公开(公告)号：CN101372358B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810224591.5

申请日：2008-10-21

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 常永勤 ,  孔广志 ,  林杰 ,  龙毅

IPC: C01G19/02

Abstract: 本发明提供的常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法，属于氧化物半导体纳米材料领域，是将Sn粉和Fe粉均匀混合后放入刚玉舟中作为蒸发源，清洗后的空白硅片作为接收衬底放置在蒸发源的正上方；在水平管式炉中通入流量为70～90ml/min的氩气，然后将管式炉升温至880～910℃，到达设定温度后，将放有蒸发源和硅片的舟放入管式炉中，保温时间为20～30min，在炉子的温度降至室温后取出硅片，硅片上沉积一层白色SnO2纳米线薄膜，纳米线的直径约25～160nm，长度达10～30μm。该方法采用的设备简单，易于操作，成本低廉，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN101372358A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810224591.5

申请日：2008-10-21

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 常永勤 ,  孔广志 ,  林杰 ,  龙毅

IPC: C01G19/02

Abstract: 本发明提供的常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法，属于氧化物半导体纳米材料领域，是将Sn粉和Fe粉均匀混合后放入刚玉舟中作为蒸发源，清洗后的空白硅片作为接收衬底放置在蒸发源的正上方；在水平管式炉中通入流量为70～90ml/min的氩气，然后将管式炉升温至880～910℃，到达设定温度后，将放有蒸发源和硅片的舟放入管式炉中，保温时间为20～30min，在炉子的温度降至室温后取出硅片，硅片上沉积一层白色SnO2纳米线薄膜，纳米线的直径约25～160nm，长度达10～30μm。该方法采用的设备简单，易于操作，成本低廉，易于工业化生产。