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公开(公告)号：CN112350144A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011164067.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构及制备方法，包括：底发射二维周期性VCSEL阵列芯片、热沉和多层单晶反射膜层；底发射二维周期性VCSEL阵列芯片包括衬底层和设于衬底层底部的二维周期性VCSEL发光单元；VCSEL发光单元的底部通过焊料层与热沉相连，衬底层的顶部设有多层单晶反射膜层；其中，热沉的热膨胀系数与衬底层的热膨胀系数相当，单晶反射膜层具有与衬底层相同的晶格结构。本发明热沉的热膨胀系数与VCSEL阵列芯片的衬底层的热膨胀系数相当，其可减小芯片内部热应力，抑制芯片受热发生形变；在衬底层顶部制备与衬底层晶格相匹配的多层单晶膜层，提高单晶反射层间以及与衬底层之间的粘附力。
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公开(公告)号：CN112152068A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010976273.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，属于激光器技术领域。自下而上层叠，层依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、下分布布拉格反射镜(3)、下相位匹配层(4)、亚集电极层(5)、集电极层(6)、基极及量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上相位匹配层(9)、氧化限制层(10)、上分布布拉格反射镜层(11)。本发明提供的微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器，将VCSEL的优异光学性能与异质结晶体管的高速电学性能相结合，可以应用在光学互联和OEIC等领域。
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公开(公告)号：CN111751830A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010651243.7
申请日：2020-07-08
Abstract: 本发明公开了一种基于VCSEL混合激光的空间微弱目标红外探测系统，属于空间微弱目标探测技术领域，其包括：包括：VCSEL混合激光系统，VCSEL混合激光系统作为待测空间微弱目标的主动辐照光源，用于出射高频与大功率连续混合红外激光；其中，大功率红外激光作为空间的基础光，高频红外激光用于在基础光的基础上捕捉待测空间微弱目标；红外探测器，用于探测待测空间微弱目标的反射激光信号；计算系统，用于根据反射激光信号获取待测空间微弱目标的信息。本发明提高了整个探测系统的探测精度，可以实现全天时全天候探测；VCSEL红外激光器光束质量好，有利于适配的光学系统的设计。
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公开(公告)号：CN109084189B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810700278.8
申请日：2018-06-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种远距离激光照明光学系统，包括：激光发射模块、荧光物质和光束准直模块；激光发射模块包括多个蓝色激光二极管LD；多个LD中呈中心对称的任意两个LD的中心轴线与主轴均成预设夹角；荧光物质吸收激光光束中的第一部分光束产生黄色荧光光束；在距光束准直模块预设距离处可实现均匀光斑覆盖。通过采用呈中心对称的任意两个中心轴线与系统主轴具有预设角度的阵列LD作为光源，置于光束准直模块的焦平面上，使各不同传输方向的激光光束的光斑可以恰好在预设距离处均匀覆盖荧光光束的光斑，合成白光达到照明效果，可以实现远距离照明，且效率高，解决现有技术中远距离白光输出不均匀的缺点，而且不会损害人眼健康。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110739285A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911047331.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/482 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种硅基金属中间层化合物半导体晶圆的结构及制备方法，该结构自上至下依次包括：化合物半导体晶圆、金属层M1、金属层M2和硅片；该结构的制备方法包括：在化合物半导体晶圆上沉积一层牺牲层；通过牺牲层向化合物半导体晶圆中注入离子；注入完毕后，对牺牲层进行抛光，去除或者部分去除牺牲层；在化合物半导体晶圆或化合物半导体晶圆上剩余的牺牲层上蒸镀金属层M1；对硅片进行清洗、烘干；在硅片上蒸镀金属层M2；将化合物半导体晶圆上的金属层M1和硅片上的金属层M2进行键合；键合完毕后，对复合晶圆进行退火，在注入离子位置处剥离出多余的化合物半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN110491827A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910743295.4
申请日：2019-08-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜层的转移方法及复合晶圆的制备方法，包括：在半导体衬底的上表面上制备第一介质层、下表面上制备金属膜层；在第二半导体衬底上制备第二介质层；将第一介质层和第二介质层键合，使第一半导体衬底和第二半导体衬底相结合；在第一半导体衬底的侧面刻蚀沟槽；对第一半导体衬底的下表面金属膜层施加外力，使第一半导体衬底在沟槽处横向晶裂，晶裂后的半导体薄膜层转移到第二半导体衬底上。本发明可实现高质量、大面积、低成本的半导体单晶薄膜层在XOI衬底上的制备；同时，此方法可以重复利用剩余的第一半导体衬底，从第一半导体衬底上分离出多层半导体薄膜层，用于制备多个XOI，大大节约了工业制造成本。
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公开(公告)号：CN107833878B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201711226656.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/60
Abstract: 一种全色堆栈式外延的Micro‑LED倒装阵列制备方法，属于半导体技术领域。包括具有电极的基板、导电衬底、微隔离结构、堆栈式三色发光单元。微隔离结构为在导电衬底上制备SiO2或者SiNx栅格状微隔离结构，裸露出导电衬底，作为外延窗口。在同一外延衬底上外延红、绿、蓝光三种发光单元，再利用芯片ICP刻蚀技术形成微小二维矩阵，之后利用成熟的倒装焊接技术，将Micro‑LED阵列转移到具有p侧电极的基板上，达到较好的散热效果，提高Micro‑LED出光效率的同时实现每颗Micro‑LED的阳极单点可控。每个发光单元的尺寸尽可能缩小，解决目前单颗发光单元尺寸较大，导致的屏幕分辨率较低的难题。
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公开(公告)号：CN109754436A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910012942.4
申请日：2019-01-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06T7/80
Abstract: 本发明公开了一种基于镜头分区域畸变函数模型的相机标定方法，属于相机标定技术领域，包括：数据图像采集：以初始调整后的标定板为基础建立世界坐标系；沿X、Y、Z坐标轴移动标定板，采集不同位置处的图像数据；初始数据处理与获取：对图像数据进行预处理，计算投影矩阵初值；将在Z＝0平面采集的多幅图像进行数据融合形成融合图像，并计算各特征点畸变量；分区域畸变模型相机标定：根据局部优化拟合和全局拟合规则得到分区域畸变函数模型；对相机标定模型整体参数进行线性优化。本发明解决了相机标定在固定畸变模型优化计算或智能算法全局寻优时无法兼具计算精度和效率的问题，实现在高精度的前提下，计算效率相对较高。
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公开(公告)号：CN108879313A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810909498.1
申请日：2018-08-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及激光散热技术领域，公开了一种泵浦单元及散热装置，该泵浦单元包括：增益介质和若干数目的泵浦模块；所述泵浦模块设置有通孔，所述通孔沿所述泵浦模块的宽度方向贯穿所述泵浦模块；所述通孔的内壁设置有若干数目的激光器；所述增益介质插置在所述通孔内，所述泵浦模块沿所述增益介质的轴向间隔分布。本发明提供的泵浦单元能够起到较好的散热作用。
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