境下加热,得到高质量的ZnO薄膜。本发明直接在ZnCl2溶液中进行加热、不用调节碱度、操作简单、简化并缩短了干燥过程、降低了生产成本、并且没有引入其他杂质离子、解决了制备温度较高的问题和制备周期较长的问题。

    一种制备纳米晶低活化马氏体钢的方法

    公开(公告)号:CN103128239B

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201310064538.4

    申请日:2013-02-28

    Abstract: 本发明涉及一种纳米晶低活化马氏体钢的制备方法,属于结构钢材料技术领域。采用真空单棍旋淬的方法制备,选择的石英管口为圆孔型,直径为0.9-1mm,炉体真空度为1-1.5ⅹ10-4Pa,炉体内与气罐的压力差为常压,调整单棍旋转机的铜辊速度为20-30m/s,制得的纳米晶主要物相为α-Fe,薄带宽度为1.1-3.1mm,厚度为40-60μm,晶粒度大小为19-26nm。本发明方法设备简单,操作简便,样品质量好、无杂相,为纳米科学技术领域提供材料来源。

    一种制备纳米晶低活化马氏体钢的方法

    公开(公告)号:CN103128239A

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201310064538.4

    申请日:2013-02-28

    Abstract: 本发明涉及一种纳米晶低活化马氏体钢的制备方法,属于结构钢材料技术领域。采用真空单棍旋淬的方法制备,选择的石英管口为圆孔型,直径为0.9-1mm,炉体真空度为1-1.5×10-4Pa,炉体内与气罐的压力差为常压,调整单棍旋转机的铜辊速度为20-30m/s,制得的纳米晶主要物相为α-Fe,薄带宽度为1.1-3.1mm,厚度为40-60μm,晶粒度大小为19-26nm。本发明方法设备简单,操作简便,样品质量好、无杂相,为纳米科学技术领域提供材料来源。

    制备高性能的具有NaZn13结构稀土-铁钴硅化合物的方法

    公开(公告)号:CN101967596B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010298648.3

    申请日:2010-09-29

    CPC classification number: C22C32/0047 B22F3/105 C22C32/0078 C22C33/0257

    Abstract: 本发明提供了一种制备高性能的具有NaZn13结构稀土-铁钴硅化合物的方法,属于材料制备领域。本发明具体将至少由主相为1∶13相和含稀土的杂相组成的稀土-铁钴硅母合金制成粒度在1μm-40μm之间的粉末,将粉末放入模具中,然后将模具放入等离子体烧结炉内进行低温短时间烧结,烧结温度在600℃-1100℃之间,烧结时间在2min-10min之间,烧结制成具有NaZn13结构的稀土-铁钴硅化合物。本发明可以制备抗弯强度大于110Mpa,所受最大压力大于100N,并且居里温度分布均匀的大块稀土-铁钴硅化合物材料。用于磁制冷技术以及其它使用具有NaZn13结构的稀土-铁钴硅化合物材料中。

    制备高性能的具有NaZn13结构稀土-铁钴硅化合物的方法

    公开(公告)号:CN101967596A

    公开(公告)日:2011-02-09

    申请号:CN201010298648.3

    申请日:2010-09-29

    CPC classification number: C22C32/0047 B22F3/105 C22C32/0078 C22C33/0257

    Abstract: 本发明提供了一种制备高性能的具有NaZn13结构稀土-铁钴硅化合物的方法,属于材料制备领域。本发明具体将至少由主相为1∶13相和含稀土的杂相组成的稀土-铁钴硅母合金制成粒度在1μm-40μm之间的粉末,将粉末放入模具中,然后将模具放入等离子体烧结炉内进行低温短时间烧结,烧结温度在600℃-1100℃之间,烧结时间在2min-10min之间,烧结制成具有NaZn13结构的稀土-铁钴硅化合物。本发明可以制备抗弯强度大于110MPa,所受最大压力大于100N,并且居里温度分布均匀的大块稀土-铁钴硅化合物材料。用于磁制冷技术以及其它使用具有NaZn13结构的稀土-铁钴硅化合物材料中。

    常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法

    公开(公告)号:CN101372358B

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200810224591.5

    申请日:2008-10-21

    Abstract: 本发明提供的常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法,属于氧化物半导体纳米材料领域,是将Sn粉和Fe粉均匀混合后放入刚玉舟中作为蒸发源,清洗后的空白硅片作为接收衬底放置在蒸发源的正上方;在水平管式炉中通入流量为70~90ml/min的氩气,然后将管式炉升温至880~910℃,到达设定温度后,将放有蒸发源和硅片的舟放入管式炉中,保温时间为20~30min,在炉子的温度降至室温后取出硅片,硅片上沉积一层白色SnO2纳米线薄膜,纳米线的直径约25~160nm,长度达10~30μm。该方法采用的设备简单,易于操作,成本低廉,易于工业化生产。

    一种制备铜掺杂氧化锌纳米线的方法

    公开(公告)号:CN100567163C

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200610169549.9

    申请日:2006-12-22

    Abstract: 一种制备铜掺杂氧化锌纳米线的方法,属于纳米材料的制备技术领域。工艺步骤为:将纯铜片依次浸入15~20%盐酸溶液和丙酮中各3~7min,进行表面处理。取锌粉均匀平铺在石英舟中,将纯铜片放置在反应源的上方,距反应源4~8mm处,或将纯铜片放置在气流顺流方向,距反应源1~2mm处。将石英舟放入管式炉中,向炉腔中充入氩气,氩气流量为50~80ml/min。将系统升温至480℃~520℃,保温时间为30~120min待系统自然冷却后将样品从管式炉中取出,铜片表面附着的白色沉积物为铜掺杂氧化锌纳米线。优点在于,工艺简单,适用于工业化生产,并且产物具有纯度高、直径均匀。

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